Способ получения контактов к кремниевой подложке

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке. Цель изобретения повышение надежности контактов золото алюминий на кремниевой подложке. Напыляют в вакууме алюминиевую пленку, на поверхность алюминиевого слоя, не нарушая вакуума, напыляют слой меди толщиной формируют контактную площадку и проводят термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой.

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Целью изобретения является повышение надежности контактов золото-алюминий на кремниевой подложке. Данным способом были получены в условиях производства 360 диодных матриц, что соответствует 1440 контактам. Матрицы были разделены на три партии. После напыления алюминия на подложку, не нарушая вакуума, напыляли медь. Толщина слоя для первой партии 500 , для второй 2000 , для третьей 3000 . Все остальные операции изготовления диодных матриц, в том числе и режимы микросварки золотых выводов с контактными площадками, остались без изменения. Эксперименты показали, что в трех партиях матриц не оказалось ни одного негодного контакта. Полученные контакты были подвергнуты сравнительному испытанию при помощи граммометра. Результаты испытаний показали, что из 100 контактов, полученных предложенным способом, усилие 50 г выдержали все до единого, в то время как из того же количества контактов, полученных по известной технологии, усилие 50 г выдержали 90 контактов. При этом ни в одном из контактов, полученных предлагаемым способом, омическое сопротивление не было выше, чем у контакта, полученного известным способом.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000

Способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений // 1589927

Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

Устройство для создания туннельного контакта // 1585847

Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов

Способ формирования полицидных структур // 1584653

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором // 1579344

Способ создания межуровневой изоляции межсоединений больших интегральных схем // 1577617

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия // 1559975

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия

Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем // 1547611

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем

Способ изготовления силового полупроводникового прибора // 1519453

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления моп-интегральных схем // 1510627

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др