Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель


 

H01L33/50 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2504048:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) (RU)

Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона. Согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока. Изобретение обеспечивает повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками. 1 з.п. ф-лы.

 

Изобретение относится к светотехнике, а именно, к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками.

Важной задачей в области светотехники является создание полупроводниковых электролюминесцентных излучателей с определенными цветовыми оттенками излучения.

Известны полупроводниковые электролюминесцентные излучатели, цветовые характеристики которых определяются структурой и материалом используемого в них полупроводникового светоизлучающего кристалла.

Так, известен полупроводниковый светоизлучающий кристалл [RU 102849], позволяющий генерировать "глубокий" зеленый цвет излучения. Указанный кристалл содержит эпитаксиальную гетероструктуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN, включающую активную область с квантовой ямой, выполненной из нитридного материала InGaN, которая обеспечивает излучение в зеленой области видимого света. При этом присутствующее в составе материала квантовой ямы количество индия распределено в указанном материале не равномерно по толщине квантовой ямы, а уменьшается ступенчато или плавно по ее толщине в направлении эпитаксиального роста гетероструктуры. Это приводит к тому, что излучаемое кристаллом световое излучение зеленого цвета смещается в длинноволновую область его спектра, максимум которого лежит в диапазоне длин волн 540-570 нм.

Известен полупроводниковый излучатель [WO 9750132], содержащий полупроводниковый светоизлучающий кристалл с многополосным спектром излучения. Указанный кристалл генерирует свет в ультрафиолетовой, синей и/или зеленой области видимого спектра. Кроме того, рассматриваемый излучатель содержит люминофор, поглощающий часть генерируемого кристаллом излучения и преобразующий его в излучение с большей длиной волны. В результате суммарное излучение, генерируемое излучателем, обеспечивается смешением указанных выше излучений, при этом излучатель позволяет получить определенный цветовой оттенок излучаемого света, в том числе получить белый свет.

Таким образом, в описанных выше излучателях за счет конструкции и технологии их изготовления можно получить определенный цветовой оттенок излучения, однако в них не предусмотрена возможность управления цветовыми характеристиками в процессе эксплуатации.

Известен полупроводниковый электролюминесцентный излучатель, описанный в RU 2202843, который выбран в качестве ближайшего аналога.

Указанный излучатель включает соединенный с источником электропитания, полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока. При этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения амплитуды питающего тока соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона.

Указанное регулирование достигается путем изменения параметров электропитания, а именно, путем изменения величины тока. Соотношение интенсивностей излучений различного спектрального диапазона изменяется при изменении величины протекающего через кристалл тока, что связано с особенностями рекомбинации электронно-дырочных носителей в зонах генерации указанных излучений. Соответственно, изменяется "вклад" каждого из излучений в генерируемый кристаллом суммарный световой поток, что ведет к изменению цветового оттенка излучаемого кристаллом света.

Рассматриваемый излучатель позволяет изменять цветовые характеристики света в процессе эксплуатации.

Однако изменение цветовых характеристик в рассматриваемом излучателе сопровождается визуально различимым изменением силы света генерируемого кристаллом суммарного светового потока, что снижает комфортность зрительного восприятия генерируемого излучателем света.

Задачей заявляемого изобретения является повышение комфортности зрительного восприятия света, генерируемого излучателем с изменяемыми цветовыми характеристиками.

Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в полупроводниковом электролюминесцентном излучателе, включающем соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона, согласно изобретению использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока.

В частном случае выполнения изобретения излучатель содержит люминофорный материал, частично поглощающий излучение кристалла и преобразующий его в излучение иного спектрального диапазона.

Использование кристалла, излучающего свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах, позволяет получить в заявляемом излучателе суммарный световой поток, цветовой оттенок которого определяется соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона.

Особенностью заявляемого излучателя является использование в нем источника электропитания, снабженного схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока. Это позволяет в процессе эксплуатации заявляемого излучателя осуществлять амплитудно-широтную импульсную модуляцию протекающего через кристалл тока при постоянной частоте следования импульсов.

Изменение амплитуды импульсов протекающего через кристалл тока влияет неодинаковым образом на процесс рекомбинации электронно-дырочных носителей в зонах генерации излучений различного спектрального диапазона, что приводит к изменению соотношения интенсивностей указанных излучений. Соответственно, изменяется "вклад" каждого из излучений в генерируемый кристаллом световой поток, что обуславливает изменение цветового оттенка излучаемого кристаллом света.

То есть заявляемый излучатель обеспечивает возможность управления в процессе его эксплуатации цветовыми характеристиками света.

Принципиально важным является то, что в процессе амплитудно-широтной импульсной модуляции при изменении амплитуды импульсов тока изменяется и их длительность таким образом, чтобы сила света суммарного светового потока, генерируемого кристаллом, оставалась той же самой.

Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации заявляемого изобретения, является возможность управления характеристиками цветности излучателя при обеспечении постоянства генерируемого светового потока. Это способствует повышению комфортности зрительного восприятия генерируемого излучателем света, поскольку при изменении тона цвета излучения не сопровождается визуально различимым изменением силы света, генерируемого излучателем.

В случае когда излучатель содержит люминофорный материал, частично поглощающий излучение кристалла и преобразующий его в излучение иного спектрального диапазона, расширяются возможности получения требуемой цветности суммарного светового потока, в том числе можно получить суммарный белый цвет.

Заявляемое устройство содержит полупроводниковый светоизлучающий кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах. Устройство также содержит источник питающего напряжения, электрически соединенный с кристаллом, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции тока. Указанная схема обеспечивает такое изменение амплитуды и длительности импульсов питающего тока при постоянной частоте импульсов, при котором сохраняется постоянство силы света генерируемого кристаллом светового потока.

В частности, использован кристалл, содержащий выращенную методом эпитаксии на сапфировой подложке гетероструктуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGa с р-п переходом. Указанная гетероструктура включает п - контактный слой, выполненный из материала GaN, активную область с двумя квантовыми ямами, выполненными из материала InGaN, разделенными барьерными слоями, выполненными из материала (In)GaN, а также р - контактный слой, выполненный из GaN. Указанные квантовые ямы излучают свет в синем диапазоне спектра (450-490 нм) и в зеленом диапазоне спектра (500-570 нм). На п- и р-контактных слоях сформированы соответственно контакты п- и р-типа. Светоизлучающий кристалл смонтирован в рамочный корпус. Контакты п- и р-типа указанного кристалла соединены с помощью проволочных разводок с изолированными выводами, посредством которых кристалл соединен со схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции, подключенной к источнику электропитания.

Устройство может также содержать люминофорный материал, частично поглощающий излучение кристалла и преобразующий его в излучение иного спектрального диапазона.

В частности, устройство содержит компаунд с распределенными в нем частицами люминофора, в качестве которого использованы следующие вещества или их смеси: SrS:Eu, CaS:Eu. Спектр поглощения указанного материала лежит в области синего света, а спектр его излучения лежит в области красно-оранжевого света с длиной волны от 580 до 630 нм. Указанный компаунд покрывает верхнюю поверхность и боковые стенки кристалла.

Устройство работает следующим образом.

При протекании через кристалл тока, поступающего от источника электропитания и прошедшего через схему амплитудно-широтной импульсной модуляции, с помощью которой задаются амплитуда и длительность импульсного тока, кристалл излучает свет, по меньшей мере, в двух спектральных диапазонах.

В частности, кристалл генерирует излучение в синей и зеленой области спектра.

Генерируемый кристаллом световой поток образуется смешиванием излучений различного светового диапазона, при этом его цветовой оттенок определяется соотношением интенсивностей указанных излучений.

В случае использования в устройстве люминофорного материала часть генерируемого кристаллом излучения поглощается указанным материалом и преобразуется в излучение иного спектрального диапазона.

В частности, при прохождении светового потока через слой описанного выше люминофорного материала часть излучения синего цвета поглощается и преобразуется в излучение красно-оранжевого цвета. В результате суммарный световой поток представляет собой белый свет.

