Ячейка памяти

Авторы патента:

G11C11/38 - туннельных диодов

О П И С А Н И Е 2l9632

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ тека . -л"-А

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21ат, 37(52

4 2гпз 13100

Заявлено 10.Ч111.1966 (№ 1097259/26-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 14.VI.1968. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 26.VIII.1968

МПК Н 03k

G 06I

УДК 681.327.67 (088.8) Намитет по делам изссретеиий и открытий при Сосете Мгикстрсв

Спрр

Авторы изобретения

М. А. Андреещев и 10. В. Трусевич

Заявитель

ЯЧЕИКА ПАМЯТИ

Ячейки памяти, содержащие транзистор, в коллекторную цепь которого включен туннельный диод, известны.

Предложенная ячейка отличается тем, что в ней точка соединения коллектора транзистора и туннельного диода подключена через нагрузочный резистор к генератору тактовых импульсов.

Это позволяет повысить помехоустойчивость, нагрузочну о способность генератора тактовых импульссв и уменьшить потребляемую мощность.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемой ячейки памяти.

Ячейка состоит из транзистора 1, туннельного диода 2, нагрузочного сопротивления 8 и дифференцирующей цепи 4, 5.

Транзистор 1, включенный по схеме с общим эмиттером, используется в качестве развязывающего элемента между ячейками памяти и как усили гель сигнала записи, поступающего в его базовую цепь.

Туннельный диод 2 и сопротивление 3 образуют элемент памяти ячейки.

Наличие сигнала в базе транзистора 1 приводит и его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния «0» (низковольтное состояние туннельного диода 2) в состояние «1» (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись «1» и ее хранение до прихода тактового сигнала Т,. Тактовый импульс отрицательной полярности считывает

10 «1», переводя туннельный диод из состояния, соответствующего «1» B состояние, соответствующее «О».

Предмет изобретения

15 Ячейка памяти, состоящая из транзистора, в коллекторную цепь которого включен туннельный диод, отлича(ощаяся тем, что, целью повышения помехо стойчивости, нагрузочной способности генератора тактовых им20 пульсов и уменьшения потребляемой мощности, точка соединения коллектора транзистора и туннельного диода подключена через нагрузочный резистор к генератору тактовых импульсов.

21У632

Составитель Ю. М. Большов

Редактор Л. А. Утехина Техред Л. К. Малова Корректоры: А. П. Васильева и В. В. Крылова

Заказ 2369/4 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2