Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках

 

Изобретение относится к производству л измерениям резистивных пленок на диэ- .лектрической подложке и может быть использовано при определении качества резистивных пленок, используемых в производстве тонкопленочных резисторов, после напыления их в вакууме на диэлектрические подложки. Целью изобретения является повышение точности контроля качества. Изобретение включает напыление и термообработку резистивной пленки на диэлектрической подложке, измерение ее температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и определение качества по результату сравнения результатов измерений с эталоном. Отличием изобретения является дополнительное измерение ТКС до термообработки и сравнение с эталоном величины , равной разности ТКС, измеренных после и до термообработки.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4726054/21 (22) 31.07.89 (46) 30,12,91. Бюл. N 48 (72) В,Ф.Ряхин (53) 620.179(088.8) (56) Бочкарев Б.А, и Бочкарева В.А. Керметные пленки. Л.: Энергия, 1975, с. 5 — tO, 103—

113. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК HA ДИЭЛЕКтРИЧЕ

СКИХ ПОДЛОЖКАХ (57) Изобретение относится к производству и измерениям резистивных пленок на диэлектрической подложке и может быть использовано при определении качества

Изобретение относится к измерению резистивных пленок на диэлектрической подложке и может быть использовано при определении качества резистивных пленок, используемых в производстве тонкопленочных резисторов, после напыления их в вакууме на диэлектрические подложки.

Целью изобретения является повышение точности контроля качества.

Способ изготовления и контроля качества резистивных пленок на диэлектрической подложке осуществляют следующим образом.

После напыления в вакууме керметного резистивного материала на диэлектрические подложки, капример на цилиндрические керамические основания резисторов, из изготовленной партии заготовок делают выборку для определения качества полученных пленок, Для этого сначала определяют

ТКС пленок до термообработки. Определение ТКС проводят, как обычно, в интервале температур от+25 до+125 С. Для этого сна„„Я.) „„1702270 А1 (я)ю G 01 N 24/00, Н 01 С 17/00 резистивных пленок, используемых в производстве тонкопленочных резисторов. после напыления их в вакууме на диэлектрические подложки, Целью изобретения является повышение точности контроля качества. Изобретение включает напыление и термообработку резистивной пленки ка диэлектрической подложке, измерение ее температурного коэффициекта сопротивления (ТКС) и определение качества по результату сравнения результатов измерений с эталоном. Отличием изобретения является дополнительное измерение ТКС до термообработки и сравнение с эталоном величины, равной разности ТКС, измеренных после и до термооб работки, чала проводят измерение сопротивления заготовок Rl, армированных контактными узлами, при комнаткой те .пературе+25 С, а затем нагревают их до температуры на

100 С выше комнатной, т.е, до +125оС, и проводят второй замер сопротивления R2, а затем по формуле определяют ТКС: 2 R1

ТКС = T = (Тнагр Ткомнат) в1 Т

Эту же или другую выборку образцов из изготовленной партии термообрабатывают при температуре (50-350 С.

Проводить термообработку и редпочти-.

:тельно при температурах 150-350 С, так как при увеличении температуры до 400"С и выше разница между значениями ТКС пленок с хорошей адгезией и с неудовлетворительной будет уменьшаться, т,е. чувствительность способа будет снижаться.

После термообработки пленок снова определяют ТКС аналогичным образом, Затем сравнивают значение ТКС пленок до термообработки и после термообработки. Чем

1702270

Составитель В. Ежов

Редактор Т. Лошкарева Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор, М. Демчик

Заказ 4539 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская йаб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 больше разница между этими значениями

ТКС, тем хуже качество пленки — пленка более рыхлая и имеет худшую адгезию к подложке. И наоборот, чем меньше эта разница, тем более качественная пленка получена. Для удобства численного выражения качества пленки можно определять его по формуле:

ТКС до T4 -TKC T4

Кк.р.п.

10 1/о С где Кк.р.п. — коэффициент качества резистивной пленки;

ТКС до т/о — температурный коэффициент сопротивления резистивной пленки до термообработки;

ТКС т/о — температурный коэффициент сопротивления резистивной пленки после тепмообоаботки.

Чем меньшее значение Кк.р.п. получается, тем более качественная пленка получена при напылении, т.е. она имеет высокую плотность и адгезию к подложке.

Формула изобретения

Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках, включающий измерение сопротивления ре5 зистивной пленки на диэлектрической подложке в диапазоне температур и определение ее температурного коэффициента сопротивления (ТКС) по результатам измерения, сравнение определенной вели10 чины ТКС с эталонной и определение степени качества реэистивной пленки на диэлектрической подложке, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности контроля качества, дополнительно

15 проводят измерение сопротивления резистивной пленки на диэлектрической подложке до ее термообработки, а в качестве величины ТКС, сравниваемой с эталонной величиной, используют величину, равную

20 разности между величинами ТКС до и после термообработки резистивной. пленки на диэлектрической подложке.

Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству радиодеталей и может быть использовано для нанесения оловянноциккового припоя на заготовки конден

Изобретение относится к оборудованию для изготовления керамических радиотехнических изделий, преимущественно конденсаторов и резисторов
Изобретение относится к производству элементов радиоэлектронной аппаратуры, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов на поверхности керамических подложек белого цвета

Изобретение относится к производству радиоэлементов и может быть использовано для зачистки выводов оксидно-полупроводниковых конденсаторов от продуктов обработки и защитного покрытия

Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства электрорадиоэлементов, а именно для изготовления проволочных резисторов с аксиальными выводами

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления мощных резисторов и нагревательных элементов

Изобретение относится к технике ядерного магнитного резонанса, функционмрующего на основе спинового эха

Изобретение относится к области исследования закономерностей ассоциации органических молекул в растворах, а точнее к способу определения энантиомерного состава смесей оптических изомеров методом ядерного магнитного резонанса

Изобретение относится к технике ядерного магнитного резонанса, функционирующей на основе спинового эха (СЭ)

Изобретение относится к физико-химическому анализу органических соединений методом ЭПР и может быть использовано для экспресс-контроля качества этанольных экстрактов торфяных битумов Целью изобретения является снижение трудоемкости и ускорение контроля Контроль экстрактов основан на регистрации спектров ЭПР и определении параметров сигнала ЭПР По совокупности параметров судят о качестве экстракта, а именно о соответствии техническим условиям и рассчитывают физико-химическиехарактеристикипо соответствующим уравнениям 1 табл

Изобретение относится к радиоспектроскопии и может быть использовано при исследовании структуры и свойств химических соединений

Изобретение относится к радиоспектроскопии и физике твердого тела
Наверх