Межсоединение для сверхбольших интегральных схем

 

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d₁ и d ₂ соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

75 нм ≤ d₂.

2. Межсоединение по п.1, отличающееся тем, что в слой тугоплавкого металла введен алюминий, концентрация которого не превышает 85%.