Способ соединения металлической заготовки с полупроводниковым кристаллом

Авторы патента:

H01L21/40 - сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл 21о, 11/02

Заявлено 26. ll I.1963 (¹ 827133/25-27) с присоединениевт заявки №

МПК Н OIb

УДК 621.382.2.002.2 (0S8.8) Приоритет

Опубликовано 06.ll.1967. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 12.IV.1967

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

- т и :, Н. В. Баканов, В. И. Дроздов и В. А. Алымов

11,=;, .1

В ;.";"л,I;:11

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ЗАГОТОВКИ

С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КРИСТАЛЛОМ

Соединение металлической заготовки с лупроводниковым кристаллом вплавлепием известно.

Новизна предложенного способа состоит в том, что металлическую заготовку изготавливают в форме диска. Это позволяет повысить производительность труда путем сокращения промежуточных операций.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

Из фольги заданного металла вырубают диск, масса которого равна массе требуемого шарика. Диск кладут на кристалл, предварительно вложенный в кассету. Для отлипания диска от пуансона кристалл предварительно смачивают канифолью со спиртом.

При последующем вплавлении диск, расплавившись, под воздействием сил поверхностного натяжения превращается в шар. При более высокой температуре идет процесс иплавлсння его в кристалл.

Предмет изобретения

Способ соединения металлической заготовки с полупроводниковым кристаллом вплавлением, отлича отдийся тем, что, с целью сокращения промежуточных операций, металлическую заготовку изготавливают в форме диска.

Патент 157439 // 157439

Патент 154960 // 154960

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Патент 150940 // 150940

Способ вплавления алюминиевой проволоки в кремний // 149507

Способ получения контакта // 243740

Способ изготовления выпрямительного элемента // 256875

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах // 281650

Способ изготовления туннельных диодов // 324943

Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду // 384161

Способ создания омического контакта // 1589942

Способ сплавления // 2564685

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.