Патент ссср 236527

Авторы патента:


 

О П И- C А Н И Е 236527

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски i

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

1;л. 21а1 36. 18

Заявлено 02.Х11.1967 (№ 1200362ji 8-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 03.11.1969, Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 1 Л 11.1969. 1ПК Н 03k Д1; 621,374.32(088.8) ,Комитет по делам изобретений и открытий.при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Д. Г, Нисневич.Заявитель

ТРИГГЕР

Предложение относится к автоматике и вы числительной технике.

Известен триггер, сохраняющий информацию при перерывах питания, выполненный на транзисторах, диодах и сдвоенном трансфл1оксоре.

Предложенный триггер отличается тем, что в нем одна из тактовых обмоток опроса трансфлюксора пропущена через два малых отверстия и одно большое, вторая тактовая обмотка опроса трансфлпоксора пропущена также через два малых и другое большое отверстие, а каждая из двух выходных обмо ток, включенных встречно, проходит согласно через оба малых отверстия, причем начала выходных обмоток подключены через развязывающие диоды к базам транзисторов, а концы объединены между собой и через ключ, управляемый стробирующим импульсом, подключены к 1 o÷êå, объединяющей эмиттеры транзисторов, а также тем, что концы обеих выходных обмоток подключены к объед1шепным эмиттерам через двухпозицион-Iblli ключ. управляемый стробирующим импульсом, а начала подкспочены непосредственно к базам транзисторов.

Предложенный триггер сохраняет информацию при любой продолжительности перерывов питания. В нем осуществляется полная компенсация «помехи» при любых условиях эксплуатации. Это повышает надежность работы схемы, снижая одновременно ее стоимость, так как в такой схеме к элементам не предъявляется жестких требований.

5 I-I3 фиг. 1 и 2 показаны варианты схемы триггера; на фиг. 3 — несколько вариантов п рошивки.

Триггер содержит магнитный элемент памяти — сдвоенный трансфлюксор 1 с двумя

10 большими и двумя малыми отверстиями, две обмотки установки «О» и «1» 2 и:3, проходящие встречно через большие отверстия трансфлюксора: обмотку первого такта опроса 4, состоящую из двух секций, включенных

I5 встре шо, первая из которых прохо1ит через левос малое отверстие трансфлюксора, а вторая — через правое малое и большое отверстия, охватывая правую среднюю перемычку; обмотку второго такта опроса 5, образован20 ную двумя секциями, включенными встречно, первая из которых проходит через правое малое отверстис траисфлюксора, а вторая через левое малое и большое отверстия, охватывая среднюю левую перемычку транс25 флюксора; и две выходные обмотки 6 и 7, каждая из которых проходит согласно через оба малых отверстия элемента памяти, начало (или конец) псрвой обмотки подключается к ко гцу (или началу) второй обмотки, обра30 зуя общую точку, а оставшиеся концы обра2, ) 66) 27

3>>10T OTHocifTC, ILHo ОогцсЙ I o !ки (13с !3 ix()HII!>Ic

0O)1i)TK1I 6 И <с> !31,I IO 10li il b! Ñ 13 !! J) OTJI!30(() 330.

И 1 ф 0 р ) 1 с ! П 1 л Б э, l с ." I с! 1 т (.> и p c (с " .я 13, 1 () c! ", I (. ДУIÎLIllixi ООРЯЗО;(., (О(;I !Cci(15! «1» 10 .Ð. -1в 0 е и, 10 ч О э. 1 е )1 с и т Я и Я ) (и т! I 1) Я 3 0 г! () 1 I! р О Б 2 . 10, 5 левос — заб IOK!Ij)033!io., (ol" H fccê(J(f «О»

О 1 II РЯ БОС П,(С 10 ЭГIС»(СИ 1 3 J!

Иi(фор)(3!(!15! 13!)ОД!IT«51 ПО 00:>(О K (iil:i!i(ь

<<0») If 06)IOTKc 5 (3Япись <<1») . 10

OIJ j)0c элсмсиl » Осчщсс 11)л51стсл 1!0!1()ñpbi i3iH>DI ii I t JI K1 2)H., COCT05tit(1t)1H:!.3;!13",Х ТЯ К!03.

