Способ разделения интегральных схем по надежности

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы. Изобретение может быть использовано на выходном контроле у изготовителей, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: у интегральных схем измеряют интенсивность шума по выводам питание-общая точка до и после воздействия электростатического разряда с последующим температурным отжигом. Предварительно на ИС данного типа снимают зависимость интенсивности по выводам «питание-общая точка» от напряжения питания в диапазоне напряжений питания, допустимых по техническим условиям, и определяют значение напряжения питания, соответствующее середине участка постоянного значения интенсивности шума. При этом значении напряжения питания проводят измерение интенсивности шума на представительной выборке ИС. Вычисляют безразмерную величину где - значения интенсивности шумов до, после воздействия ЭСР и после отжига в течение 4-х часов. При значении К>0,2 ИС относят к потенциально ненадежным. 1 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения.

Известен способ [1], применимый для определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов, состоящий в том, что на представительной выборке полупроводниковых приборов одного типа проводят измерение интенсивности шума до и после воздействия на прибор допустимым по техническим условиям потенциалом электростатического разряда (ЭСР) и последующего изотермического или изохронного отжига. По относительной величине коэффициента нестабильности параметров выделяют группу приборов, отличающихся меньшим уровнем качества.

Недостатками данного способа является отсутствие выбора режима измерения интенсивности шума для получения наиболее стабильных результатов измерения и его неприменимость для разделения интегральных схем по надежности.

Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. Это достигается тем, что в предлагаемом способе разделения интегральных схем по надежности контроль интенсивности шума проводят на середине участка постоянного значения интенсивности шума по выводам "питание - общая точка" при напряжении питания допустимого по техническим условиям диапазона питающих напряжений.

Способ осуществляется следующим образом.

На представительной выборке ИС одного типа проводят измерение интенсивности шума в диапазоне допустимых напряжений питания по ТУ по выводам "питание - общая точка". Для последующих измерений шума выбирается напряжение питания, при котором наблюдается середина участка постоянного значения интенсивности шума. Высокая степень достоверности определяется тем, что при выбранном напряжении питания достигаются стабильные результаты измерений после последующих внешних воздействий.

Пример осуществления способа.

Методом случайной выборки было отобрано 12 интегральных схем типа ОР37 (операционный усилитель, выполненный по биполярной технологии) с диапазоном допустимых значений напряжения питания по ТУ - 4...22 В. Среднеквадратичное напряжение шума измерялось методом прямого измерения [2] по выводам "питание - общая точка" на частоте 1000 Гц. Схема включения ИС - повторитель (инвертирующий вход соединен с выходом) с заземленным неинвертирующим входом.

Для предварительной оценки шума был проведен эксперимент на ИС данного типа по снятию зависимости на частоте 1000 Гц от напряжения питания. На чертеже представлена данная зависимость у ИС с наибольшим и наименьшим значением шума. Середина участка постоянного значения наблюдается у ИС типа ОР37 при питании 15 В. Именно это напряжение выбрано для измерений в эксперименте.

В качестве внешних воздействий был выбран цикл ЭСР + отжиг. В эксперименте применяется воздействие допустимым по техническим условиям потенциалом ЭСР на выводы "питание - общая точка" по модели тела человека. Количество разрядов равно: пять одной полярности и пять другой, что принимается за один цикл воздействия ЭСР. Температура отжига - 100°С, время отжига 4 ч. Режим отжига выбран так, чтобы происходило наибольшее восстановление информативного параметра. На основе результатов измерений вычислялись безразмерные величины относительного изменения , где , , - значение интенсивности шумов до, после воздействия ЭСР и после 4 ч отжига (табл.).

Таблица
Значение шумов в цепи питания интегральных схем ОР37 при воздействии ЭСР и последующего отжига
№ ИСЗначения , мкВ2
Нач. значениеПосле ЭСРПосле 4 ч отжига
10,961,280,960
21,442,001,540,18
31,391,961,460,12
41,762,461,950,27
51,331,851,400,13
61,021,491,020
71,471,961,520,10
81,341,941,450,18
91,261,901,340,13
100,971,791,080,13
111,642,381,850,28
120,971,731,080,14

По таблице ИС типа ОР37 №4, 11, у которых К>0,2, будут потенциально ненадежными.

Экспериментально это подтверждено следующим образом. При проведении испытаний на безотказность (500 ч, 85°С) ИС типа ОР37 №4, 11 (таблица) имели параметрические отказы.

Источники информации

1. Патент РФ №2234104, 7 G01R 31/26.

2. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение). М.: Советское радио, 1973, 178 с.

Способ разделения интегральных схем (ИС) по надежности, в соответствии с которым у интегральных схем измеряют интенсивность шума по выводам питание-общая точка до и после воздействия электростатического разряда (ЭСР) с последующим температурным отжигом, отличающийся тем, что предварительно на ИС данного типа снимают зависимость интенсивности шума по выводам "питание-общая точка" от напряжения питания в диапазоне напряжений питания, допустимом по техническим условиям, и определяют значение напряжения питания, соответствующее середине участка постоянного значения интенсивности шума, проводят дальнейшие измерения интенсивности шума ИС при определенном напряжении питания, соответствующем середине участка постоянного значения интенсивности шума, вычисляют безразмерную величину ,

где , , - значения интенсивности шумов до, после воздействия ЭСР и после отжига и при значении К>0,2 ИС относят к потенциально ненадежным.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем оперативно запоминающих устройств (ИС ОЗУ), а также для причин их отказов.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к тестированию функциональной способности электронного переключателя. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов, интегральных схем), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе серийного производства

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к технике измерения параметров полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области оптических информационных технологий, в частности к методам диагностики динамических параметров лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи и определяющих скорость передачи импульсно-кодовой информации

Изобретение относится к технике контроля полупроводников

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к устройствам для измерения параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) энергии светового излучения в электрическую, и предназначено для автоматизированного контроля солнечных элементов (СЭ), генераторов тока (ГТ) и батарей фотоэлектрических (БФ) при освещении их импульсным ксеноновым излучателем на заводе-изготовителе и в эксплуатирующих организациях
Наверх