Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах


 


Владельцы патента RU 2464583:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах проводится измерение электрических параметров, кипячение их в дистиллированной воде в течение 2-3-х часов и вновь проводят измерение электрических параметров после 2-х часов их выдержки в нормальных условиях. По результатам испытаний проводят сравнение партий. Техническим результатом изобретения является повышение оперативности проведения сравнительных испытаний по стойкости к влаге полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах. 1 табл.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Из техники известно, что пластмасса, используемая для корпусирования ППИ, не является абсолютно герметичной. Поэтому кристаллы ППИ защищаются или оксидом кремния, или различными лаками. Устойчивость ППИ к влаге зависит от конструкции изделий и от свойств применяемой пластмассы. Если ППИ в полых корпусах, например металлостеклянных, проверяются на герметичность, то ППИ в пластмассовых корпусах не проверяются на герметичность.

Наиболее близок стандартный способ испытаний [1], например, интегральных схем (ИС) в полых корпусах на воздействие повышенной влажности в камере влаги продолжительностью 4 или 10 суток при температуре 40±2°C и относительной влажности (93±2)%. Эти испытания не могут быть использованы для сравнительных ускоренных испытаний партий ППИ одного типа по стойкости к влаге из-за их длительности, применения специальных камер.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков. Это достигается тем, что испытание изделий проводится в течение 2-3-х часов в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде, чтобы загрязнения из простой воды не попадали на корпуса изделий и не вызывали повышенных значений токов утечки.

Способ осуществляют следующим образом. На одинаковой представительной выборке от каждой сравниваемой партии измеряются электрические параметры до испытаний и после 2-часовой выдержки в нормальных условиях после испытаний в кипящей воде в течение 2-3-х часов. Партия, в которой имеются катастрофические отказы или электрические параметры изделий изменяются более значительно, чем в сравнительной партии, является менее стойкой к воздействию влаги, т.е. менее надежной.

Время испытаний изделий в кипящей воде выбиралось исходя из полученных экспериментальных данных (таблица) на транзисторах КТ3107И.

№ транзистора Результаты замеров параметра h21Э после испытаний в течение
до испытаний 1 часа 2-х часов 3-х часов
1 78 78 76 78 1,00
2 92 92 91 89 1,03
3 130 128 124 123 1,06
4 78 77 76 76 1,03
5 169 167 165 164 1,03
6 94 93 90 90 1,04
7 90 89 - - -
8 90 - - - -
9 117 116 114 113 1,04
10 101 98 97 97 1,04

Полученные в таблице данные показывают, что испытанная выборка транзисторов имела два катастрофических отказа. Изменение электрических параметров незначительное. На выборке их второй партии имелся только один отказ после 2-х часов кипячения в воде. Поэтому партия №2 более надежная.

Источники информации

1. ОСТ 11 073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 2 (испытания на воздействие климатических факторов и сред заполнения). С.15-17.

Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках изделий из партий проводят измерения электрических параметров до и после испытаний, отличающийся тем, что проводят испытания изделий в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде в течение 2-3 ч.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы.

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. .

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП.

Изобретение относится к контролю качества полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом.

Изобретение относится к микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров двуханодных стабилитронов при их производстве.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Наверх