Комплект приспособлений для сборки р—п-переходов полупроводниковых приборов

 

2OI548

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 174726

Кл. 21g, 11/02

Заявлено 25.!11.1966 (№ 1062261/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08.1Х.1967. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 16.XI.1967

МПК Н 011

УДК 621.382.3.002.72 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобрстения

Е. А. Маторный

Заявитель

КОМПЛЕКТ ПРИСПОСОБЛЕНИЙ ДЛЯ СБОРКИ р — и-ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Комплект приспособлений для сборки р — апереходов полупроводниковых приборов известен из авторского свидетельства № 174726.

Предложенный комплект усовершенствует основное изобретение, позволяет повысить производительность труда и качество собираемых переходов.

На фиг. 1 изображен шаблон для загрузки кристаллов; на фиг. 2 — шаблон для загрузки электродов коллектора и эмиттера; на фиг, 3 — шаблон для загрузки кристаллодержателей; на фиг. 4 — магнитный подъемник.

Загружаемая кассета вставляется в шаблон

1 для загрузки кристаллов на установочные штифты 2. Кристаллы из углубления 8 путем легкого покачивания шаблона перемещаются в кассету.

Загрузка кассеты электродами производится с помощью шаблона 4 для загрузки электродов. Шаблон имеет глухие отверстия 5 для распределения электродов. Кассета накладывается на шаблон и путем поворота сборки на

180 загружается электродами.

Загрузка кассеты кристаллодержателями производится в шаблоне 6, который является одновременно приставкой к вибробункеру.

Кассета устанавливается в углубление 7, накопитель 8 заполняется кристаллодержателями из вибробункера, Магнитный подъемник

9 своими штифтами 10 совмещается с отвер5 стиями 11 в накопителе 8. Кристаллодержатели притягиваются к выступам 12, магнитный подъемник переносится в углубление 7 и кристаллодержатели с помощью рамки-отсекателя

78 сбрасываются в кассету. Затем кассета на10 правляется в печь для припаивания кристаллодержателей.

Предмет изобретения

1. Комплект приспособлений для сборки

15 р — и-переходов полупроводниковых приборов по авт. св. № 174726, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда и качества собираемых переходов, в шаблонах для загрузки кристаллов, электродов и кри20 сталлодержателей выполнены углубления для размещения загружаемых кассет.

2. Комплект приспособлений по п. 1, отличстющийся тем, что шаблон для загрузки кристаллодержателей снабжен магнитным подь25 емником, имеющим выступы, соответствующие установочным размерам кристаллодержателей, и рамку-отсекатель.

261548

Auz /

Фиг 3

12

Ф//2. 4

Составитель В. В. Шведова

Редактор В. Д. Пенькова Техред Т. П. Курилко Корректоры: В. В. Крылова и Л. В. Наделяева

? аказ 3464/14 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Комплект приспособлений для сборки р—п-переходов полупроводниковых приборов Комплект приспособлений для сборки р—п-переходов полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Г-. . .' • ' . // 192296

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх