Туннельный диод
ОПИСАНИЕ l7I923
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 25.111.1964 (№ 890062/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 22Х1.1965. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 21 VII.1965
Кл. 21g, 11 о
Государотвекный комитет ло делам изобретений и открытий СССР
МПК Н Oll
УДК 621.382 (088.8) Автор изобретения
Л. А. Логунов
Заявитель
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
Подписная гру та М 97
Известны туннельные диоды, выполненные в виде спаев металл — германий — стекло — германий — металл, в которых меза-структура расположена сбоку конструкции. Известные конструкции содержат два слоя германия, что увеличивает индуктивность прибора, а вьгполнение меза-структуры сбоку устройства не обеспечивает ее достаточной механической п р оч ности. .Предложенный туннельный диод отличается от известных тем, что спаи металла, стекла и германия выполнены таким образом, что меза-структура прибора расположена внутри кольцевого спая германия со стеклом, что позволяет уменьшить емкость и индуктивность устройства, а также повысить механическую прочность меза-структуры.
На чертеже изображен предложенный туннельный диод.
На кольцевой гластине 1 германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт
2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 8 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4. Сплав 5, образующий р — n-переход прибора, расположен внутри германиевой пластины 1 и имеет контакт с металлической пластиной 4.
Изготовить структуру можно следующим образом: на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10 — 60 ик) стеклянную прослойку при температуре около 800 †9 С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с германием. Позолотив полученный «сандвич» с обеих сторон, нарезают его на отдельные кристаллы, при этом одновременно (или после этой операции) в каждом кристалле одним из известных методов прошивают отверстие до металлической пластины. Б отверстие забрасывают кусочек сплава, образующего при вплавлении р — n-переход с германиевой пластиной и контакт с металлической пластиной.
Предмет изобретения
Туннельный диод на основе германия, мезаструктура которого крепится на многослойной констркуции в виде спаев металл — герма20 ний — стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости и индуктивности устройства и повышения механической прочности меза-структуры, диод состоит из кольцевой пластины германия, с одной стороны которой
25 создан кольцевой омическнй контакт, с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку припаяна металлическая пластина, а сплав, образующий р — а-переход прибора, расположен внутри германиевого коль30 ца и имеет контакт с металлической пластиной.
f71923
Составитель T. И. Петрикова
Техред Ю. В. Баранов
Корректор В. Н. Маркова
Редактор Н. С. Коган
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 1545j6 Тираж 1575 Формат бум, 60 90 /з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 кон.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
