Способ калибровки источника магнитного поля

Авторы патента:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке источников магнитного поля, применяемых при измерении динамических параметров доменосодержащих магнитных пленок. Целью изобретения является повышение точности калибровки. Предлагаемый способ включает воздействие на доменосодержащую магнитную пленку постоянным магнитным полем смещения и противоположно направленным ему импульсным магнитным полем, создаваемым импульсным перемагничивающим устройством, векторы напряженности которых перпендикулярны плоскости магнитной пленки, причем величина напряженности магнитного поля смещения H<SB POS="POST">см</SB> больше значения поля насыщения магнитной пленки, освещение магнитной пленки в области воздействия импульсного поля плоскополяризованным светом, преобразование прошедшего через магнитную пленку или отраженного от нее света в электрический сигнал фотодетектора, пропорциональный фазе поляризации и интенсивности светового потока, регистрацию амплитуды тока I<SB POS="POST">о</SB> в импульсном перемагничивающем устройстве, при которой электрический сигнал фотодетектора составляет половину амплитуды этого сигнала при отсутствии импульсного магнитного поля, построение зависимости I<SB POS="POST">о</SB> от H<SB POS="POST">см</SB> и определение по наклону этой зависимости калибровочного коэффициента. Способ обеспечивает высокую точность калибровки импульсного перемагничивающего устройства, которая определяется главным образом высокой точностью калибровки источника магнитного поля смещения.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4622227/24-24 (22) 19.12.88 (46) 30.10.90. Бюл. ¹ 40 (75) М.В.Логунов и В.В.Рандошкин (53) 681.327.066 (088.8) (56) AlP Conf..Proc., 1973, Vol. 10, р. 344.

Appl. Phys., 1983, Vol. 54, № 6,.р, 3370. (54) СПОСОБ КАЛИБРОВКИ ИСТОЧНИКА

МАГНИТНОГО ПОЛЯ (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке источников магнитного поля., применяемых при измерении динамических параметров доменосодержащих магнитных пленок. Целью изобретения является повышение точности калибровки. Предлагаемый способ включает воздействие на доменосодержащую магнитную пленку постоянным магнитным полем смещения и противоположно направленным ему импульсным магнитным полем, создаваемым импульсным перемагничивающим устройством, векторы напряженности которых перпендикулярны

Изобре1ение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке источников магнитного поля, применяемых при измерении динамических параметров доменосодержащих магнитных пленок.

Целью. изобретения является повышение точности калибровки.

Предлагаемый способ калибровки заключается в следующем.

Доменосодержащую пленку помещают в импульсное перемагничивающее устрой». Ы,„1603436 А1 плоскости магнитной пленки, причем величина напряженности магнитного поля смещения Н«больше значения поля насыщения магнитной пленки, освещение магнитной пленки в области воздействия импульсного поля плоскополяризованным светом, преобразование прошедшего через магнитную пленку или отраженного от нее света в электрический сигнал фотодетектора, пропорциональный фазе поляризации и интенсивности светового потока, регистрацию амплитуды тока Ip в импульсном пере- магничивающем устройстве, при которой электрический сигнал фотодетектора составляет половину амплитуды этого сигнала при отсутствии импульсного магнитного по.ля, построение зависимости .loот Н«и . определение по наклону этой завиеимости калибровочного коэффициента. Способ обеспечивает высокую точность калибровки импульсного перемагничивающего устройства, которая определяется главным образом высокой точностью калибровки источника магнитного поля смещения . ство, являющееся калибруемым источником магнитного поля и выполненное, например, на основе миниатюрных катушек Гельмгольца. Пленку вместе с импульсным перемагничива.ющим устройством помещают в магнитное поле смещения, создаваемое, например, соленоидом, Величину магнитно-. го поля смещения можно изменять, устанав, ливая заданный ток в соленоиде. Магнитное поле смещения и импульсное магнитное поле направлены противоположно и перпендикулярно плоскости магнитной пленки.

1603436

Составитель Г.Аникеев

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор В.Гирняк

РеДактор А.Лежнина

Заказ 3389 Тираж 486 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Пленку в области воздействия импульсного. поля освещают плоскополяризованным светом, который проходит через магнитную пленку и прозрачную гранатовую подложку, анализатор поляризации и поступает в фо- 5 тодетектор, где преобразуется в электриче,ский сигнал. Величина электрического сигнала фотодетектора пропорциональна интенсивности света. прошедшего через анализатор, которая зависит от соотноше- 10 ния площадей областей пленки с намагниченностью, совпадающей с направлением поля смещения и противоположной ему (на основании эффекта Фарадея). Для различных значений напряженности магнитного 15 поля смещения Н«, которые выбирают большими, чем поле насыщения магнитной пленки, регистрируют амплитуду тока Io в импульсном перемагн ичивающем устройстве, при которой электрический сигнал фото- 20 детектора составляет половину амплитуды этого сигнала при полном перемагничивании доменосодержащей пленки. Эта амплитуда соответствует размагниченному состоянию магнитной пленки, при котором 25 импульсное поле полностью компенсирует поле смещения. Строят зависимость величины тока Io от соответствующих значений

Нс и по наклону графика этой зависимости находят" калибровочный коэффициент им- 30 . пульсного перемагничивающего устройства.

Предлагаемый способ обеспечивает высокую точность калибровки импульсного перемагничивающего устройства, которая 35 определяется главным образом высокой точностью калибровки источника магнитного поля смещения.

Формула изобретения

Способ калибровки источника магнитного поля, включающий воздействие на доменосодержащую магнитную пленку постоянным магнитным полем смещения и импульсным магнитным полем, создаваемым источником магнитного поля, векторы напряженности которых перпендикулярны плоскости магнитной пленки, освещение магнитной пленки в области воздействия импульсного магнитного поля плоскополяризованным светом, преобразование прошедшего через магнитную пленку или отраженного от нее света в электрический сигнал, пропорциональный интенс; .ности поляризованного светового потока, о т л ивЂ” ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности калибровки магнитного поля, воздействие на доменосодержащую магнитную пленку осуществляют полем смещения

Нс, большим, чем значение поля насыщения магнитной пленки, а направление импульсного магнитного поля противоположно направлению магнитного поля смещения, регистрируют максимальную амплитуду Амакс электрического сигнала, соответствующего полному перемагничиванию доменосодержащей пленки, и амплитуду тока Io в источнике магнитного поля, при котором электрический сигнал равен

Ардис/2 ч, строят зависимость величины тока Io от H«и по наклону этой зависимости находят калибровочный коэффициент ис-: точника магнитного поля.

Способ калибровки источника магнитного поля

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств с высокой информационной емкостью

Способ определения динамических характеристик вертикальных блоховских линий // 1596391

Изобретение относится к магнитной микроэлектронике и может быть использовано при создании накопителей запоминающих устройств, в к-рых в качестве носителя информации применяют вертикальные блоховские линии /ВБЛ/

Формирователь управляющих токов для доменной памяти // 1594602

Изобретение относится к вычислительной технике

Способ изготовления накопителей информации на цилиндрических магнитных пленках // 1594601

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Магнитный доменный компрессор // 1594600

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих и логических устройств, носителями информации в которых являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД)

Устройство для контроля доменной памяти // 1587599

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования кодовых последовательностей при контроле доменной памяти

Магнитооптический носитель информации // 1587584

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических устройств хранения и обработки информации

Запоминающий модуль // 1587583

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Способ оптической регистрации магнитных доменов и устройство для его осуществления // 1571674

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и исследовании доменных запоминающих устройств

Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке // 1569900

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении ЗУ на ЦМД на основе ионно-имплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)