Способ изготовления золотоалюминиевых термокомпрессионных соединений

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Целью изобретения является увеличение надежности контактов. Цель достигается тем, что на контактную площадку напыляют сначала слой алюминия, а затем слой никеля толщиной 0,03 - 0,1 мкм в едином технологическом цикле.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных схем (ИС). Целью изобретения является увеличение надежности контактов. Во время формирования алюминиевой металлизации после напыления алюминия, не нарушая вакуума, напыляют слой никеля толщиной 300-1000.После этого осуществляют все последующие операции, согласно технологии, золотую проволоку диаметром 20-30 мкм приваривают к контактным площадкам. В результате термокомпрессии в системе алюминий никель могут образоваться следующие интерметаллиды NiAl3, NiAl, Ni2Al3, Ni3Al, Ni5Al. Эти интерметаллиды обладают хорошими механическими свойствами. Они прочны и пластичны. Благодаря обеспечению высокой адгезии в предлагаемом способе микросварку можно проводить V-образным инструментом с расщепленным электродом. В этом случае подложка может быть как полупроводником, так и диэлектриком. Это расширяет технологические возможности и сферу применения способа. Таким образом, в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИС, без изменения технологических операций использование промежуточного слоя никеля позволяет повысить качество и надежность приборов. Как показали экспериментальные исследования, в условиях серийного производства при использовании в качестве промежуточного слоя никеля ни разу не наблюдалось окисления и выхода промежуточного слоя во времени литографии, а микросварка получалась качественной, благодаря чему 99,6% приборов выдержали полный цикл механических и климатических испытаний.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗОЛОТОАЛЮМИНИЕВЫХ ТЕРМОКОМПРЕССИОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ, на контактные площадки полупроводниковых приборов в вакуумной установке и термокомпрессию, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, после напыления алюминия на контактные площадки напыляют слой никеля толщиной 0,03 - 0,1 мкм, не нарушая вакуума.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке

Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
Наверх