Устройство для регистрации коэффициента неидеальности экспоненциальных вольт-амперных характеристик полупроводниковых изделий

Предложенное устройство содержит генератор линейно изменяющегося напряжения, выход которого соединен с входной клеммой для подключения исследуемого полупроводникового изделия, логарифмичесий усилитель, аналогово-цифровой преобразователь, цифроаналоговый преобразователь, электронно-вычислительную машину, монитор, схему управления усилителем и схему управления и запуска генератора линейно изменяющегося напряжения. Выходная клемма исследуемого полупроводникового изделия соединена с первым входом логарифмического усилителя, выход которого соединен с входом аналогово-цифрового преобразователя, а выход аналогово-цифрового преобразователя с электронно-вычислительной машиной. Электронно-вычислительная машина соединена с входом цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с входом схемы управления усилителем и одновременно с входом схемы управления и запуска генератора линейно изменяющегося напряжения, выход которой соединен с входом генератора линейно изменяющегося напряжения, а выход схемы управления усилителем со вторым входом логарифмического усилителя. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей и автоматизацию процесса измерения и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий с привлечением электронно-вычислительной машины. 1 ил.

 

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е. m-фактора.

Известно устройство для регистрации m-фактора [1]. Его недостатком является невозможность непрерывной регистрации зависимости коэффициента неидеальности от протекающего через испытуемый диод тока или же от приложенного к нему напряжения, поскольку коэффициент неидеальности измеряется по точкам.

Известно также устройство для определения m-фактора [2]. Недостатком его является малый диапазон токов, в пределах которого можно регистрировать коэффициент неидеальности ВАХ. Данное устройство не позволяет регистрировать m-фактор передаточных ВАХ четырехполюсников, например коэффициент неидеальности зависимости тока коллектора биполярного транзистора от напряжения база-эмиттер.

Ближайшим аналогом является устройство [3]. Оно состоит из генератора линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН), выход которого соединен с входной клеммой для подключения испытуемого прибора, дифференциатора, преобразователя логарифма тока, делителя, опорного напряжения и регистратора.

Недостатком предложенного устройства является малая автоматизация процесса измерения.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей и автоматизация процесса измерения m-фактора с привлечением электронно-вычислительной машины (ЭВМ).

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства, которая содержит генератор линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН) 1, схему управления и запуска ГЛИН 2, исследуемое ППИ 3, логарифмический усилитель 4, схему управления усилителем 5, аналогово-цифровой преобразователь (АЦП) 6, цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) 7, электронно-вычислительную машину (ЭВМ) 8 и монитор 9.

Устройство работает следующим образом: перед началом регистрации коэффициента неидеальности ВАХ ГЛИН 1 находится в положении "Стоп", т.е. скорость нарастания его выходного напряжения равна нулю. Начальное напряжение ГЛИН устанавливается таким, чтобы через второй вывод исследуемого ППИ протекал ток I0, начиная с которого будет регистрироваться коэффициент неидеальности. Это напряжение обозначим как U10.

Затем ГЛИН после команды с ЭВМ 8 через ЦАП 7 и схему управления и запуска ГЛИН 2 переводится в положение "Пуск" и его выходное напряжение U1 будет нарастать по линейному закону

где K1 - скорость нарастания выходного напряжения.

Ток, текущий через второй вывод исследуемого ППИ 3, связан с напряжением U1, приложенным к первому выводу этого изделия, экспоненциальной зависимостью

где IS - ток насыщения,

m - коэффициент неидеальности,

ϕТ - температурный потенциал.

Передаточная характеристика логарифмического усилителя 4 описывается выражением:

где коэффициенты K2 и K3 описывают передаточную характеристику логарифмического усилителя.

При этом K2 и K3 меняют с помощью схемы управления усилителем через ЦАП 7 с ЭВМ 8.

Из выражений (2) и (3) получаем, что напряжение на выходе логарифмического усилителя 4 равно

Это напряжение поступает на вход ЦАП 7, а с выхода ЦАП в цифровом виде в ЭВМ 8, где в соответствии с написанной программой численно дифференцируется по t и становится равным:

Получается, что коэффициент неидеальности обратно пропорционален напряжению U3. График зависимости коэффициента неидеальности от напряжения U1 выводится на экран монитора 9. При этом напряжение U1 получается программно, исходя из того, что напряжение на выходе ГЛИН управляется схемой управления и запуска ГЛИН, а схема управления и запуска ГЛИН управляется числовой последовательностью с ЦАП, который управляется в соответствии с программой ЭВМ.

Регистрация этой зависимости прекращается переводом ГЛИН в положение "Стоп" после команды с ЭВМ.

Диапазон токов, в пределах которого можно регистрировать коэффициент неидеальности ВАХ предлагаемым устройством, ограничен диапазоном преобразуемых токов логарифмическим усилителем который зависит и задается схемой управления усилителем.

Источники информации

1. Авт. св. № 1081572, кл. G01R 31/26.

2. Авт. св. № 1105835, кл. G01R 31/26.

3. Патент № 2020502, кл. G01R 31/26.

Устройство для регистрации коэффициента неидеальности экспоненциальных вольт-амперных характеристик полупроводниковых изделий, содержащее генератор линейно изменяющегося напряжения, выход которого соединен с входной клеммой для подключения исследуемого полупроводникового изделия, логарифмичесий усилитель, аналогово-цифровой преобразователь, цифроаналоговый преобразователь, электронно-вычислительную машину и монитор, отличающееся тем, что дополнительно введены схема управления усилителем и схема управления и запуска генератора линейно изменяющегося напряжения, причем выходная клемма исследуемого полупроводникового изделия соединена с первым входом логарифмического усилителя, выход которого соединен с входом аналогово-цифрового преобразователя, а выход аналогово-цифрового преобразователя с электронно-вычислительной машиной, при этом электронно-вычислительная машина соединена с входом цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с входом схемы управления усилителем и одновременно с входом схемы управления и запуска генератора линейно изменяющегося напряжения, выход которой соединен с входом генератора линейно изменяющегося напряжения, а выход схемы управления усилителем со вторым входом логарифмического усилителя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к технике контроля полупроводников. .

Изобретение относится к области оптических информационных технологий, в частности к методам диагностики динамических параметров лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи и определяющих скорость передачи импульсно-кодовой информации.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к технике измерения параметров полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе серийного производства. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем оперативно запоминающих устройств (ИС ОЗУ), а также для причин их отказов.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к устройствам для измерения параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) энергии светового излучения в электрическую, и предназначено для автоматизированного контроля солнечных элементов (СЭ), генераторов тока (ГТ) и батарей фотоэлектрических (БФ) при освещении их импульсным ксеноновым излучателем на заводе-изготовителе и в эксплуатирующих организациях
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по радиационной стойкости

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения транзисторов повышенной надежности из партии в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем), и может быть использовано для разделения изделий по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области испытаний изделий электронной техники и может быть использовано для оценки качества и надежности изделий микро- и наноэлектроники, применяемых в аппаратуре с длительными сроками эксплуатации
Наверх