Способ получения кристаллов синтетическойслюды

 

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимос от авт. свидетельства №

Кл, 12с, 2

Заявлено 06,|.|964 (№ 874904/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.Х.1965. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 4.IV.1966

МПК В Old

УДК 66,065.5(088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий ври Совете Министров

СССР

ВСЕГО э,, А,":1

Авторы изобретения

И. Н. Аникии и Е. Е. Кочеткова

Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОЙ

СЛЮДЪ|

Предм ет изобретения

Подпасная группа № 39

Известен способ получения кристаллов синтетической слюды из расплава шихты, содержащей калиевый полевой шпат, окись и фторид магния, в защитной среде водорода в железных тиглях. При этом получают слюду, загрязненную железом и его окислами, что снижает диэлектрические свойства слюды и ограничивает ее применение.

Предлагаемый способ состоит в том, что синтез ведут в условиях, исключающих присутствие влаги и воздуха, в специально обработанном и герметизированиом путем сварки железном тигле, при наличии систем замера и регулирования давления п подачи инертного газа в процессе опыта.

После механической очистки внутренних стенок удаляют пыль тампоном, смоченным спиртом, и просушивают при температуре 60—

70 С. Загружают шихту, состоящую из ортоклаза, периклаза и фтористого магния, с величиной зерен 0,05 — 1 л л, с содержанием окислов железа и влаги не более 0,1 ф

0,01% соответственно.

Для удаления большей части имеющихся в объеме тигля воздуха и влаги в период загрузки шихты производят неоднократное вакуумировапие с последующим заполнением осушенным и очищенным от кислорода газом (аргоном, азотом). Тигель в процессе вакуумироваиия прогревают до 120 — 150 С.

После заполнения тигля шихтой и газом, сго закрывают крышкой, изготовленной в виде плоской тарелки с высоким бортом, по верхнему краю которого производят сварку, обе=печпвающую герметизацию тигля. Шихту оасплавляют, выдерживают для гомогенизации расплава, а затем в донной части тигля устанавливают температуру иа 3 — 5 С выше температуры кристаллизации и ведут синтез

10 обычным методом в среде водорода. Кристаллизацию ведут, ие допуская перегрева расплава шихты более 25 С.

Способ позволяет упростить технологию и получать кристаллы с высокими диэлектриче.

15 скими свойствами.

1. Способ получения кристаллов синтети20 ческой слюды из расплава шихты, содержащей калиевый полевой шпат, окись и фторид мапшя, в железном тигле в печах сопротивления с водородной защитной средой, отличаюи|ийся тем, что, с целью упрощения тех25 иолопш и получения кристаллов с высокими диэлектрическими свойстгами, практически без примеси железа, кристаллизацию ведут и герметичном тигле, внутреннюю поверхность которого предварительно очищают от окали30 ны, промывают спиртом, просушивают, а за175480

Составитель Т. И. Ухорская

Техред Ю. В. Баранов Корректоры: С. Н. Соколова и О. Б. Тюрина

Редактор И. Г. Карпас

Заказ 1050/2 Тираж 900 Формат бум. 60)<90 /в Объем 0,1 изд. л, Подписное

ЦНИИПИ Государстьенного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 тем загружают при нагревании и неоднократном вакуумировании с последующим заполнением объема осушенным и очищенным от кислорода аргоном или азотом, шихтой, не содержащей гигроскопичных растворимых в годе легкоплавких компонентов, причем окись магния вводят в шихту в виде кристаллического периклаза.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут, не допуская перегрева расплава шихты более 25 С.

Способ получения кристаллов синтетическойслюды Способ получения кристаллов синтетическойслюды 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике
Наверх