Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений

 

l63759

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

OeNo Сеевтенн1

Вецнелнетннвенне

Реенублне

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 40д, 1/30

Заявлено 24.VI.1963 (М 843679/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК С 22(УДК

Квмнтет пе aeneas неееретвннй н етермтнй ерн Oeeete Мнннетрее

Опуб.тиковаио 28.V.1969. Бюлл..тень № 18

Заявитель

Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов

АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ЗОННОЙ

ОЧИСТКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ РАЗЛАГАЮЩИХСЯ

СОЕДИ Н ЕН И й

В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихся соединении з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение, Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пру>кина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним электродвигателем — струной, проходящей через уплотнение, Это дает возможность попользовать для перемещения контейнера электродвигатель малой мощности и улучшить герметизацию корпуса, что обеспечивает постоянное давление инертного газа.

11а чертеже представлен общий вид аппарата.

В полости корпуса установлен графитовый цилиндрический нагреватель 2, для теплоизоляции которого служит система экранов 3. Контейнер 4 с соединением жестко связан с поршнем 5, установленным в направляющей полости б. Поршень поддерживается спиральной пружиной 7 и связан с внешним электродвигателем (не показан) тонкой металлической струной 8, проходящей через уплотнение 9, Подвод электроэнергии низкого напря>кения к нагревзтелю производится через корпус и,токоввод /О.

В случае, когда в процессе кристаллизации

5 расплава необходим резкий температурный градиент, контейнер с всществом, поддерживаемый пружиной, опускают с помощью струны из нагревателя через высокотемпературную зону в вго нижнем конце в направляю10 щую полость. Г1ри многократном повторении процесса кристаллизации без разгерметизации системы контейнер возвращается в исход1 ное поло>кение силой раз>кимаемой пружины.

Если после кристаллизации расплава нсоб15 ходимо медленно снижать температуру, направляющая полость может быть расположена в верхней части а ппарата, причем контейнер опускается иэ направляющей полости в нагреватель через высокотемпературиую зону

3) в,верхнем его конце за счет распрямления сжатой пружины, а скорость протяжки регулируется пут ем отпускания натянутой струны.

Предмет изобретения

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихся соединений из расплава под давлением инертного газа, состоящий из корпуса, в

ЗО полости которого установлен нагреватель и

I63759 ю Эю г диЕаеелю

Составитель Т. Фирсова

Редактор В, Липатов Тсхрсл Г. П. Курилко Корректор Н. В. Дятлова

Заказ 1598, l Тираж 4ВО 11олннсноа

ЦИИИГ1И Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 помещен контейнер с соединением, и внешне. го электродвигателя, отличающийся тем, что, с целью уменьшения мощности электродвига1еля и лучшей герметизации корпуса, он выполнен с направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и соверц з ° ющий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с электродвигателем — струной, проходящей

5 через уплотнение.

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх