Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности



 


Владельцы патента RU 2484489:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ отбраковки полупроводниковых изделий предполагает измерение у каждого изделия информативного электрического параметра или параметров, при этом измерения параметров осуществляют после проведения пяти воздействий электростатическим разрядом различной полярности предельно допустимым напряжением и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой температуре кристалла. По результатам испытаний рассчитывают коэффициент К по формуле

K = ( A Э С Р A н а ч ) / ( A Э С Р A T T ) ,

где Анач, АЭСР, ATT - значения электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно, и в зависимости от критерия К, установленного для каждого типа полупроводникового изделия, определяют ненадежные изделия. Технический результат изобретения - повышение достоверности испытаний и расширение функциональных возможностей отбраковки полупроводниковых изделий.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ разделения партий на три группы по надежности [1]: пониженного уровня, уровня, соответствующего требованиям технических условий, и повышенного уровня.

Наиболее близким является способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [2], по которому на приборы воздействуют электростатическим разрядом (ЭСР), напряжением на 20-30% превышаемый допустимый по техническим условиям потенциал, после чего проводят термический отжиг при температуре 100-125°С в течение 2-4 ч, а относительную величину изменения интенсивности шумов F рассчитывают по формуле

F = ( U ¯ Ш Э С Р 2 U ¯ Ш Н А Ч 2 ) / ( U ¯ Ш Э С Р 2 U ¯ Ш О Т Ж 2 ) ,

где U ¯ Ш Н А Ч 2 , U ¯ Ш Э С Р 2 , U ¯ Ш О Т Ж 2 - значения интенсивности шумов до, после воздействия ЭСР и после отжига, и в зависимости от критерия F, установленного для каждого типа полупроводникового прибора, определяют ненадежные приборы.

Недостатком способа является подача электростатического заряда напряжением, превышающем на 20-30% допустимый по техническим условиям потенциал, что может внести недопустимые изменения в структуре ППИ.

Изобретение направлено на повышение достоверности и расширения функциональных возможностей.

Это достигается тем, что измерения информативного электрического параметра или параметров при нормальной температуре проводят до, после воздействия ЭСР допустимой по техническим условиям величины и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой по техническим условиям температуре кристалла.

Способ осуществляется следующим образом: ЭСР воздействует по пяти разрядов в обоих направлениях для транзисторов: эмиттер-база, эмиттер-коллектор, коллектор-база; на цифровые и аналоговые интегральные схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, вход - выход, питание - общая точка [3].

По результатам испытаний и измерений электрических параметров рассчитывают коэффициент К по формуле

K = ( A Э С Р A н а ч ) / ( A Э С Р A T T ) ,

где Анач, АЭСР, АТТ - значения электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно.

По набранной статистике для данного типа изделий определяется значение коэффициента, по которым определяется изделие пониженной надежности.

Источники информации

1. Горлов М.И., Емельянов В.А., Ануфриев Д.Л. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий. - Мн.: Белорусская наука. 2006. - 367 с.

2. Патент РФ №2230335, G01R 31/26, опубл. 10.06.2004. Бюл. №16.

3. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатические заряды в электронике. - Минск: Белорусская наука, 2006, с.32-33.

Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности, в соответствии с которым у каждого изделия партий измеряют информативный электрический параметр или параметры, отличающийся тем, что измерения параметров проводят после проведения пяти воздействий электростатическим разрядом различной полярности предельно допустимым напряжением и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой температуре кристалла, по результатам испытаний рассчитывают коэффициент К по формуле:
K = ( A Э С Р A н а ч ) / ( A Э С Р A T T ) ,
где Анач, АЭСР, ATT - значение электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно, и в зависимости от критерия К, установленного для каждого типа полупроводникового изделия, определяют ненадежные изделия.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники. .

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с элементами с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема дополнительно содержит второй отрезок линии передачи на выходе, две емкости, резистор, индуктивность, две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Элементы с перестраиваемыми параметрами выполнены в виде полевых транзисторов с барьером Шотки. На затвор полевого транзистора подают управляющее напряжение от соответствующего источника. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема содержит второй центральный проводник в виде отрезка линии передачи, две емкости, резистор, индуктивность, элемент с перестраиваемыми параметрами в виде полевого транзистора с барьером Шотки и две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс. Энергию электронов обеспечивают преимущественно 18 кэВ и выше. Технический результат заключается в уменьшении влияния неоднородности ионизационных потерь и в устранении деградации активных слоев ППСГ при измерениях. 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения. Способ разделения транзисторов по надежности включает измерение низкочастотного шума, при этом измерение напряжения низкочастотного шума перехода эмиттер-база проводят до и после воздействия рентгеновским излучением дважды: после облучения половины дозы и полной дозы допустимой по техническим условиям, и по поведению параметра низкочастотного шума разделяют транзисторы на надежные и потенциально ненадежные. Технический результат - повышение достоверности способа без превышения допустимых воздействующих факторов. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения на полупроводниковом диоде при малом измерительном токе - и определяют изменение температуры р-n-перехода. При этом модуляцию длительности импульсов греющего тока осуществляют по полигармоническому закону с заданным набором частот модуляции, вычисляют с помощью Фурье-преобразования мнимые и вещественные трансформанты температуры, по ним вычисляют значения амплитуд и фаз всех гармоник температуры, после чего определяют модули и фазы теплового импеданса на всех заданных частотах модуляции. Технический результат заключается в сокращении времени процесса измерения зависимости теплового импеданса от частоты модуляции греющей мощности и повышении оперативности контроля теплофизических параметров полупроводниковых диодов. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с центральной линией передачи, электрических ключей - полупроводниковых приборов, управляемых постоянными напряжениями, измеритель частотных характеристик соединен с одним концом центральной линии передачи, другой ее конец - с измеряемым двухполюсником. В котором в качестве измерителя частотных характеристик используют измеритель спектральной плотности мощности шума, интегральная схема выполнена в виде монолитной интегральной схемы на полупроводниковой подложке, при этом отрезок линии передачи выполнен равным одной восьмой длины волны в линии передачи, в качестве электрических ключей используют полевые транзисторы с барьером Шотки и, по меньшей мере, в виде одной пары, при этом в каждой упомянутой паре исток одного полевого транзистора с барьером Шотки соединен с центральной линией передачи на расстоянии одной восьмой длины волны в линии передачи от места соединения измеряемого двухполюсника и между парами, его сток с одним концом отрезка линии передачи, другой конец которого соединен со стоком другого полевого транзистора с барьером Шотки, его исток заземлен, постоянные управляющие напряжения подают на затворы каждого полевого транзистора с барьером Шотки от соответствующего источника постоянного управляющего напряжения. Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот, в повышении точности измерения путем снижения погрешности измерения и в упрощении устройства при сохранении возможности автоматизации. 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий полупроводниковых изделий (не менее 25 штук от каждой партии) проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей, потенциалом, допустимым по техническим условиям, затем для последнего измерения вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней и нижней норм параметра, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий. Технический результат: повышение функциональных возможностей способа.
Наверх