3 ) РИ if()OXOH(TCH III I J(il )K.IOI О T)с! иитопрово.tbl вокруг обои; )1;!»!1!х отвсрстliif

3! 0 РС)1 с) ГII I I!12 13 3! X H cln р 3 13 rл 0 и! 15! x > 1 t 11 Я О 6 с! 1 ; 11 0 л О 3 )! i 12 х;) (. I l I i Й В ь(.ОДИОlf 00 МОТЕ!1, ll j)0 .ОД51 ШCЙ СО(Г(clс ИО СРСЗ

Ч Я И 1 0 O T B C P C Ò J 51, И Я В 0 Д 51 Т С Л С И Г И 3;1 1 >1 П Р О 1 .—

BOII0.1ОЖИОИ Г<0,151PHO(1 II, КО (ОР!>IС 13bi IIITс()OTC5I. 1;с 1(. 01 13 I 1 il0, ITO H p006.1 ßÇ 3!o!Ï.i. оказ!>1(3 с! - 2Г) стс51 (1! 113,1 Раз О, 10 ки j)013 Я!1)I ОЙ Ilолоil(ПI 1>!

TP3II cg)люк«0 Р3. ЬО BTQP0!! 00 )I 0. ес, >3 к, ИО:!си1! Ои 13 и j)01 )1130фЯЗС к г(С J) 130 и, 000! I>СТCТIJ(il! IО

Н сlВОДИТСЛ СИ! И ЯЛ !1Роl Иl)О ПО, 10)KИ 0Й ИР.(Л РИОсти. 25

Е«ли приз!сии !ь э,fcктри

CII! И3.1> КОТО;,)I>ill ИЯВОДИТСЛ Б 0 I!0 >(0!iPC. lcЛЕ)(ПОМ тi!K(Ñ (ИаПРИМСР, «1 .) > то .I;):! 3clllIIC!i

«1» ПЯ Бь!ХОДС Обмо 1 ки б llj)il oil()0((Оу (с1 )() положитслыl 1>11! Си Ги ял, и я 06 >(откс с — — 0 гP)! II3T0.I bi! bi if> <1 !I Pit 33(11!(. «0» и Ро и !30по, 10)кПЯЛ ПО !5! PHOCTI> СИПIЯ. IОБ.

Полу !c:цп(й таки ч образом clif ilcl, t можст

ОЫТЬ HCII0 !E>30I3 П РсlВ, IС:1:IЛ !Ч) Jl I 1 Ñ J)0. (.

1(ри опросс элсмента по 06)!01к()ч 1 и 3 Ilcl

BbIXO JHi>! ООМО 1 ксlх 6 и 7, ПО!кг(!О:l0II!ii>i к

СООТ!301 TВЧIОП()IМ 13ХО;(ЯXI ТJ)IIГГ(;)il (cj)03 J)cl.3—

БЛЗЫВ ilOIHIIC ДИОД!>i, О П(ОВРС)1 H!io .iа!30ДЛ 1051 с и (и Я Л Ы Il p O T! I B O 11 O, I O )K H O I I и 0 1 51 j )! I () « l . . () р и,,(()

ЭТОМ СИГИ !. 0,15! PHOCTB KOTOP0! 0 СОО!БСТС 1 вует включсни!о диода, проходит чс;)сз (с(о, >> CT3H 313. 111B l5I Т(>(ГI Cj) В H) ЖИОС ИО,IОЖСHIIC, ClI! ПЯЛ CO BTOPOEI OÎXIOTK!1 С. >!С(Ц<)« 13 I ÎPO!I

ДИОД В O6P 3TH 0)l И с<П Р Я В,IСИ ИИ, 3 06lil cl 51 1 О KЯ выхо IHblx обчоток 6 и 7 чсрсз клк) !с!3) ю схс)>!>>< 8 Л(060ГО Тип Я, )Ï() ñ1<3«151 DJ 3 10 « J)0611 ()>10ши»(и.>! и ..1 bcoxf иo Bxo I(9, IIO I, !!0«2cl «51 об)цсй точке, 00 ьсдиия!оц(сй э>)и !"(срl>1 траи3HcTopoB 10, или к корп) си оl(Ill ill! . (> (Я ко! 5р

