Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем

 

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d₁ и толщина верхнего слоя d ₂ сплава удовлетворяют соотношениям:

где d₁ ≥ 0,15 мкм;

d₂ ≥ 0,1 мкм,

создание микрорисунка проводят реактивным ионным травлением в плазме BCl₃ с добавкой SiCl₄ 10-20 об.%, Cl₂ 10-15 об.%, N₂ 20-30 об.% при давлении 10-15 Па и плотности мощности 0,6-0,8 Вт/см² .

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание меди в верхнем слое сплава составляет 0,5-8 мас.%.