Способ реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа

 

Использование: разработка и эксплуатация рабочих объемов с технологическим микроклиматом в условиях молекулярного течения газа. Сущность изобретения: перед выполнением технологического процесса внутреннюю поверхность рабочего объема выкладывают съемными гофрированными листами, а после выполнения технологического процесса листы снимают и проводят очистку. Гофрированные листы могут иметь определенное соотношение высоты волны к ее шагу и быть покрыты различными пленками. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к разработке и эксплуатации рабочих объемов с заданным технологическим микроклиматом, а более конкретно, к способам реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа.

Известен способ реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях ламинарного течения газа [1, c.119] при котором используют устройства локализации микрочастиц, образованных в результате различных технологических операций и связанных с ними механических перемещений, например, фильтр Петрянова.

Недостатком аналога является невозможность применения способа в условиях молекулярного течения газа.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа [1, c.127] при котором используют устройства локализации микрочастиц, например, электрофильтры.

Недостатком прототипа является малая эффективность способа в условиях молекулярного течения газа, для которого характерно независимое перемещение отдельных молекул газа.

В основу изобретения положена задача обеспечить эффективность способа реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа, при котором используют устройства локализации микрочастиц, образованных в результате выполнения различных технологических операций и связанных с ними механических перемещений.

Задача решается тем, что перед выполнением технологического процесса внутреннюю поверхность рабочего объема выкладывают съемными гофрированными листами, а после выполнения технологического процесса листы снимают и производят очистку, соотношение высоты h волны гофра к ее шагу t принимают равными h/t 1,3-2,7, съемные гофрированные листы выполняют из диэлектрического материала, диэлектрический материал гофрированных листов покрывают пленкой электретного материала или пленкой ферромагнитного материала.

Введение в способ реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа, съемных гофрированных листов из диэлектрического материала с электретным или ферромагнитным покрытием обеспечивает высокую эффективность применения способа без значительных капитальных вложений.

Сопоставительный анализ заявляемого способа реализации технологического микроклимата в рабочем объеме и прототипа показывает что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".

Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".

На фиг. 1 представлена общая схема рабочего объема; на фиг. 2 - геометрические соотношения в гофрированных листах; на фиг. 3 схема гофрированного листа из диэлектрического материала с электретным покрытием; на фиг. 4 схема гофрированного листа из диэлектрического материала с ферромагнитным покрытием.

Рабочий объем, реализующий способ, содержит внутренние рабочие поверхности 1, на которых закреплены устройства локализации микрочастиц 2 в виде гофрированных листов 3, которые являются съемными. Соотношение высоты h волны гофра 4 к ее шагу t принимают равным h/t 1,3-2,7 (фиг. 2).

Съемные гофрированные листы 3 выполняют из диэлектрического материала 5 с покрытием пленкой электретного материала 6 (фиг. 3) и покрытием пленкой ферромагнитного материала 7 (фиг. 4).

Способ реализуется следующим образом.

Перед выполнением технологического процесса внутреннюю поверхность 1 рабочего объема (фиг. 1) выкладывают съемными гофрированными листами 3 из диэлектрического материала 5 (фиг. 2) с покрытием пленкой электретного материала 6 (фиг. 3) или пленкой ферромагнитного материала 7.

В условиях молекулярного течения газа микрочастиц, образованные в результате выполнения различных технологических операций и связанных с ними механических перемещений оседают в гофрах 4 гофрированных листов 5 под действием электростатических и магнитных полей соответствующих электретных 6 и ферромагнитных 7 покрытий. Технологический микроклимат, таким образом, очищают. После выполнения технологического процесса листы снимают и производят очистку. В отличие от обычных чистых объемов с ламинарным потоком течения газа, где недопустимы различные углубления в полах, потолках и стенах, в чистых объемах с молекулярным потоком течения газа, наоборот, необходимы такие углубления в виде гофр, с целью задержания в них микрочастиц, образованных в результате выполнения различных технологических операций и связанных с ними механических перемещений.

Применение предложенного способа реализации технологического микроклимата в рабочем объеме повышает уровень чистоты, т.е. обеспечивает эффективность применения устройств локализации микрочастиц.

Формула изобретения

1. Способ реализации технологического микроклимата в рабочем объеме в условиях молекулярного течения газа, при котором используют устройство локализации микрочастиц, образованных в результате выполнения различных технологических операций и связанных с ними механических перемещений, отличающийся тем, что перед выполнением технологического процесса внутреннюю поверхность рабочего объема выкладывают съемными гофрированными листами, а после выполнения технологического процесса листы снимают и производят очистку.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что соотношение высоты h волны гофрированного листа к ее шагу t принимают равными h/t 1,3 2,7.

3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что съемные гофрированные листы выполняют из диэлектрического материала.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что диэлектрический материал гофрированных листов покрывают пленкой электромагнитного материала.

5. Способ по п.3, отличающийся тем, что диэлектрический материал гофрированных листов покрывают пленкой ферромагнитного материала.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3