Оптический модуль светодиодного светильника



Оптический модуль светодиодного светильника
Оптический модуль светодиодного светильника
Оптический модуль светодиодного светильника
Оптический модуль светодиодного светильника
Оптический модуль светодиодного светильника

 

H01L33/48 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2503095:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) (RU)

Изобретение относится к светотехнике, в частности к световым приборам на светодиодах. Сущность изобретения заключается в том, что рабочая поверхность формирующей оптической системы, через которую выводится излучение светодиода, представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность. Оптический модуль согласно изобретению содержит светодиод (светодиодный кристалл) и примыкающую к нему формирующую оптическую систему (ФОС), через которую выводится излучение светодиода. Рабочая световыводящая поверхность ФОС представляет собой асимметричную асферическую поверхность, при этом форма рабочей поверхности ФОС определена из решения предложенной системы уравнений. Задача изобретения заключается в создании оптического модуля, обеспечивающего формирование требуемой индикатрисы излучения. 1 табл., 3 ил.

 

Изобретение относится к светотехнике, в частности к световым приборам на светодиодах (СД). Данное изобретение может быть использовано в системах внешнего (подсветка улиц, автомагистралей, технических сооружений) и внутреннего (подсветка жилых, офисных и производственных помещений) освещения.

Уровень техники

Известны конструкции оптических модулей, в которых формирование требуемой индикатрисы осуществляется за счет выбора формы, размеров и материалов формирующей оптической системы (ФОС).

Наиболее близким техническим решением является светодиод с оптическим элементом (оптический модуль) (Патент РФ №2265917, МПК H01L 33/00, опубл. 10.12.2005). Оптический модуль содержит светоизлучающий кристалл с примыкающей к нему однолинзовой ФОС, которая имеет асферическую форму наружной (рабочей) поверхности, образованную вращением вокруг оси симметрии светодиода кривой, полученной с учетом оптических свойств светодиодного кристалла и материала ФОС. В рассматриваемом устройстве ФОС собирает и выводит через рабочую поверхность все излучение, испускаемое кристаллом, и осуществляет преобразование исходной индикатрисы в индикатрису требуемой формы.

Однако с помощью данного устройства можно получить индикатрису только осесимметричной формы.

Раскрытие изобретения

Задачей заявляемого изобретения является создание оптического модуля, обеспечивающего формирование требуемой индикатрисы, имеющей в общем случае асимметричную форму, для решения конкретной осветительной задачи, например для освещения участка автомобильной дороги.

Причем указанный оптический модуль является частью светодиодного светильника, состоящего из множества таких близко расположенных сонаправленных идентичных модулей, число которых определяется требованиями по светоэнергетическим параметрам разрабатываемого светильника. Поскольку все модули в дальней зоне (на расстоянии, в 10…20 раз превышающем поперечные размеры светильника) формируют одинаковое световое поле, то и весь светильник даст идентичное световое поле. То есть индикатриса всего светильника (поле в дальней зоне) практически идентична индикатрисе единичного модуля.

Сущность изобретения заключается в том, что в оптическом модуле, состоящем из светодиода (светодиодного кристалла) и примыкающей к нему ФОС, ее рабочая поверхность, через которую выводится излучение светодиода, представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность. При этом форма рабочей поверхности определена из решения системы уравнений

{ F ( ρ l , θ l , ϕ l ) = 0 | F ( ρ l , θ l , ϕ l ) × n ( ( θ l , ϕ l ) | = 0

где F ( ρ , θ , φ ) = i = 0 M j = 0 K C i j ( ρ s i n θ c o s φ ) i ( ρ s i n θ s i n φ ) j ρ c o s θ = 0 - уравнение рабочей поверхности в сферической системе координат с центром в геометрическом центре светодиодного кристалла; - оператор градиента функции; { n l } = { n ( θ l , ϕ l ) } - векторного поля нормалей { n l } к рассчитываемой рабочей поверхности в точках { ( θ l , φ l ) } ; l = 1 , N ¯ , N - число точек на рабочей поверхности, для которых определены нормали; Cij - - коэффициенты уравнения рабочей поверхности; М и К - максимальные степени полинома, а нормали n l определены на основании функции преобразования индикатрис, характеризующей процесс преобразования формирующей оптической системой исходной индикатрисы светодиодного кристалла в индикатрису требуемой формы и связывающей соответствующие телесные углы указанных индикатрис (Ω и Ω') через равенство потоков излучения, распространяющегося в пределах этих углов: Ф(Ω)=Ф(Ω').