СХЕМС ОтПаДаЕт СаМО ПОПЛтИС «ИОЧСXci», cl !!3дсжность иодООПОЙ схс)lы Бы Ока при H013l>iсо ки х T j) 0 6 0 13 3 H H 5i x E< c T 3 0 11.1 b H 0 c T l I Б х Одл и и х

В С Х P М У 3;I С ) 1 C Н Т 0 В 11 Т 51) J; С Гl bi ; С. 1 О Б 1! > I . ; эксплуатации. 55

В с> смс, I!()0(cT38лсиной нЯ фиГ. 2, Выход-!

»tc обмотки 6 и 7 подключсиы к базам транз(!Сторон И Jcflocj)cä«TBåHH0 без развязываюH!lix,1llo 10!3, сl i тсм подачи QTIlHp210щс! О с!(п)ала в момснт действия рабочего такта. (((од рабочим понимается тот такт опроса, импульс от которого про(пускается иа (Быхо; ). В такой схеме накладываются времс)(иыс ограниче ия на стробирую(ций сигнал. Однако oiiа позволяет получить весьма малые дл((тельиости переходного процесса в триг)ерс, (ак как на базы обоих транзисторов 10 и одиоврсмеино действуют сигналы

IIpoT!1BoI10.)о)иной полярности в соответствии с Бвсдсииой информацией.

Возмож!(ы разли иные варианты прошивки

Tp2IIcôë1oêcîðà управляющими шинами (см. фиг., .)), отгшчиыс от схемы, представленной

;!а (!): г. 1, 10 дающие тот же эффект — полну!î компенсацию «помехи», наводимую при опросе заблокированного трансфлюксора, и

Боз .ЛО)киoсть !10 ly

13 В)>!кодс li032i3!IcID!0 0Т записаннОЙ инфоР)! à ll,!ill.

Пpclìåò изобрете:(ия

j . (пи! Kcj!, « o:>: j) 31! 51!0!пи и Ef II (j)() px!3 II) Jl j) Ji

:1 (. j) C j) I>! Б <1 X; I! l 1 3 H 1 f 51, Б Ы П 0:1 i I Cl I I I Ы и Н с! П 0 Л >> П Р ОБо (HIJKoBI, приборах и сдвоенном трансфлюксорс, or.)и«ающийся Te»i, что, с целью повыШС)IИ51 i!31CH

COI1, ПРИЧСМ

:!3 Ic).lcl Б!.!ХО. (и!.1 ОбМОтОК ПОДКЛЮЧЕНЫ ЧЕРЕЗ

Р !313513b!BЯЮIЦИС .(EIO;Ibl K ОЯЗЯМ TP3HÇJ(CTOPOB, Я кои!Пы об:>c. siHICHI.! З(ежд > собой и через

Kл1Оч, пр3вллсмьlЙ строб!(р "юЩим импъль«ом, подк 1!oчсиы к точке, Об.ьединяюшей эмиттЕРЫ Tj) c)HÇIICTOj)013.

2. 1 риггер по п. 1, от,)ис(а(ощийся тем, что, « I.C,II>10; )IСПЫИСИИЛ ДЛИТС:IЬНОСТИ ПЕРЕХОДНОго про:10cc3> концы обеих Выходных Обмоток полк,ио lcHI, к обьед!шенным эмиттерам тран3i!cToj)oB !0pc3 QB)<хп0зици0иныЙ K;lI0<(, упрявллсмый строоирую(цим импульсом, 3 начала—

:le!!0« . сдствс(ио к базам транзисторов.

236527

+ г.2 д à. 3

Составитель Ю. Д. Розенталь

Техред Л. Я. Левина Коррск гор Г. И. Плешакова

Редактор Л. Утехина

Заказ 1173, 8 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2 и

Q Б1 1 9Л 1 g gZ g g р ВхаУ„ Вхп/ !"

Патент ссср 236527 Патент ссср 236527 Патент ссср 236527 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх