Интегральная микросхема

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности. Интегральная микросхема содержит кристалл 1, площадки 2, проводники 3, 4, 5 с наружными участками 6 и 7, корпус 8 с углублениями 10. Использование микросхемы позволяет обеспечить ее автоматизированный монтаж. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов типа БИС, СБИС, СВЧ-приборов и других аналогичных приборов различного назначения.

Цель изобретения повышение надежности.

На фиг. 1 изображена микросхема в разрезе; на фиг.2 модификация выполнения предлагаемой микросхемы.

Микросхема содержит полупроводниковый кристалл 1 с контактными площадками 2, электрически соединенными пленочными проводниками 3 с токоведущими участками 4 металлических выводов 5, наружные участки 6, 7 которых огибают соответственно боковую поверхность корпуса 8 и периферийную часть тыльной поверхности корпуса 8, а их концы 9 загнуты и размещены в углублениях 10.

Углубления 10 выполнены в виде усеченного конуса, меньшее основание которого ограничено наружной поверхностью отогнутого конца 11 крепежной части 12 металлического вывода 5 запрессованной в отверстии в полимерном материале корпуса 8. Пленочные проводники 3 размещены на защитном буртике 13, выполненном по периметру лицевой поверхности кристалла 1 в зоне его контактных площадок 2 и на части стенки корпуса 8 между боковыми гранями кристалла 1 и крепежными участками 12 выводов. Для интегральных схем с генератором смещения отогнутые концы 11 могут быть соединены с обратной поверхностью кристалла 1, выполнены перфорированными, а зазор между ними заполнен контактолом 14.

Интегральная микросхема работает в составе радиоэлектронной аппаратуры, собранной на плате преимущественно методом автоматизированного монтажа на поверхность, в соответствии с назначением кристалла интегральной микросхемы.

Использование микросхемы позволяет обеспечивать автоматический поверхностный монтаж интегральных схем с большим числом выводов и малым шагом между ними, увеличивает надежность, обеспечивает более высокую миниатюризацию, снижает стоимость, увеличивает надежность приборов при монтаже на печатные платы, возможность проведения зондового контроля электрических параметров после монтажа микросхем на плату.

Формула изобретения

1. ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА, содержащая корпус, выполненный из полимерного материала, внутри которого размещен полупроводниковый кристалл с контактными площадками, электирически соединенными с токоведущими участками металлических выводов, часть каждого из которых выполнена в виде пленочного проводника, размещенного в стенке корпуса, причем наружные участки металлических выводов огибают боковую поверхность и периферийную часть тыльной поверхности корпуса, а их концы загнуты и размещены в углублениях, выполненных с тыльной поверхности корпуса, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, электрическое соединение контактных площадок с металлическими выводами полностью осуществлено пленочными проводниками, расположенными на буртике, выполненном по периметру лицевой поверхности кристалла из материала корпуса, и на участках стенок корпуса, отделяющих грани кристалла от ряда отверстий, выполненных в корпусе параллельно боковым граням кристалла, в которых герметично запрессованы крепежные участки металлических выводов, конец каждого из которых отогнут параллельно лицевой поверхности кристалла, а его наружная поверхность ограничивает дно полости углублений, каждое из которых выполнено в виде усеченного конуса для размещения одного загнутого конца металлического вывода.

2. Микросхема по п.1, отличающаяся тем, что отогнутые концы крепежных участков металлических выводов соединены с обратной металлизированной поверхностью кристалла, поджаты к ней дном корпуса и выполнены перфорированными.

3. Микросхема по п. 2, отличающаяся тем, что зазор между отогнутыми концами крепежных участков металлических выводов заполнен контактолом.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к теплообмену в радиаторах и может быть использовано для отвода тепла от радиоэлементов

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано при конструировании изделий микроэлектронной техники, в частности микросборок и гибридных интегральных модулей
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к защите поверхности кристалла с p-n-переходами и активными элементами от воздействия окружающей среды

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении миниатюрных гибридных интегральных микросхем повышенной степени надежности НЧ и ВЧ диапазонов в металлостеклянных корпусах, герметизируемых лазерной сваркой

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при построении охладителей силовых полупроводниковых приборов, таких, как диоды, тиристоры и силовые транзисторы

Изобретение относится к конструированию электрофизической аппаратуры различного назначения, работающей в условиях повышенного теплового режима и содержащей сменные теплонагруженные модули, например, в высоковольтных сильноточных системах питания

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок, в которых используются внутренние согласующие LC-цепи

Изобретение относится к электронной технике, а именно к корпусам интегральных микросхем

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно микроэлектронике, и может быть использовано для защиты корпусов микроблоков и элементной базы радиоэлектронной аппаратуры от внешних агрессивных воздействий окружающей среды

Изобретение относится к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС) и может быть использовано для контроля электростатических разрядов в ИС, имеющих свободные выводы корпуса
Наверх