Устройство для изготовления полупроводниковыхприборов

 

I8 9097

Союз Саветскив

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21Л 11.1961 (№ 712060/26-9) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки №

MIjK Н 011

УДК 621.382.213.002,2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 17.Х1,1966. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 30.XII.1966

Авторы изобретения А. С. Готман, Я. Ш. Петраковский, Ю. Г. Веннер, С. А. Бергман, Э. Е. Пахомов и Д. Л. Михалович

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Известны устройства для изготовления полупроводниковых приборов, содержащие копировальное приспособление, технологический спутник и установочный эталон.

Описываемое устройство отличается тем, что для повышения точности совмещения негатива с обрабатываемой полупроводниковой пластиной копировальное приспособление снабжено двумя перемещающимися перпендикулярно к плоскости негатива фиксаторами, сопрягающимися с посадочными местами технологического спутника или установочного э-алона, на котором находится растровая пластина с сеткой, узлы которой совпадают с установочными знаками на негативах.

На фиг. 1 изображен технологический спутник с закрепленной на нем заготовкой; на фиг. 2 представлено копировальное приспособление; на фиг. 3 показан эталон с растровой пластиной.

Заготовку 1 в виде тонкой, чисто обработанной полупроводниковой пластины, с двух сторон которой па общей оси расположены призматические пазы 2, ставят на технологический спутник 8 и жестко закрепляют с ioмощью винтов 4 фиксаторами 5, входящими в пазы. В верхней части корпуса 6 копировального приспособления закреплен винтами 7 негатив 8. B рабочем положении заготовка 1 прижата к негативу пружинами 9, передающими давление на заготовку через кольцо 10, шарики 11, гнездо 12 и спутник 8.

Точность совмещения заготовки с негативом обеспечивают сферическая головка фик5 сатора 18, входящая в конусное гнездо 14 технологического спутника 8, и сферическая головка фиксатора 15, входящая в призматический паз 16 спутника. Обе головки имеют одинаковый диаметр. Онн прижимаются к гнезду

10 14 и пазу 16 пружинами 17. Направляющие стержни фиксаторов перемещаются на шариках 18 перпендикулярно к плоскости негатива 8.

Точную установку негативов в копироваль15 ных приспособлениях осуществляют с помощью установочного эталона 19, соответствующего по конструкции технологическому спутнику 8. На эталоне укреплена растровая пластинка 20 со штриховой сеткой 21, уз.пы

20 которой совпадают с установочными знаками на негативах.

Установочный эталон 19 поочередно ставят на все копировальные приспособления, что

25 обеспечивает точную установку негативов 8 относительно фиксаторов 18 и 16 копировальных приспособлений. Установку негативов по отношению к сетке 21 корректируют винтами

7 н контролируют визуально с помощью ми30 кроскопа.

189097

Предмет изобретения

Устройство для изготовления полупроводниковых приборов, содержащее копировальное приспособление, технологический спутник и установочный эталон, отличающееся тем, что, с целью повышения точности совмещения негатива с обрабатываемой полупроводниковой пластиной, копировальное приспособление снабжено двумя перемещающимися перпендикулярно к плоскости негатива фиксаторами, сопрягающимися с посадочными местами технологического спутника или установочного

5 эталона, на котором установлена растровая пластина с нанесенной на ней сеткой, узлы которой совпадают с установочными знаками, нанесенными на негативах.

Устройство для изготовления полупроводниковыхприборов Устройство для изготовления полупроводниковыхприборов Устройство для изготовления полупроводниковыхприборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх