Способ определения температуры начала кристаллизации парафина из нефтей
Союз Советских
Сацизлистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 26Х.1965 (№ 1009912/23-26) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 15.IV,1966. Бюллетень № 9
Дата опубликования описания 31 V.1966
Кл. 42l, 13/03
МПК G 01n
УДК 542.65(088.8)
665.521.6 (088.8) Комитет по целом изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
6:, .:. ФЗ11А-"
11;! Е(1!Т110 :, y 1t 1t Ч Г,." 1,. P g
БИГЛНотЕКА! !
-1
1 !
Авторы изобретения!
И. М. Абезгауз, В. H. Балуев, Ю. В. Капырин н Г. Ф. Требин" !!
Всесоюзный научно-исследовательский нефтегазовый инстит т
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НАЧАЛА
КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПАРАФИНА ИЗ НЕФТЕЙ
Настоящее изобретение относится к способам исследования фазовых переходов тел и, в частности, к определению температуры начала кристаллизации парафина из нефтей.
Известны способы определения начала кристаллизации тел, например, визуальный, термографический, ультразвуковой и рефрактометрическии.
Однако при осуществлении визуального способа удается регистрировать температуру массовой кристаллизации парафина из нефтей, а не температуру начала кристаллизации, вследствие чего получают заниженные результаты.
При термографическом способе температуру кристаллизации парафина определяют в процессе охлаждения нефти, т. е. в заведомо неравновесном состоянии. Следовательно, в этом случае возможно получение несколько заниженных результатов.
Недостаток ультразвукового способа состоит в том, что при кристаллизации парафина из нефтей кристаллы парафина выпадают в мелкодисперсном состоянии, что вызывает трудность интерпретации. Кроме того, для выполнения способа требуется дорогостоящая аппаратура.
Недостаток рефрактометрического способа заключается в том, что высокосмолистые нефти (например, месторождения п/о Мапгышлак) обладают высокой оптической плотностью, что приводит к значительным ошибкам.
Также известен способ определения температуры начала кристаллизации парафина из
5 нефтей, по которому изменение наклона кривой оптическая плотность — температура (точ«у перехода) регистрируют в видимой области спектра.
По предложенному способу изменение на10 клона кривой оптическая плотность — температура (точку перехода) регистрируют в инфракрасной области спектра.
Это отличие позволяет заметить более ранttee значение кристаллизации, чем и достигает15 ся повышение точности определения.
Прим ер. Для получения зависимости оптическая плотность или коэффициент светопоглощения (светопропускания) — температура применяют спектрофотоколориметр, позво20 ляющий проводить определения в инфракрасной области спектра (например, марки ФМ58Н) .
Пробу с исследуемой нефтью помещают в кювету, которая термостатируется с помощью
25 воздушного или водяного термостата (например, типа ТС-15М). В аналогичную кювету помещают эталон, не претерпевающий фазовых переходов в рабочем интервале температуры. Кюветы с нефтью и эталоном термоста30 тируют при температуре выше температуры
181379 о
0 — при Л,2
1-, = 7Ямщ й-Л = У/Пмик
010
М 50
Рьг / плавления кристаллов парафина. Далее регистрируют оптические свойства нефти при понижении температуры по ступеням через 2—
5 С с выдержкой на каждой ступени. Продолжительность выдержки определяется экспериментально. На основании полученных данных строят кривую оптическая плотность — температура, по излому которой определяют температуру начала кристаллизации (при температуре начала кристаллизации отмечается резкое возрастание оптической плотности нефти).
Я з
g0 б 70
Ы
Ъ ю ф
Способ поясняется графиками (см. фиг. 1 и 2).
Предмет изобретения
Способ определения температуры начала кристаллизации парафина из нефтей по изменению наклона кривой оптическая плотность температура, отличающийся тем, что, с целью
10 повышения точности определения, точку перехода регистрируют в инфракрасной области спектра.
Д25 Я ь
0,Ю
«з
<)
И5
181379 бО б
Уь l
Составитель В. Г. Постыляков
Редактор Н. П. Белявская Техред А. А, Камышникова Корректоры: Т. H. Костикова и С. Н. Соколова
Заказ 1282)16 Тираж 1175 Формат бум. 60;к, 90 /з Объем 0,21 изд. л. Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, д 2
28
Яб
Г4 . РГ
К fg ь
1б го
1б
1Z ф
ДЮ
Ъ.
