Кристаллические антитела против htnf



Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf
Кристаллические антитела против htnf

 


Владельцы патента RU 2486296:

ЭББОТТ БАЙОТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. (BM)

Настоящее изобретение относится к области иммунологии. Предложен способ порционной кристаллизации для кристаллизования антитела против hTNFα, включающий комбинирование водного раствора антитела, соли неорганического фосфата и ацетатного буфера и инкубацию полученной смеси. Рассмотрены кристалл антитела, в частности антитела D2E7, полученный способом по изобретению, фармацевтические композиции, в том числе инъецируемые жидкие композиции, содержащие кристалл антитела, суспензии кристаллов, а также способы лечения связанного с hTNFα расстройства и применение кристаллов антитела для получения фармацевтической композиции для лечения таких заболеваний. Настоящее изобретение может найти дальнейшее применение в терапии связанных с hTNFα заболеваний. 10 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 табл., 7 ил., 47 пр.

 

Текст описания приведен в факсимильном виде.

1. Способ порционной кристаллизации для кристаллизования антитела против hTNFα IgG1-типа, включающий стадии:
(a) комбинирования водного раствора указанного антитела, соли неорганического фосфата и ацетатного буфера с получением водной кристаллизационной смеси, где указанная водная кристаллизационная смесь имеет рН от примерно 3,5 до примерно 4,5, имеет концентрацию ацетатного буфера от примерно 0,05 М до примерно 0,3 М, имеет концентрацию соли неорганического фосфата от примерно 3 М до примерно 5 М и имеет концентрацию антитела от примерно 1 мг/мл до примерно 50 мг/мл; и
(b) инкубации указанной водной кристаллизационной смеси при температуре от примерно 4°С до примерно 37°С до тех пор, пока не образуется кристалл указанного антитела;
где антитело
(i) диссоциирует от hTNFα с константой скорости Koff 1·10-3 с-1 или меньше, как определено при помощи поверхностного плазменного резонанса; и
(ii) обладает доменом легкой цепи CDR3, включающим аминокислотную последовательность SEQ ID NO:3, и доменом тяжелой цепи CDR3, включающим аминокислотную последовательность SEQ ID NO:4;
где кристалл имеет длину примерно 2-500 мкм и отношение 1/d примерно от 3 до 30.

2. Способ кристаллизации по п.1, где буфер содержит ацетат натрия.

3. Способ кристаллизации по п.1, где фосфатная соль представляет собой гидрофосфатную соль.

4. Способ кристаллизации по п.3, где фосфатная соль представляет собой соль щелочного металла или смесь, по меньшей мере, двух различных солей щелочных металлов.

5. Способ кристаллизации по любому из пп.1-4, где инкубацию осуществляют в течение примерно от 1 ч до примерно 60 дней.

6. Способ кристаллизации по любому из пп.1-4, дополнительно включающий стадию сушки указанных кристаллов.

7. Способ кристаллизации по любому из пп.1-4, дополнительно включающий стадию замены кристаллизационного маточного раствора другим буфером.

8. Способ кристаллизации по любому из пп.1-4, где объем порции находится в диапазоне примерно от 1 мл до 20,000 л.

9. Кристалл антитела против hTNFα IgG1-типа для применения в медицине, полученный при помощи способа кристаллизации, как определено в п.1, где антитело
(i) диссоциирует от hTNFα с константой скорости Koff 1·10-3 или меньше, как определено при помощи поверхностного плазменного резонанса; и
(ii) обладает доменом легкой цепи CDR3, включающим аминокислотную последовательность SEQ ID NO:3, и доменом тяжелой цепи CDR3, включающим аминокислотную последовательность SEQ ID NO:4; и
где кристалл имеет длину примерно 2-500 мкм и отношение 1/d примерно от 3 до 30.

10. Кристалл по п.9, где указанное антитело является негликозилированным.

11. Кристалл по п.9, полученный из выделенного антитела человека, которое диссоциирует от hTNFα с Kd 1·10-8 М или меньше, как определено при помощи поверхностного плазменного резонанса, и нейтрализует цитотоксичность hTNFα в стандартном тесте in vitro L929 с IC50 1·10-7 М или меньше.

12. Кристалл по п.9, полученный из выделенного антитела человека с вариабельной областью легкой цепи (LCVR), включающей аминокислотную последовательность SEQ ID NO:1, и вариабельной областью тяжелой цепи (HCVR), включающей аминокислотную последовательность SEQ ID NO:2.

13. Кристалл по п.12, полученный из антитела D2E7.

14. Фармацевтическая композиция для лечения связанного с hTNFα заболевания, содержащая: (а) эффективное количество кристалла антитела против hTNFα, как определено в любом из пп.9-13, и (b) по меньшей мере, один фармацевтический эксципиент;
которая предоставлена в твердом, полутвердом или жидком составе, причем каждый состав содержит указанное антитело в кристаллической форме.

15. Фармацевтическая композиция для лечения связанного с hTNFα заболевания, содержащая: а) эффективное количество кристалла антитела против hTNFα, как определено в любом из пп.9-13, и (b) по меньшей мере, один фармацевтический эксципиент, который заключает или инкапсулирует кристаллы указанного антитела, где указанный фармацевтический эксципиент сохраняет кристаллическое состояние и имеет неионный характер по сравнению с указанным кристаллом.

16. Композиция по п.14, где указанная композиция имеет концентрацию антитела больше чем примерно 1 мг/мл.

17. Композиция по п.14, где указанная композиция имеет концентрацию антитела больше чем примерно 200 мг/мл.

18. Композиция по п.14 или 15, где указанный эксципиент содержит, по меньшей мере, один полимерный необязательно биоразлагаемый носитель или, по меньшей мере, один масляный или липидный носитель.

19. Композиция по п.18, где указанный полимерный носитель представляет собой полимер, выбранный из одной или более групп, состоящих из: поли(акриловой кислоты), поли(цианоакрилатов), поли(аминокислот), поли(ангидридов), поли(депсипептидов), сложных поли(эфиров), поли(молочной кислоты), поли(молочной-со-гликолевой кислоты) или PLGA, поли (β-гидроксибутриата), поли(капролактона), поли(диоксанона), поли(этиленгликоля), поли(гидроксипропил)метакриламида, поли(органе)фосфазена, сложных поли(ортоэфиров), поливинилового спирта), поли(винилпирролидона), сополимеров алкилвинилового эфира малеинового ангидрида, полиолов плюроников, альбумина, альгината, целлюлозы и производных целлюлозы, коллагена, фибрина, желатина, гиалуроновой кислоты, олигосахаридов, гликаминогликанов, сульфатированных полисахаридов, их смесей и сополимеров.

20. Инъецируемая жидкая композиция для лечения связанного с hTNFα заболевания, содержащая кристалл антитела против hTNFα, как определено в любом из пп.9-13, и имеющая концентрацию антитела в диапазоне примерно от 10 до 400 мг/мл.

21. Суспензия кристаллов для лечения связанного с hTNFα заболевания, содержащая кристаллы антитела против hTNFα, как определено в любом из пп.9-13, имеющая концентрацию антитела больше чем примерно 100 мг/мл.

22. Способ лечения связанного с hTNFα расстройства у млекопитающего, включающий стадию введения млекопитающему эффективного количества кристалла антитела против hTNFα по любому из пп.9-13.

23. Способ лечения связанного с hTNFα расстройства у млекопитающего, включающий стадию введения млекопитающему эффективного количества композиции по любому из пп.14-19.

24. Способ по п.21 или 22, где композицию вводят парентерально, перорально или при помощи инъекции.

25. Способ лечения связанного с TNFα расстройства у субъекта, который включает введение терапевтически эффективного количества кристаллов антитела по любому из пп.9-13.

26. Способ по п.25, где указанное связанное с TNFα расстройство выбирают из группы, состоящей из аутоиммунного заболевания, в частности ревматоидного артрита, ревматоидного спондилита, остеоартрита и подагрического артрита, аллергии, рассеянного склероза, аутоиммунного диабета, аутоиммунного увеита и нефротического синдрома; инфекционного заболевания, отторжения трансплантата или заболевания «трансплантат против хозяина», злокачественного новообразования, легочного расстройства, интестинального расстройства, кардиального расстройства, воспалительных заболеваний костей, заболевание резорбции костей, алкогольного гепатита, вирусного гепатита, фульминантного гепатита, нарушений свертывания, ожогов, повреждения реперфузии, келоидного образования, образования рубцовой ткани, лихорадки, периодонтального заболевания, ожирения и радиационной токсичности; спондилоартропатии, легочного расстройства, коронарного расстройства, метаболического расстройства, анемии, боли, нарушений работы печени, заболевания кожи, заболевания ногтей, или васкулита, болезни Бехсета, ревматоидного спондилита, астмы, хронического обструкционного заболевания легких (COPD), идиопатического фиброза легких (IPF), рестеноза, диабета, анемии, боли; нарушения, связанного с болезнью Крона; ювенильного ревматоидного артрита (JRA), инфекции вирусом гепатита С, псориаза, псориатического артрита, и хронического пятнистого псориаза, старческой кахексии, болезни Альцгеймера, отека мозга, воспалительной травмы головного мозга, синдрома хронической усталости, дерматомиозита, реакций на лекарственные средства, отека в спинном мозге и/или вокруг спинного мозга, наследственной перемежающейся лихорадки, синдрома Фелти, фиброза, гломерулонефритида, ослабления протезов, микроскопической ангиопатии, расстройства разнородной соединительной ткани, множественной миеломы, рака и кахексии, множественного нарушения работы органов, миелодиспластического синдрома, орхитного остеолиза; панкреатита, включая острый, хронический и панкреатический абсцесс; периодонтального заболевания полимиозита, прогрессирующей почечной недостаточности, псевдоподагры, гангренозной пиодермии, рецидивирующей полихондрии, ревматического заболевания сердца, саркоидоза, склерозирующего холангита, нарушения мозгового кровообращения, восстановления торакоабдоминальной аневризмы аорты (ТААА); периодического синдрома, связанного с рецептором TNF (TRAPS); симптомов, связанных с вакцинацией желтой лихорадки; воспалительных заболеваний, связанных с ухом; хронического воспаления уха или воспаления уха у детей, увеита, ишиаса, простатита, эндометриоза, хориоидальной неоваскуляризации, волчанки, синдрома Шегрена и дегенерации влажного пятна.

27. Применение кристаллов антитела против hTNFα, как определено в любом из пп.9-13, для получения фармацевтической композиции для лечения связанного с TNFα заболевания, как определено в п.26.

28. Кристалл антитела против hTNFα по любому из пп.9-13 для применения в медицине.

29. Способ по п.1, где антитело представляет собой D2E7.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs5(HSO 4)2(H2PO4)3 , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала.

Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению нового сложного оксида со структурой силленита, который является перспективным материалом для различных акусто- и оптоэлектронных устройств: пьезодатчиков, фильтров и линий задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерителей напряженности полей, пространственно-временных и магнитооптических модуляторов.

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв.
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, используемого в различных областях электронной техники, где использование кварца невозможно или ограничено и может применяться в функциональной пленочной электронике, пьезотехнике и акустоэлектронике.

Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче.

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов.

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. .

Изобретение относится к технологии выращивания нитевидных кристаллов неорганических соединений и может быть использовано для получения нитевидных монодисперсных кристаллов азида серебра с воспроизводимыми характеристиками.

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных водных растворов, и может быть использовано при скоростном выращивании профилированных кристаллов (например, типа KH2PO4, KD2PO4 , Ва(NO3)2 и др.).

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов.

Изобретение относится к кристаллографии, а более конкретно - к устройству для выращивания кристаллов биологических макромолекул, например кристаллов белка. .

Изобретение относится к области выращивания кристаллов белков и может быть использовано для исследования процессов кристаллизации и получения монокристаллов белков, в частности в условиях микрогравитации на борту орбитальной космической станции.

Изобретение относится к устройству и способу, предназначенным для кристаллизации белка. .

Изобретение относится к способу получения затравочных микрокристаллов для производства пептида или протеина, отличающемуся тем, что он включает в себя получение суспензии пептида или протеина без затравки и по меньшей мере двухкратную гомогенизацию указанной суспензии под давлением 50000-150000 кПа для получения микрокристаллов пептида или протеина, имеющих размер 0,5-4 мкм, пригодных для использования в качестве затравочных микрокристаллов в процессе производства указанного пептида или протеина.

Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано для получения монокристаллов макромолекул в условиях микрогравитации (МГ) на борту орбитальной станции и на Земле.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов макромолекул и может быть использовано в биотехнологии, в частности для получения монокристаллов белка вируса гриппа, обеспечивает устойчивый рост монокристаллов.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в биохимии , биологической кристаллографии, в кристаллохимии, химии натуральных веществ . .

Изобретение относится к оптоэлектронике , в частности к созданию элементов интегральной оптики и запоминающих устройств Обеспечивает исключение разрушающего воздействия воды, увеличение степени ориентации молекул в пленке, регулирование ее толщины и увеличение производи гельности процесса Используют метод электрофореза Осаждение ведут из водной суспензии бактериородопсина на вертикально установленную подвижную подложку при напряженности электрическою поля между подложкой и электродом 20-40 В/см и вытягивании подложки со скоростью 60- 720 мм/ч Возможно получение однородных пленок толщиной от 5 до 120 мкм и большой площади.
Наверх