Краткое описание чертежей

На фиг.1 представлены индикатрисы излучения: а) ламбертовая и б) требуемая;

На фиг.2 представлен ход луча в ФОС;

На фиг.3 представлены аксонометрические проекции (виды спереди и сзади) оптического модуля с ФОС с рассчитанной рабочей поверхностью.

Осуществление изобретения

Работает устройство следующим образом. Световой поток от светоизлучающего кристалла поступает на однолинзовую ФОС, преобразующую световой поток с ламбертовой индикатрисой в поток, преобразованный ФОС. Принципиально важной особенностью заявляемого изобретения является то, что рабочая поверхность ФОС представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность, форму которой получают непосредственно из решения системы нелинейных уравнений.

Форма поверхности рассчитана с учетом оптических свойств и габаритных характеристик светодиодного кристалла, материала оптической системы и требований к формируемой индикатрисе. Для того чтобы входящая в состав оптического модуля ФОС формировала требуемую индикатрису излучения, на первом этапе расчета ее рабочей поверхности определяют функцию преобразования индикатрис (ФПИ) - зависимость угловых сферических координат выхода луча из ФОС (θ', φ') от угловых сферических координат выхода луча (θ, φ) со светоизлучающей площадки светодиода (СД), характеризующая требуемое преобразование индикатрис I ( θ , φ ) Ф П И I ( θ , φ ) : ( θ ' φ ' ) Ф П И ( θ φ ) . Причем при определении ФПИ используется закон сохранения энергии Φ(Ω)=Φ(Ω'), где Φ(Ω) и Φ(Ω')- потоки излучения от СД до и после ФОС в пределах телесных углов Ω, и Ω' соответственно. Потоки излучения при известных индикатрисах I(θ,φ) и I'(θ',φ') определяются по формулам Φ ( Ω ) = Ω I ( θ , φ ) sin θ d θ d φ и Φ ( Ω ) = Ω I ( θ , φ ) s i n θ d θ d φ .

ФПИ необходима для определения векторного поля нормалей { n l } (фиг.2) к рассчитываемой рабочей поверхности в точках: { ( θ l , φ l ) } : n l = n ( θ l , φ l ) :

n l = q l ' n n ' q l | q l ' n n ' q l | ,

где n - показатель преломления материала ФОС (2); n' - показатель преломления воздуха, n'=1,0; q l - направляющий вектор луча, выходящего с поверхности светоизлучающей площадки СД (1), проходящего в ФОС и приходящего в точку (θll), q l ( θ l , ϕ l ) = { s i n θ l c o s ϕ l ; s i n θ l s i n ϕ l ; c o s θ l } ; q l ' - направляющий вектор луча, выходящего из ФОС в точке (θl, φl), q l ' ( θ l ' , φ l ' ) = { s i n θ l ' c o s φ l ' ; s i n θ l ' s i n φ l ' ; c o s θ l ' } ; l - точки, l = 1 , N ¯ , N - число точек.

На втором этапе расчета определяют собственно саму рабочую поверхность ФОС. Для этого сначала выбирают вид уравнения рабочей поверхности ФОС. В частности, уравнение может быть представлено в виде степенного полинома (в сферической системе координат с центром в геометрическом центре светодиодного кристалла):

F ( ρ , θ , φ ) = i = 0 M j = 0 K C i j ( ρ s i n θ c o s φ ) i ( ρ s i n θ s i n φ ) j ρ c o s θ = 0 ,

где (ρ,θ,φ) - сферических координаты точек рабочей поверхности ФОС; М и К - максимальные степени полинома.

Коэффициент С00 есть толщина ФОС вдоль оптической оси, которая определяется из конструктивных и технологических соображений (в том числе габаритных ограничений на ФОС). Остальные коэффициенты уравнения поверхности Cij неизвестны и определяются в процессе расчета.

