Способ получения структур диэлектрик - арсенид индия

Авторы патента:

H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев

Способ получения структур диэлектрик-арсенид индия, включающий химическую обработку подложек арсенида индия, размещение их в кварцевом реакторе плазмохимической установки, откачку реактора, плазмохимическое осаждение слоев диоксида кремния и нитрида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, напряжения гистерезиса высокочастотных вольт-фарадных характеристик и увеличения времени темновой релаксации неравновесной емкости, перед плазмохимическим осаждением слоев в камере активации формируют поток химически активных частиц путем зажигания ВЧ-разряда с удельной мощностью 5 - 10 Вт/см³ при суммарном давлении газовой смеси закиси азота и четырехфтористого углерода 0,3 - 5,0 Торр и соотношении величин потоков CF₄/N₂O = 1/120 - 1/50, после чего обрабатывают подложки при температуре 20 - 250^oC в реакторе потоком химически активных частиц при суммарной величине потока газовой смеси 10 - 60 мл/мин в течение 5 - 20 мин.

Способ определения функции близости в электронной литографии // 1593516

Способ изготовления хромовых шаблонов // 1577555

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Способ сушки слоя фоторезиста на подложке и устройство для его осуществления // 1572337

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Метка совмещения на подложке из арсенида галлия для электронной литографии // 1567030

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Способ получения рельефа на полупроводниковой подложке // 1565302

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем // 1563516

9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо[ @ ]феноксазин-5- дицианметилен в качестве термонапыляемого фоторезиста для сухой литографии // 1556076

Изобретение относится к гетероциклическим соединениям, в частности к 9-диэтипамино-3-метакрилоилокси-5Н- бензо а феноксазин-5-дицианметилену, который может использоваться в качестве термонапьшяемого фоторезиста для сухой литографий

Способ формирования знаков совмещения на полупроводниковой подложке // 1552940

Способ обработки диэлектрических пленок борофосфоросиликатного стекла // 1549411

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ формирования фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины // 2111576

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения покрытий из фоторезиста // 2136077

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ получения покрытия из фоторезиста и устройство для его осуществления // 2158987

Способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений а3в5 // 2168237

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов