Патент ссср 195215

 

ОЙ ИКАНИЕ

ИЗО БР ЕТЕ Й И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕГ ". СТВУ

СОюз Спвптпппз

Спциаллстицюплиз

Республпз

Зависнмос от агт. свидетельства №

Кл. 42ш, 14

21aI, 37 52

Заявлено 30.1V.1966 (И 1074238, 26-24) с присоединением заяьки №

МП1; G 06(Н 03k ., ДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам Приоритет изпбратпллб л QTKpblTNA при Спветп Мяппптрпв j О".óá lèêoâal:o 12.11,1067. Б оллстень ¹ 0

СССР

Датa опуоликования описания 119Л !.1967

Авторы изобретения М. А. Андреещев, Ю. С. Александров, Ю. В. Трусевич и M. Г. Симченков

Заявитель

ЯЧЕЙКА Г(АМЯТИ

Ячейки памяти, содержащие узел памчтп на туннельном диоде, подключенном к источнику одного тактового напряжения, и транзисторный ключ, известны.

Предложенная ячейка отличается тем, что база ключевого транзистора через резистор подсоединена к источнику другого тактового напряжения.

Это позволяет увеличить быстродействне, повысить устойчивость работы при изменении питающих напряжений и температуры, а также обеспечить твердосхемное исполнение.

На чертеже показана принципиальная схема ячейки памяти.

Высоковольтное состояние туннельного диода 1 ячейки соответствует «О» двои п.ой информации, а низковольтное состояние «1».

Если ячейка находится в состоянии «О», транзистор 2 закрыт напряжением на туннельном диоде. При действии тактового напряжения UT2, подключенного к базе транзистора 2, он остается в закрытом состоянии.

Если ячейка находится в состоянии «1», при действии этого же тактового напряжения транзистор Открывается, Ilo,члекторным током этого транзистора туннельпый диод следуюlIle1 ячейк I перебрасывается в низковольтное состояние, и на ячейку записывается «1». Под действием этого же возрастающего напряжения эмпттерный ток транзистора 2такжс возрастает. Когда эмнттсрный ток достигает максимального значения тока туннельного диода

1, происходит переключение туннельного диода в высоковольтное («О») состояние, и транзистор 2 запирается этим напряжением.

Предмет изобретения

Ячейка памяти, содержащая узел памяти на тунце II llobl диоде, подключенном к источнику одного тактового напряжения, и транзисторный ключ, отлсиа ошаяся тем, что, с целью увеличения быстродействия, повыше:шя устойчивости работы прп изменешш питаюI нх IlalIpz

195215

Составитель Ю. М. Большов

Редактор Л. А. Утехина Тсхред А. А. Кагиышникова Корректоры: О. Б. Тюрина и M. 11. Ромашова

Заказ 1739j16 1 ира «Бчб Подписшз»

ЦНИ1ЛПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2