Далее составляют и решают систему уравнений для совокупности нормалей к поверхности:

{ F ( ρ l , θ l , ϕ l ) = 0 | F ( ρ l , θ l , ϕ l ) × n ( ( θ l , ϕ l ) | = 0 ,

где l = 1 , N ¯ , N - число точек на рабочей поверхности, для которых определены нормали; - оператор градиента функции.

Сферические координаты ρl, неизвестны и их определяют в процессе расчета.

При этом для N нормалей получается 2N уравнений с N+M·K неизвестными ({ρl}, {Cij}). Для получения качественного решения необходимо, чтобы N≥(1,5…2,5)М·К.

Искомым решением системы уравнений для всех нормалей являются коэффициенты Cij уравнения рабочей поверхности ФОС.

В качестве примера был разработан оптический модуль, используемый в светодиодном светильнике, предназначенном для равномерной подсветки участка двухполосного дорожного полотна размером 30×5,6 м2 при расположении светильников на столбах высотой 10 м с углом наклона гусака 15°, расстояние между столбами 30 м вдоль полотна дороги.

Уравнение рабочей поверхности ФОС оптического модуля представляет собой степенной полином двух переменных: F ( ρ , θ , φ ) = i = 0 1 0 j = 0 1 0 C i j ( ρ s i n θ c o s φ ) i ( ρ s i n θ s i n φ ) j ρ c o s θ ,

Значения коэффициентов C2ij, полученных в результате решения, приведены в таблице.

Две аксонометрические проекции (виды спереди и сзади) оптического модуля с ФОС с рассчитанной в примере рабочей поверхностью представлены на фиг.3.

Оптический модуль, содержащий светодиод (светодиодный кристалл) и примыкающую к нему формирующую оптическую систему (ФОС), имеющую рабочую световыводящую поверхность, отличающийся тем, что рабочая поверхность ФОС представляет собой асимметричную асферическую поверхность, при этом форма рабочей поверхности ФОС определена из решения системы уравнений
{ F ( ρ l , θ l , φ l ) = 0 | F ( ρ l , θ l , φ l ) × n ( ( θ l , φ l ) | = 0 ,
где г д е F ( ρ , θ , φ ) = i = 0 М j = 0 К C i j ( ρ s i n θ c o s φ ) i ( ρ s i n θ s i n φ ) j ρ c o s θ = 0 - уравнение рабочей поверхности в сферической системе координат с центром в геометрическом центре светодиодного кристалла; - оператор градиента функции; { n l } = { n ( θ l , ϕ l ) } - векторное поле нормалей { n l } к рассчитываемой рабочей поверхности в точках { ( θ l , φ l } ; l = 1 , N ¯ , N - число точек на рабочей поверхности, для которых определены нормали; Cij - коэффициенты уравнения рабочей поверхности; М и К - максимальные степени полинома, а нормали n l определены на основании функции преобразования индикатрис, характеризующей процесс преобразования формирующей оптической системой исходной индикатрисы светодиодного кристалла в индикатрису требуемой формы и связывающей соответствующие телесные углы указанных индикатрис (Ω и Ω') через равенство потоков излучения, распространяющегося в пределах этих углов: Ф(Ω)=Ф(Ω').



 

Похожие патенты:

Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре.

Сид-модуль // 2503093
Согласно изобретению предложен источник света, который содержит СИД-кристалл и люминесцентный преобразователь длины волны, смонтированные бок о бок на основании, причем СИД-кристалл выполнен с возможностью излучения света возбуждения в первом диапазоне длин волн, а люминесцентный преобразователь длины волны выполнен с возможностью преобразования света возбуждения в преобразованный свет во втором диапазоне длин волн; отражатель со встроенным поглощающим слоем, причем отражатель выполнен с возможностью пропускания преобразованного света от люминесцентного преобразователя длины волны, причем встроенный поглощающий слой выполнен с возможностью снижения пропускания отражателем любого света возбуждения, падающего на отражатель под, по существу, непрямыми углами; и отдельный полусферический поглотитель, расположенный вокруг люминесцентного преобразователя длины волны таким образом, что преобразованный свет от люминесцентного преобразователя длины волны проходит через отдельный полусферический поглотитель при нормальном угле падения, а свет возбуждения, пропущенный через отражатель, проходит через отдельный полусферический поглотитель под непрямым углом.

