Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности



Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности
Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности
Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности

 


Владельцы патента RU 2465612:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий транзисторов проводят измерение интенсивности шума разных переходов после четырехкратного воздействия электростатическими разрядами потенциалом, начиная с допустимого, затем увеличивая его не более чем в два раза с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. По разности значений интенсивности шума на переходах судят о потенциальной надежности сравниваемых партий транзисторов.

Техническим результатом изобретения является неразрушающий контроль партий транзисторов по критерию надежности. 2 табл., 1 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий транзисторов по стойкости с электростатическими разрядами (ЭСР) на этапах выпуска и применения.

Известно [1], что с увеличением подаваемого напряжения ЭСР на полупроводниковые изделия, в том числе и на транзисторы, их электрические параметры изменяются в худшую строну.

Известен способ [2] сравнительной оценки надежности партий транзисторов по влиянию величины ЭСР на появление параметрических и катастрофических отказов. При этом на транзисторы подается ЭСР потенциалом, вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям (ТУ) с последующим его увеличением ступенчато на 20-30 В.

Недостаток данного метода: необходимость проведения воздействия ЭСР, начиная с удвоенной величины допустимого по ТУ напряжения разряда и продолжения увеличения напряжения до появления параметрического или катастрофического отказа.

Изобретение направлено на устранение указанного недостатка, а именно в предлагаемом способе ЭСР подается отдельно на переходы эмиттер-база и коллектор-база потенциалом, начиная с допустимого, а затем увеличивая его, но не более чем в два раза, с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. Значения величины низкочастотного шума измеряются на различных переходах до испытаний и после каждого последующего воздействия ЭСР. По разности значений интенсивности шума на переходах коллектор-эмиттер и коллектор-база судят о потенциальной надежности сравниваемых партий транзисторов.

Способ апробирован на 10 транзисторах типа КТ838А (мощные биполярные транзисторы p-n-p проводимости), у которых измеряли величину интенсивности шума при прямом рабочем токе 3 мА до и после воздействия ЭСР. Воздействие ЭСР осуществляли по модели тела человека с потенциалом 500 В (допустимое значение по ТУ), 650 В, 850 В, 1000 В с числом воздействий ЭСР соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. Результаты измерений , а также значения изменения величины (разность напряжения шума эмиттерного и коллекторного перехода) после воздействий ЭСР приведены в таблицах 1 и 2.

В таблицах 1 и 2 показаны результаты измерений при различных напряжениях с целью представления изменения низкочастотного шума с увеличением напряжения. Практически замеряют начальное и после 1000 В. На второй партии замеры проведены только после воздействия ЭСР напряжением 1000 В (см. рис.).

Так как в этом способе воздействие ЭСР осуществляют напряжением больше допустимого, то он может применяться только для выборочной оценки партий транзисторов по потенциальной надежности. Из рисунка видно, что партия I более надежна, чем партия II.

Источники информации

1. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатический заряд в электронике // Мн.: Бел. наука, 2006. - 295 с.

2. Патент РФ №2226698, МПК G01R 31/26. Опубликован 10.04.2004. Бюл. №10.

Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности, заключающийся в измерении интенсивности шума по различным переходам транзисторов после воздействия электростатических разрядов, отличающийся тем, что электростатические разряды подают отдельно на переходы эмиттер-база и коллектор-база не менее четырех напряжений: допустимым и превышающим допустимое по техническим условиям в два раза и с двумя промежуточными напряжениями - с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1, различной полярности.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы.

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. .

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП.

Изобретение относится к контролю качества полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Наверх