Патент ссср 187838

Авторы патента:

G11C11/38 - туннельных диодов

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Респу0лии

И АВТОРСКОМУ CBKP EÒÅËÜÑòió i

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21ат, 37(52

Заявлено ОЗ,Ч.1965 (№ 1005526(26-24) с присоединением заявки №

МПК G 061

УДК 681.142.07(088.8) Приоритет

Опубликовано 20.Х.1966. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания IО.XII.1966

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЯЧЕЙКА НА ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ

Известны запоминающие ячейки на туннельном диоде, содержащие обращенный диод, катод которого соединен с разрядной шиной, а анод вЂ” с анодом туннельного диода.

Предложенная ячейка, в отличие от известных, имеет диод с накоплением заряда, анод которого соединен с шиной слова, а катодвЂ” с анодом туннельного диода.

Это позволяет увеличить соотношение сигнал/помеха при считывании информации.

На чертеже представлена предло>кеннан схема.

Схема содержит туппельный диод 1, диод 2 с накоплением заряда и обращенный диод 3.

Диод 2 с накоплением заряда и туннельный диод 1 соединены последовательно, причем катод диода с накоплением заряда связан с анодом туннельного диода. К точке соединения диода с накоплением заряда и туннельного диода присоединен анодом обращенный диод.

Анод диода с накоплением заряда связан с шиной слова 4, а катод обращенного диодавЂ” с разрядной шиной 5.

В матрице запоминающего устройства полюса трехдиодных ячеек памяти определенным образом соединены ме кду собой. С шинами 4 связаны формирователи импульсов выбора числа, на каждое число один формирователь, а с каждой разрядной шиной 5 вЂ” разрядный усилитель считывания и формирователь записи. По шине 4 подается положительное постоянное напряжение, причем вели шна его выбрана такой, чтобы в элементе памяти были возможны два устойчивых состояния равновесия. В первом состоянии рабочая точка туннельного диода находится на туннельной ветви. Напряжение на нем мало, так как основная часть напряжения питания падает на диод с накоплением заряда. Через диод с накопле10 нием заряда протекает ток, величина которого достаточна для накопления заряда. Это состояние элемента памяти соответствует храпению «I».

Во втором состояппп рабочая точка туннель15 ного диода находится на диффузионной ветви, вблизи области впадины его вольт-амперной характеристики, поэтому ток, протекающий через диод с накоплением заряда, мал и недостаточен для накопления заряда в нем. В сред20 ней точке элемента памяти напряжение близко к напряжению питания. Это состояние элемента памяти соответствует хранению «О».

При обоих возможных состояниях элемента памяти рабочая точка обращенного диода на25 ходится в области малого прямого тока. Обр»щепный диод имеет большое сопротивление.

Нсвыбрапный элемент памяти как бы отключен от разрядной шины 5. В режимах считыва|шя и записи рабочая точка обращенного

ЗО диода выбранного элемента памяти пепеходпт

187838

Составитель Б, К. Волчков

Техред T. П. Курилко

Корректоры: А. М. Смак и В. Е. Соколова

Редактор И, С. Грузова

Заказ 3640, 7 Тираж 950 Формат бум. 60X90/з Объем 0,13 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 в область больших токов, тем самым осуществляется связь между выбранной ячейкой и соответствующей разрядной линией, Предмет изобретения

Запоминающая ячейка на туннельном диоде, содержащая обращенный диод, катод ко1орого соединен с разрядной шиной, а анод-с анодом туннельного диода, отличающаяся чем, что, с целью увеличения соотношения сигнал/помеха при считывании информации, она содержит диод с накоплением заряда, анод которого соединен с шиной слова, а катодвЂ” анодом туннельного диода.