Светоизлучающее устройство (1) содержит светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7) покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6), простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8).

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является воспроизведение света практически равномерного цвета.

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и удаление материала (54) прокладки, но меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке, причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (54) прокладки поверх кристалла СИД.

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света.

Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм.

Изобретение относится к люминисцентным материалам и их применению в светоизлучающих диодных устройствах. Предложен материал желтого послесвечения, имеющий химическую формулу aY2O3·bAl2O3·cSiO2:mCe·nB·xNa·yP, где a, b, c, m, n, x и y являются коэффициентами, причем a не меньше 1, но не больше 2, b не меньше 2, но не больше 3, c не меньше 0,001, но не больше 1, m не меньше 0,0001, но не больше 0,6, n не меньше 0,0001, но не больше 0,5, x не меньше 0,0001, но не больше 0,2, и y не меньше 0,0001, но не больше 0,5, причем Y, Al и Si являются основными элементами, а Ce, B, Na и P являются активаторами.

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при изготовлении устройств общего и местного освещения. Люминесцентный композитный материал содержит полимерную основу 1 из оптически прозрачного полимерного материала и многослойную полимерную пленку, содержащую люминофоры, из трех слоев: оптически прозрачная полимерная пленка 2; полимерная композиция 3, включающая неорганический люминофор - иттрий-алюминиевый гранат, допированный церием, или галлий-гадолиниевый гранат, допированный церием; полимерная композиция 4 с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами, выполненными из полупроводникового ядра, первого и второго полупроводниковых слоев, и испускающими флуоресцентный сигнал с максимумами пиков флуоресценции в диапазоне длин волн 580-650 нм.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является уменьшение неравномерности яркости и оттенков. Блок (49) задней подсветки устройства отображения (69) отображения, включающего в себя жидкокристаллическую панель отображения (59), включает в себя основание (41), рассеивающую пластину (43), которая поддерживается посредством основания, и точечный источник света для облучения светом рассеивающей пластины. Точечный источник света включает в себя светодиод (22), установленный на монтажной подложке (21). Предоставляется множество светодиодов, и соответственно они покрываются рассеивающими линзами (24). Оптические оси (OA) рассеивающих линз наклонены относительно рассеивающей пластины, и рассеивающие линзы, имеющие различные наклоны оптических осей, располагаются на основании смешанным образом. Рассеивающие линзы, имеющие оптические оси, наклонные в противоположных направлениях, спариваются, и пары размещаются в матрице. 6 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.

Источник света, в котором используют светоиспускающий диод с элементом, преобразующим длину волны, выполнен с возможностью получения неравномерного углового распределения цвета, которое можно использовать с конкретным оптическим устройством, которое трансформирует угловое распределение цвета в равномерное распределение цвета. Соотношение высоты и ширины элемента, преобразующего длину волны, выбирают для получения желаемого неравномерного углового распределения цвета. Использование управляемой угловой неравномерности цвета в источнике света и его использование в применениях, которые трансформируют неравномерность в равномерное распределение цвета, увеличивает эффективность системы по сравнению со стандартными системами, в которых используют равномерный угловой светоиспускающий диод. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона. Согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока. Изобретение обеспечивает повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками. 1 з.п. ф-лы.

