Патент ссср 196176

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ookoo Сааатоиил

Са 1ивлиатичварил

Рвалублии

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено ОI.IV.1966 (М 1068041/26-25) с присоединением заявки №

Hpиоритет

Опубликовано 16Х.196?. Бюллетень № 11

Дата опублш<ования описания I.VII.1967

Катаитвт во далай иваорвтвинй и открытий

IlpN Соввтв Миниотров

СССР

ММ. цо fA г,Эg

Авторы изобретения

С.. В. Хомутовский, М, Н. Мокесв и С. А. Шкаредных

Заявитель

АВТОМАТ ДЛЯ ЛОМКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

II A КРИСТАЛЛЫ

Известна установка для автоматического разламывания пластин па кристаллы после скрайбировапия, в которой разламывашц производится между бескопе шыми ремнями и воздушной подушкой. При этом пластина, наклеенная на лист бумаги, пропускается через установку дважды для ломки в дву:< взаимно перпендикулярных направлениях.

Предложенный автомат позволяет ломап пластины одповреме по в обоих направлениях без применения клеевого носителя.

Для этого механизм продольной ломки выполнен в виде призмы с прижимным и ломающим рычагами и двух роликов, причем ориентация секции кристаллов относительно ломающих роликов производится V-образными губками, установленными перед механизмом продольной ломки.

На фиг. 1 изображен общий вид предлагаемого автомата; на фиг. 2 — кинематическая схема; па фиг. 3 — схема устройства для ломки.

На столе 1 расположена базовая плита .2, на которой укреплен скафандр 8, оптическая головка 4, привод 5 и механизмы продольной и поперечной ломки. Внутри стола расположено электрооборудование и система отсоса пыли.

Скафандр 8 из органического стекла предназначен для защиты полупроводниковой пластины и рабочих органов от загрязнения. Он имеет шлюзы для приемки и выдачи пластин и кристаллов и окна для оператора. Оптическая голоы<а 4 служит для установки надрезанной пластины в рабочие органы и для визуального контроля качества ломки. Привод 5 передаст движение от электродвигателя к рабочим органам автомата. Механизм продольнои ломки осущсствляст отламывание одной

10 секции кристаллов и автоматическую подачу пластины после этого на один шаг. Механизм поперечной ломки разламывает секцию на отдельные кристаллы.

Пластину б с нанесенными рисками поме15 щают в подающую призму 7 и совмещают по одной из рисок с визирной линией микроскопа 8, после чего зажимают прижимом 9. При помощи маховика 10 и пары конических ше-стерен подающую призму отводят в крайнее

20 поло>кенис, в котором с визирной линией совмещается последняя риска. При перемещении рейки 11 от кулачка распределитель. ного вала 12, реечная шестерня 18 поворачивает ломающий рычаг 14, который отламы.

25 вает одну продольную секцию 15 кристаллов.

На оси ломающего рычага свободно сидит прижимной рычаг 1б, связанный с упором и пружиной, регулирующей усилие прижатия.

При обратном ходе ломающего и прижимного

30 рычагов с помощью винтовой пары 17 и 18

3 и храпового механизма 19, 20 производится подача пластины на один шаг следующей секции кристаллов. Шаг подачи регулируют перемещением упора 21.

Секция кристаллов захватывается движущимся ремнем 22 и, проходя V-образные губки 23, ориентируется перпендикулярно оси ломающих роликов 24 и 25, На выходе из губок секция кристаллов зажимается ремнем 26, который движется с той же скоростью, что н ремень 22. Ремень 2б, огибая ремень 22 по радиусу, задаваемому роликом 24, разламЬ|вает секцию на отдельные кристаллы, причем ролик 25 создает угол скола. Усилие поперечной ломки регулируется пружиной 27 и гру зом 28, Величина угла скола зависит от толщины и длины отламываемого кристалла и колеблется от l5 до 90 .

Фильера 29 создает дополнительную жесткость секции кристаллов прп отламывапин каждого кристалла.

Ремни приводятся в движение роликами 80 и 31, которые вращаются от распределитель196176

4 ного вала 12. Вал 12 приводится через однооборотную муфту 32 от электродвигателя 33.

Применение однооборотной муфты позволяет, совершать как единичный (контрольные) процесс ломки пластин, так н автоматически повторяемые, Муфта управляется рукояткой 34.

Предмет изобретения

Автомат для ломки полупроводниковых пластин на кристаллы, состоящий из стола, базовой плиты, привода и механизмов продольной v поперечной ломки, отличающийся

15 тем, что, с целью одновременной ломки пластин в двух взаимно перпендикулярных направлениях без применения клеевого носителя, механизм продольной ломки выполнен в виде призмы с прижимным и ломающим рычагами

20 и двух роликов, причем ориентация секции кристаллов относительно ломающих роликов производится V-образными губкамн, установленными перед механизмом продольной ломки.

Тираж

Заказ

Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова д. 4

Предприятие „Патент", Москва Г-59, Бережковская наб., 24

Состави дь В. М. Гришин

Редактор Н. О. Громов Техред Т. П. Кури.и<о

1(орректорвп О. Б. Тюрина и Н. И. Быстрова

Патент ссср 196176 Патент ссср 196176 Патент ссср 196176 Патент ссср 196176 

 

Похожие патенты:

Г-. . .' • ' . // 192296

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх