Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении ЗУ на ЦМД на основе ионно-имплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов. Целью изобретения является определение ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое доменосодержащей пленки. На доменосодержащую пленку воздействуют полем смещения, намагничивающим ее до насыщения, и противоположно направленным импульсом пространственно-неоднородного магнитного поля с аксиальной симметрией. Регистрируют динамическую доменную структуру в пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитнитного поля. Об ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое судят по ориентации узких динамических доменных структур, локализованных вблизи трех пересекающихся прямых линий, которые имеют ориентацию [121], [112] и [211]. Точность определения ориентации составляет до 0,5°. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5 )5 G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

HPÈ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4476154/24-24 (22) 24,08.88 (46) 07.06,90. Бюл. М 21 (75) В.Н.Дудоров, Н.Н.Куделькин и В,В.Рандошкин (53) 681.327,066(088.8) (56) Радиоэлектроника за рубежом, 1982, вып, 18, с. 33.

Письма в ЖТФ, 1982, т, 8, вып. 12, с. 708. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ ОСЕЙ КУБИЧЕСКОЙ. КРИСТАЛЛОГРАФИЧ ЕСКОЙ АНИЗОТРОПИИ В, ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении ЗУ на ЦМД на основе ионноимплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов. Целью изобретения является определение ориентации осей

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах на основе ионно-имплантированных монокри сталлических пленок феррит-гранатов.

Целью изобретения является определение ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионноимплантированном слое доменосодержащей пленки.

На фиг, 1 показаны динамические доменные структуры в доменосодержащей пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитного поля; на фиг, 2 — временные диаграммы поля. Ж, 1569900 А1 кубической кристаллографической а низотропии в ионно-имплантированном слое доменосодержащей пленки. На доменосодержащую пленку воздействуют полем смещения, намагничивающим ее до насыщения, и противоположно направленным импульсом пространственно-неоднородно-. го магнитного поля с аксиальной симметрией, Регистрируют динамическую доменную структуру в пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитного поля. Об ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое судят по ориентации узких динамических доменных структур, локализованных вблизи трех пересекающихся прямых линий, которые имеют ориентацию (121), (112) и (211).

Точность определения ориентации состав-. ляет до 0,5 . 2 ил. смещения Нсм и импульсного пространственно-неоднородного магнитного поля Ни, Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, После включения поля смещения, кото-. рое может быть как постоянным, так и импульсным, доменная структура в доменосодержащей пленке исчезает и она становится намагниченной в одном Нсм направлении, В результате воздействия надоменосодержащую пленку импульса пространственно-неоднородногомагнитного поля Ни с аксиальной симметрией происходит полное перемагничивание основного объема доменосодержащей пленки в противоположном Hcw направлении и вращениЕ

15699ОО (Ж

Ф//е,, E

""QCTB3MT6/ b .,ЙЬ(И«886 /8;;IP8j1 !,; (!/100ГЯH Bq

Горрек:Qp!j/,. Ямборсге =

Редактор А.ц.(андор

Заказ 1453 Тираж 408 ПодГН-: -ное

ВНИИПИ Государственчога комитета

1136 15 "Яогква Ж-" - (= Я»ы""= (!Яб -(/5

Производственно-издательский комбинат "П ÄTe(!т", г Ужгород, ул. Гагарина, . векторов намагниченности в ионно-имплантированном слое, в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивалентных направлений, составляющих друг с другом углы 120О, При этом в окрестности пересечения осью симметрии пространственнонеоднородного магнитного поля доменоc0держащей пленки,в, ирнно-имплантирован. ном слое образуются трN pомена, разделенные д Ом е нны ми стенками, Эти

; стенки ориентированы под у лом 12О друг к другу вдоль трех пересекя(ощихся пря, - мых. После окончания импульса Н,i происхОдит релаксация доменнОЙ с Гоуктуоь F! исхОДное состОяние, Определя8м06 Нсц.

При этом сразу после окончания NMI!, са

Н(! Остаются перемзгни-!енными 0 ./. 13(;тb пленки в виде искаженно-0 треугольни«я, локализован няя вблизи /Оч(cl/I, 18ресе-lei-:N::;

Q C M (. И М М Е т Р И И g j/j С Ц 0 М Е (-: Q /-"- -0;"! i 0;", /; /- i;, пленкой, 3 также узкие обла, :", : ло:(Я/(из:.,ванныевдоль трех пересB«аю!Цихся Г/ .,я(,=(х

ЛИНИЙ, KGTOpbl8 QpM8HTИрованы Bp0!1Ь;;0!ii

СТЗЛЛОГОЯфи leC«i/IX Н31Г. :(13Л -I / N 1:: 2i i 1,:.

F 8ГИСТРЯЦИЯ УЗКИХ;; 1Ь(,— !::;I," BCK»0(ЦСМЕЬ(!!ЫХ СТРУKТУP 00 1ВРЛЯr T 01-„;-»a ."ЛЯТ/ ориентаци!О асей кубической коисгал/1 /-р=фическои янизо гоопи!/! в 10 /! (H!1-и/ /!;, i,;-%"! ;, Г, /1.

РОВЗННОМ Слое .,ЦОМ8НОСО,:;3! (,,: 3 .Цей I I/!88!! К

Точность ОПР8ДелениЯ ОРие!-: ГЯЦЙ!/1 "..)(Г(33" ляет до 0,5 .

Регистрацию Цоме/!ной стриктувь1 мо>«но Осущ8ствить с использОЯBHiием Яффе((та

Фарадея и высокоскор(.ст(-:(О:.: фотогр.- ф::и. (27,/1

ФОрмулз изобретения

Способ определения ориентации асей кубической кристаллОГрафи48cKGA BHMBOтропии в доменосодержащей пленке, вклю5 чающий воздействие на доменосодер>кащу!о пленку- импульсом пространственно-неоднородного магнитного поля с

Яксиальной симметриеЙ, Gcb KQTopoA opM6Hтирована перпендикулярно плоскости до1О менОсОДержащеЙ пленки, и 08Гистрацию

Динами IGcKGA pGMeHHGA структуры, по фОО

iM6 кОторОЙ судят 00 GpvieHTB((NN GceN Kv(GNЧ8СКОЙ КРИСТЯЛЛОГРафИЧ8СКОЙ BHI/!30TPOQ_#_M, 0 т Л /ii Ч а !0 Щ И Й C Я ГР(/1 Ч;- C 1,!ел,—. (15 опоеделения ориентации осей кубичес ой .ристаг!лографи IecKQA анизотропии "- Он- .О-ИМПЛЗ IT!MPQBBHНОМ СЛ08 ДО /!8(-:ОС(1,60 жBLI!eM пл8н ки, ня нее .цОГ!Ол нительн.:

B03деЙ ву(ОТ полем 0(.;8(ц(8(-,и" „няправ

"/0 Нив I(DTOOОGГО и !IG/!„-,ЗОРОЛ; ж:./Q . 0/i !Г(Р 1 !8!/ i-/ . P 0 - Т,» 3 t ° Т / 8 Н Н 0" Н 0 Д Н 0 Э С Ц i»»; (1 /! Я / Н

0 Г10ЛЯ, ЦИ!13(/1(/! "!8С((Ч.О До(»!8Г(Н(/10 тру(/ 1 р

j8!-ИСТО(/10Ч.:От .:-(Осле Оконча I-,!/1Г: И Мп,//Е: ЬГ 3

П: !ОСТОЯН . 36HH/3 НЯОДНОРОДНОГО МЗ! i! I/,*, »!02;. ГО РОлй, Я il!! Ориентации ilc:;,,(. «1/О,:-;с

«рис Зи!(/1 !Вской яниэотрог!ии Г дят и Q opNiЯНТBÖI/i(/(УЗКИХ ДИНЯ МИ ЯСКИ.-,ЦО(1ЭН.::с ..

cTp1!«т/О /.Окялизовяннь!х Волизи Tpei

/Р Ce«BIGÙ!/IXCß ПРЯМЫХ iTN(-:":Й., ?IQИ -16(:; (-:Ээня|(8, -(ия няпрях(еннос Ги, при которо!1 ис l= -. .—."3 Г ДОм IH (-1 ЯЯ стР7«т1/ РЯ В,ЦОме носОД8(жя!Дей пл8н«8, я временной интервал

Д8ЙСГВ /(Я г ОЛЯ . (,:-,8(88!-(!1а i! 06ВЫ(!!38:. в!! мен :- ";A и(-(т/,Овал Яействия и:."-i "льсПРОСТРаНСТ. 8HHG !»80ЦНОГ ОД(":СГ, М.;:ГН(/: ..

" 0 ПОЛЯ /// Bt; rl!0:/!38 его„

Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для выявления дефектных накопительных регистров при контроле запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при измерении динамических параметров материалов с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях /ВБЛ/

Изобретение относится к вычислительной .технике и может быть использовано для считывания информации из запоминающих устройств на цилиндрически-х магнитных доменах со смежными рабочими и компенсационными детекторами доменов Цель изобретения - повышение надежности за счет интегрирования считанного сигнала и разностного считывания данных Устройство для считывания информации из доменной печи содержит мостовую схему 1, образованную рабочим 2 и компенсационным 3 детекторами доменов и первым и вторым токозадающими элементами 4 и 5, разделительные элементы 63 7 в виде конденсаторов, блок 8 усилителей считывания , интеграторы 9, 10, компараторы 11-14, элементы ИЛИ 15, 16, триггер 17, источник 18 порогового напряжения и ключи 19-22 питания

Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к устройствам для измерения частоты вращения шпинделей хлопкоуборочных машин

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспортеров

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях /ВБЛ/

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх