Статический триггер на полупроводниковых триодах

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских оциалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21.XII.1962 (№ 809449/26-24) Кл. 42п>, 14os

21а, 36» с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Ci 06f

1 03k

УДК 681.142; 621.374 (088.8) Опубликовано 041.1965. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 18.II.1965

Авторы изобрегения

Б. О. Ольхов и О. С, Потураев

Заявитель

СТАТИЧЕСКИЙ ТРИГГЕР

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДАХ

Известны статические триггеры на полупроводниковых триодах с трансформаторными входами установки «О» и «1», содержащие входные усилители-формирователи и выходные диодно-трансформаторные вентили.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что оно снабжено развязывающими ключевыми каскадами, подключенными к управляющим потенциальным входам циодно-трансформаторных вентилей и управляемыми триггером как по базе, так и по коллектору ключевых триодов и независимо от триггера входными установочными усилителями-формирователями.

Это обеспечивает увеличение нагрузочной способности и быстродействия триггера.

На чертеже приведена принципиальная схема предложенного устройства.

Устройство состоит из статического триггера 1, диодно-трансформаторных вентилей (ВДТ) 2, импульсных усилителей-формирователей 8 и развязывающих ключевых каскадов 4.

Ключевые каскады 4 управляются в потенциальном режиме как по входу (базам), так и по выходу (коллекторам) с триггера 1, и в импульсном режиме по входу (базам) с усилителей-формирователей 8, Схема ВДТ 2 подключена своим потенциальным входом к выходу ключевого каскада.

Подписная группа № 174

При высоком потенциале на триггере 1 (близком к уровню «земли») схема ключевого каскада 4 закрыта положительным смещением от источника 5 (напряжение + Еб), 5 ключевой триод представляет собой бесконечно большое сопротивление, и цепь тока для импульса опроса, приходящего на вход схемы ВДТ 2, оказывается разомкнутой.

При низком разрешающем потенциале на

10 триггере 1 (близком к — Ек) схема ключевого каскада открыта, сопротивление насыщенного ключевого триода мало, и импульс опроса передается на выход схемы ВДТ.

На импульсные входы ключевых каскадов

15 4 поступают сигналы, форсирующие переброс схемы. Если работает усилитель-формирователь, закрывающий ранее открытый триод одного из плеч триггера, то с него подается через цепь сопротивление б — диод 7 отрица20 тельный сигнал на отпирание ключевого триода, связанного с этим же плечом триггера, а через соответствующий диод 8 — положительный сигнал на запирание ключевого триода, связанного с противоположным плечом

25 триггера.

Поступающие на входы ключевых каскадов импульсы переводят их в новые состояния еще до момента окончания перебрасывания триггера.

50 Для снижения времени отпирания закрыто107353 го ключевого каскада до величины времени запирания открытого введены токоограничивающие сопротивления 6. При этом не сказывается явление накопления в ключевых каскадах при многократном подтверждении открытого состояния.

Запиpaние открытого триода клtoчевого каскада происходит с задержкой, обусловленной режимом насыщения открытого триод

Кроме сигнала на запирапие ранее открытого триода триггера, с импульсного усилителя-формирователя через цепь сопротивление 9 — диод 10, аналогичную цепи сопротивление 6 — диод 7, подается форсирующий отрицательный сигнал.

Смена управляющего потенциала с низкого разрешающего на высокий запрещающий на входе ранее открытого ключа происходит практически за время переднего фронта импульса с усилителя-формирователя. По окончании переходного процесса в триггере 1 управляющие потенциалы с него поддерживают схемы ключевых каскадов 4 в тех состояниях, в которые они были переведены импульсными сигналами, Ключевой каскад для триггера 1 является лишь небольшой статической нагрузкой и полностью изолирует триггер от реакции на импульсы опроса.

В открытом состоянии ключевой каскад может пропустить в импульсе ток нескольких схем ВДТ.

Для предотвращения появления помех на выходе схем ВДТ при закрытых ключевых каскадах из-за наличия емкости нагрузки в виде большого числа схем ВДТ, подключенных к одному ключевому каскаду, введена цепь сопротивление 11 — — диод 12, передающая короткий отрицательный фронт в коллектор триода ключевого каскада с выхода противоположного плеча триггера. При этом обеспечивается смена напряжений в коллекторе ключевого триода с уровня, олизкого к потенциалу «земли», до уровня, близкого к

10 — Ек.

Вследствие переключения ключевого каскада большими токами от установочного усилителя-формирователя, время выхода ключевого триода из насыщения не превосходит, а в

l5 случае значительной емкостной нагрузки оказывается даже меньше времени прохождения рабочей точки триода активной области.

Предмет изобретения

20 Статический триггер на полупроводниковых триодах с трансформаторными входами установки «0» и «1», содержащий входные усилители-формирователи и выходные диоднотрансформаторные вентили, отличающийся

25 тем, что, с целью увеличения нагрузочной способности и быстродействия, он снабжен развязывающими ключевыми каскадами, подключенными к управляющим потенциальным входам диодно-трансформаторных вен30 тилей и управляемыми по коллекторам ключевых триодов с потенциальных выходов соответствующих плеч триггера через последовательно соединенные диод и сопротивление, а по базам — с противоположных плеч триг35 гера через RC-цепочки, при дополнительном управлении по базам импульсами на включение и выключение через диоды с трансформаторов входных усилителей-формирователей.

167353

Составитель Л. Захарова

Редактор П. Шлаин Техред А. Кудрявицкая Корректор Т. С. Дрожжина

Заказ 66. 3 Тираж 900 Формат бум. 60+90ig8 Объем 0,27 изд. л. Цена 5 коп.. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Статический триггер на полупроводниковых триодах Статический триггер на полупроводниковых триодах Статический триггер на полупроводниковых триодах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх