Устройство для измерения тепловых параметров

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l9O49O

Союз Советских

Социзлистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

1:,л. 21g, 11/02

Заявлено 27.IХ.1965 (№ 1029980/26-25) с присоединением заявки ¹. ЧПЬ; Н Oll

Приоритет

Опубликовано 29.XII.1966. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 31.1.1967

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УД1 621.3.082.6:621.382.2

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х ДИОДОВ

Предмет изобретения

Известны устройства для измерения тепловых параметро» полупроводниковых диодов на основе температурной зависимости прямого падения напряжения, которые измеряют температуру в конце прямого полупериода.

Предлагаемое устройство отличается тем, что оно содержит фазосдвигающий каскад, подключенный к входу формирователя запиpBIolIJIIx импульсов, и диодный ключ, подключенный между испытуемым диодом и генераторами измерн-ел»ного тока и обратного напряжения. Зто позьоляет производить из»epeI!sic температуры» любое время пряAIoI о полунериода.

1-1а чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства.

Оно состоит из генератора 1 прямого тока, испытуемого диода 2. Генератор 3 обратного напряжения и генератор 4 измерительного тока создают обратное напряжение и измерительный ток в испытуемом диоде. Между испытуемым диодо;I, генератором обратного напряжения и генератором измерительного тока подключен диодпый ключ 5, который отключает измерительный ток во время подачи обратного напряжения. Для отк;почсния прямого тока на моме»I измерения температуры диода имеется формирователь б запирающих импульсов. Фазосдвигающий каскад 7 предназначен для формнро»ания импульсов запуска формирователя запирающих импульсов и для сдвига их по фазе от 0 до 180 относительно полуьолны прямого тока. Для наблюдения прямого падения напряжения диода предус»orpc!I осциллограф 8.

Устройство для измерения тепловых параметров полупроводниковых диодов на основе температурной за»исимости прямого падения

15 напряжения, содержащее генератор измеригелыгого тока, генератор обратного напряжения, генератор прямого тока, формирователь запнра|ощих импульсов и измерительное устройство, or,ãè÷àloùåI. ñÿ тем, что, с целью нз

20 .llopåíè температуры в любое время прохождения прямого тока в режиме однополупериодного»ыпрямления, olio содержит фазосдвигающнй каскад, подключенный к входу формиро»ателя запирающих импульсов, н диодный ключ, подключенный хгсжду испытуемым диодом и генераторами измерительного тока и обратного напряжения.

190490

Составитель Р, Г. Акопян

Редактор В. Дербинов Техред А. А. Кымышникова Корректоры: О. Б, Тюрина и А. М. Смак

:>>е-,паз 12 (! Тираж 535 Подписное

l il l l i i i ll i Ko LT iIo делам ивобретепий H открытий Ilpll Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Ссрова, д. 4

Типография, »р. Сапунова, 2

Устройство для измерения тепловых параметров Устройство для измерения тепловых параметров 

 

Похожие патенты:

Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодовв известных устройствах для определения пробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при испытаниях диодов с жесткими характеристиками и диодов, которые 13 режиме иробоя имеют отрицательное динамическое сопротивление, мощность, выделяемая на р—«-переходе, может превысить допустимое значение, что приводит к выходу диода из строя.в иредложеином устройстве для иредотвращения выхода диодов из строя в процессе измерения последовательно с каждым из сопротивлений блока регулировки напряжения включен стабилитрон, в результате чего нагрузочная кривая цепи, в которую включен диод, приобретает вид гиперболы и незавиеимо от вольтамперной характеристики мощность диода неизменна.схема устройства изображена на чертеже.последовательно с испытуемым диодом 1 включен блок 2 ступенчатой регулировки напряжения, источник которого соединен с зажимами 3. блок 2 содержит сопротивления 4, коммутируемые шаговым искателем 5. к каждому из сопротивлений подключено ио стабилитрону 6, в результате чего напряжение на диоде и ток, протекающий через него, будут определяться точкой пересечения характер]!- стики диода с гиперболой.в ироцесее измерения блок 7 измерения величины пропзводной обратного тока контролирует отношение прпращенпя тока через дпод к приращению напряжения на нем, т. е. величину пропзводной. еели величина пропзводной меньше предельного значенпя, с блока 7 на шаговый пскатель подается управляющпй импульс, и щаговый искатель производит очередное изменение величины соиротивлений. если величииа иропзкодной больше или равиа за-, данному предельному значению, автоматически включается пз^iepитeльный прибор s, ио которому отсчитывается величина пробивного напряжения, и управляемый шаговым искателем индикатор мощности 9 показывает мощность, выделяющуюся на дподе при пробивном напряженпи.предмет изобретен и яустройство для определения пробивного напряжения иолупроводнпковых л,иодов, содержащее подключенные к диоду блок стуиенчатой регулировки подаваемого на дпод напрял\е-25 нпя, снабженный набором коммутируемых сопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, отличающееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из етроя в процессе измерений, последовательно30 с каждым из сопротивлений блока стуиенчатой регулировки напряженпя включен стабилитрон.101520 // 172374

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-03-27T00:25:29
Наверх