Способ изготовления относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Сущность способа заключается в том, что на световыводящей поверхности GaN-n или GaN-p типов осаждается просветляющее оптическое покрытие SiO2 и в нем формируется микрорельеф в виде наноострий с плотностью 107-108 шт/см2. Данный способ позволяет создавать микрорельефную рассеивающую свет световыводящую поверхность как на GaN n-типа, так и на GaN р-типа без ухудшения параметров гетероструктуры, кроме того, способ предназначен для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе GaN. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света на основе светодиодов. Светодиод содержит по меньшей мере один светоизлучающий кристалл со сверхузкой диаграммой направленности, который установлен в корпусе из оптически прозрачного материала, световыводящая поверхность которого выполнена сферической формы, причем размер сферы и высота оптического элемента связаны определенным соотношением, зависящим от угла расходимости потока излучения светодиода; высоты оптического элемента; радиуса сферы оптического элемента; угловой величины диаграммы направленности светового потока излучающего кристалла и показателя преломления материала оптического элемента. Изобретение обеспечивает возможность создания светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока. 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления шаровидной светодиодной лампы (10), имеющей прозрачную колбу (14) и основание (12) для присоединения к ламповому патрону. Путем обертывания основания (12) расширяющейся лентой (38) из пеноматериала типа Compriband или подобной, до вставки в участок (16) горловины колбы (14), может быть достигнуто автоматическое выравнивание основания (12) в горловине (16) колбы. Дополнительно, полосы (36) из мягкого металла могут быть обернуты вокруг ленты (38) до обертывания ленты (38) вокруг основания (12). Лента (38) выполняет функцию воздушной подушки, которая прижимает металлические полосы (36) к основанию (12) и колбе (14). Технический результат - повышение теплоотвода за счет улучшение передачи тепла от основания к колбе. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Светоизлучающее устройство (100) согласно изобретению содержит по меньшей мере один излучатель (101) света, расположенный на подложке (102), и отражающий оптический корпус (103, 108), по меньшей мере частично окружающий по сторонам упомянутый по меньшей мере один излучатель (101) света, причем пространство (106) между упомянутым отражающим оптическим корпусом (103, 108) и упомянутым по меньшей мере одним излучателем (101) света наполнено по меньшей мере частично суспензией отражающего материала (104). Светоизлучающее устройство дополнительно содержит по меньшей мере один канал (105), подходящий для применения упомянутого отражающего материала (104). Также предложен способ изготовления описанного выше светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает возможностью улучшенной светоотдачи, упрощение технологии изготовления светоизлучающего устройства, обеспечение меньшего потребления материала для изготовления светоизлучающего устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Предложены два варианта светоизлучающих устройств, использующих проводящий связывающий агент при соединении корпуса и крышки. Также предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, который включает в себя этап соединения крышки 3, имеющей рамную часть 4, с корпусом 1, имеющим светоизлучающий элемент 2, установленный в углублении корпуса 1, чтобы закрыть отверстие углубления. На этапе соединения металлический связывающий агент 31, имеющий лучшую смачиваемость в отношении рамной части 4, нежели в отношении корпуса 1, частично наносится на корпус 1 или рамную часть 4, и распространяется вдоль рамной части 4, и соединяется, при этом пространство определяется областью соединения, где соединяется металлический связующий агент, и корпус 1 и рамная часть 4 соединяются. Изобретение обеспечивает возможность стабильного производства не воздухонепроницаемого светоизлучающего устройства при использовании для соединения крышки и корпуса металлического связывающего агента за счет исключения короткого замыкания электродов. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к монтажной плате с повышенной устойчивостью к коррозии, способу изготовления такой монтажной платы, дисплейной панели и дисплейного устройства. Технический результат - создание монтажной платы, способной предотвращать коррозию металлических электродов по причине дефектов прозрачной проводящей пленки, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки. Достигается тем, что подложка (20) активной матрицы содержит стеклянную подложку (21); металлический проводник (22), выполненный на стеклянной подложке 21; изолирующую пленку 24 затвора, покрывающую металлический проводник (22); межслойную изолирующую пленку (29), покрывающую изолирующую пленку (24) затвора; и прозрачный электрод (33), формируемый на межслойной изолирующей пленке (29). Проводник (22) развертки содержит контактную область (55), в которой прозрачный электрод (33) наносят непосредственно на проводник (22) развертки. Прозрачный электрод 33 проходит над контактной областью (55) таким образом, чтобы покрывать торцевую поверхность (29а) межслойной изолирующей пленки (29), обращенную к контактной области (55), и торцевую поверхность (24а) изолирующей пленки (24) затвора, обращенную к контактной области (55). 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 52 ил.
Наверх