Туннельный диод
l72404
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Сог иалистице=ких
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 2 1 g, 110
3",ÿâëåíî 25.111.1963 (¹ 827247/26-25) с присоединением заявки ¹
Государотвекиый комитет по делам иаобРетений и от.,".=ь!Т-ий СССР
ЧПК Н Oil
УДК 621.3S2.232 (088.S) Приоритет
Огубликогано 29Л 1.1955. Бюллетень ¹ 13
Дата опублнкова III> описания 25Х111.1965
Лвтор изооретепия
П. Б. Константинов
Заявитель
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД с р — и-пepeхoдoх! 2 заключен в керамическую оболочку 8, к которой прнплавлены верхний и нижний контактные выводы 1 и 5 прибора с напая1шой на верхн1ш вывод 1 крышкой 6.
Верхний вывод 4 прибора выполнен в виде кольца с язычком 7, загнутым под углом, например, 90 .
Кристалл 1 полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и прнплаВленный и нп:кием Вывод! 5 Ilpl160pa, обработан таким образом, что между его боковой гранью 8 и язычком 7 создан зазор переменного сечения.
Электродный материал 9, образуюн(пш р—
15 tl-переход 2 на боковой грани 8 кристалла 1, имеет одновременно контакт с язы !ком /.
Туннельный диод, например. на основе германия, заключенный в керамическую оболочку, к которой прпплавлены верхшш н нижний контактные выводы прибора с напаянной
25 на верхний вывод крышкой, От.1ича!ОН1ай ся тем, что, с целью увеличения частотного предела, снижсння пндуктнвностн корпуса и упрощения технолопш пзготовлеш1я, Верхний вывод прибора выполнен в виде кольца с
30 язычком, зап;утым под углом, например, 90, Пос7п п сиая груп и а ЛБ 97
Известны туннельные диоды, выполненные, например, на основе германия, заключенные в керамическую оболочку с металлическими кон1тактшями выводами различной конфигурац;1:1, при п 7;i!!.101111 I il li к KQp 3 M I IIIe 060.!I 0 Кп.
Однако такое их конструктивное исполнение не позво "ÿåò автоматизировать процесс изготовления приборов с одновременным снижением паразитнои индуктивности корпуса и уменьшением площади р — а-перехода.
Отличие предложенного туннельного диода в том, что верхнп11 вывод прибора выполнен
В Виде ко;IьцB с язы 1ком, загнутым, под углом, например, 90", а кристалл полупроводннков01о материала установлен в корпусе и оораоотан таким 06p230ill, что между его ООковой гранью и язычком верхнего вывода создан "-азор переменного сечения, при этом электродный матсриал, образуя р — п-переход на боковой гр- I кристалла, имеет одновременно ко:!такт с язычком верхнего вывода прибора.
Такое выполнение диода позволяет увеличить частотнь:й предел прибора, снизить индуктивность корпуса и упростить технологию егÎ изготовления, что позволит автоматизировать технологический процесс.
На чертеже изображена конструкция туннельного диода.
Кристалл 1 полупроводникового материала
Предмет нзобр етен и я
d кристалл полупроводникового материала установлен в корпусе и обработан таки»l образом, что между его боковой гранью и язычком верхнего вывода создан зазор переменного сечения, llpH этОм эл<-. ктродный матi. риал, образуя р — а-переход на боковой грани кристалла, имеет одновременно контакт с язычком верхнего вывода прибора.
Соt Teee "cee T 11 АсТрН<<оее
Редактор Ь. А. Шнейдерман Т<крсд А. Л. Камы<виикова Корректор О. И. Попова
Заказ 2094j4 Тираж 1575 Формат бум. 60;. 90 /g Объем О,l изд. л. Це.<а 5 коп.
ЦНИИПИ Государствеи1<ото комитета по делам пзобрстсиий и открытий СССР
Москва, Цситр, пр. Серова, 4
Типо;ра<рия, ир. Сапунова, 2
