Туннельный диод

Авторы патента:

H01L29/88 - туннельные диоды

2I9702

Союз Советских

Социалистических

Республик,;|: -,схнн чесю з .пнатека М®.к

Зависимое от авт. свидетельства Л "

Кл. 21g, 11/02

Заявлено 06.VI I.1964 (№ 910600/26-25) с присоединением заявки №

МПК H 01!

УДК 621.382,232(088.8) Приоритет

Опубликовано 14.VI,1968. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания ЗОХ111.1968

Комитет по делам изобретений и открытий при Соввтв Министров

СССР

Авторы изобретения

Л. М. Зубков и С. Г. Мадоян

Заявитель

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД

Предмет изобретения

Туннельный диод на основе арсенида галлия р-типа проводимости, от.шbQlonzlzHcл тем, что, с цель1о уменьшения ширины запрещенной зоны материала, образующего область и-типа проводимости, и повышения стабильности параметров прибора, зона и-типа проводи . oñòn диода выполнена из соединения типа

Ga<,,> In„As.

Известны туннельные диоды, выполненные на основе сильно легированного арсенида галлия р-типа проводимости, в которых в качестве электродного материала, образующего область а-типа проводимости, служит, например, сплав олова с индием.

Известные туннельные диоды имеют недостатсчно стабильные параметры, при рабо1е на диффузионном участке вольтамперной ха- 10 рактеристики они быстро меняют характеристики.

Предложенный туннельный диод, выполненный на основе арсенида галлия р-типа проводимости, легирова.нного цинком, отличается от известных тем, что зона и-типа проводимости

его образована соединением типа Ga >,1 in, As, ширина запрещенной зоны которого меньше, чем у арсенида галлия.

Таким образом, благодаря этому уменьшается ширина запрещенной зоны материала, образующего область и-типа проводимости, и значительно повышается стабильность и"-.ðûметров приборов.

Способ получения ариловых эфиров р-алкокси- и р- алкилтиоэтансульфокислоты // 181093

Полупроводниковый стабилитрон // 176988

Туннельный диод // 172404

Туннельный диод // 171923

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода // 148143

Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор // 139015

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Высокочастотный туннельный диод // 263044

Туннельный диод // 1003701

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике

Устройство с туннельным переходом // 1598780

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах

Датчик температуры // 1810931

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров // 2548395

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов. Технической задачей является повышение точности определения концентрации наночастиц в аморфных средах любой природы путем уменьшения влияния фоновых токов на результат измерения. Поставленная задача решается тем, что создается измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и слоя исследуемого материала между ними, полученная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду, в которой фоновые токи достигают своего минимального значения и не оказывают существенного влияния на результат измерения, затем измерительная ячейка включается в цепь и снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются значения резонансных потенциалов и соответствующие им значения резонансных токов, далее полученные значения резонансных потенциалов сравниваются с базой данных резонансных потенциалов известных наночастиц и осуществляется идентификация наночастиц в исследуемом материале, затем готовится эталонный образец материала с низкой концентрацией идентифицированных наночастиц, формируется измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и эталонного материала между ними, полученная эталонная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду и включается в цепь, после чего снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются резонансные потенциалы и соответствующие им значения резонансных токов, на основании полученных значений резонансных токов в исследуемом и эталонном образцах, а также известного значения концентрации в эталонном образце рассчитывается концентрация наночастиц в исследуемом образце.