Для изменения цветовых характеристик устройства с помощью схемы амплитудно-широтной импульсной модуляции задают иные значения амплитуды и длительности импульсов питающего тока при сохранении их частоты. Изменение амплитуды импульсов тока приводит к изменению соотношения интенсивностей излучений различного цвета, в результате изменяется цветовой оттенок генерируемого кристаллом светового потока. При изменении (увеличении или уменьшении) амплитуды импульсов тока происходит изменение (соответственно, уменьшение или увеличение) длительности импульсов тока, при этом значения амплитуды и длительности импульсов задаются из условия сохранения постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока.

В частности, при использовании в устройстве описанного выше кристалла увеличение амплитуды импульсов тока приводит к увеличению доли излучения синего цвета в суммарном световой потоке по сравнению с долей излучения зеленого цвета и наоборот. Соответственно, изменяется оттенок генерируемого кристаллом светового потока, в том числе, оттенок белого света, получаемого в случае использования в устройстве описанного выше люминофорного материала. Так, при увеличении амплитуды тока спектр излучаемого устройством светового потока смещается в область "холодного" белого света, а при уменьшении амплитуды тока - в область "теплого" белого света. При этом изменение тона цвета излучения не сопровождается визуально различимым изменением силы света, генерируемого излучателем.

1. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель, включающий соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух различных спектральных диапазонах с регулируемым путем изменения параметров электропитания соотношением интенсивностей излучений различного спектрального диапазона, отличающийся тем, что использован источник электропитания, снабженный схемой амплитудно-широтной импульсной модуляции питающего тока, обуславливающей изменение величины амплитуды и длительности импульсов питающего тока при обеспечении постоянства силы света генерируемого кристаллом светового потока.

2. Излучатель по п.1, отличающийся тем, что он содержит люминофорный материал, частично поглощающий излучение кристалла и преобразующий его в излучение иного спектрального диапазона.



 

Похожие патенты:

Источник света, в котором используют светоиспускающий диод с элементом, преобразующим длину волны, выполнен с возможностью получения неравномерного углового распределения цвета, которое можно использовать с конкретным оптическим устройством, которое трансформирует угловое распределение цвета в равномерное распределение цвета.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является уменьшение неравномерности яркости и оттенков.

Изобретение относится к светотехнике, в частности к световым приборам на светодиодах. Сущность изобретения заключается в том, что рабочая поверхность формирующей оптической системы, через которую выводится излучение светодиода, представляет собой в общем случае асимметричную асферическую поверхность.

Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре.

Сид-модуль // 2503093
Согласно изобретению предложен источник света, который содержит СИД-кристалл и люминесцентный преобразователь длины волны, смонтированные бок о бок на основании, причем СИД-кристалл выполнен с возможностью излучения света возбуждения в первом диапазоне длин волн, а люминесцентный преобразователь длины волны выполнен с возможностью преобразования света возбуждения в преобразованный свет во втором диапазоне длин волн; отражатель со встроенным поглощающим слоем, причем отражатель выполнен с возможностью пропускания преобразованного света от люминесцентного преобразователя длины волны, причем встроенный поглощающий слой выполнен с возможностью снижения пропускания отражателем любого света возбуждения, падающего на отражатель под, по существу, непрямыми углами; и отдельный полусферический поглотитель, расположенный вокруг люминесцентного преобразователя длины волны таким образом, что преобразованный свет от люминесцентного преобразователя длины волны проходит через отдельный полусферический поглотитель при нормальном угле падения, а свет возбуждения, пропущенный через отражатель, проходит через отдельный полусферический поглотитель под непрямым углом.

Светоизлучающее устройство (1) содержит светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7) покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6), простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8).

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является воспроизведение света практически равномерного цвета.

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и удаление материала (54) прокладки, но меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке, причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (54) прокладки поверх кристалла СИД.

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света.

Способ изготовления относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Сущность способа заключается в том, что на световыводящей поверхности GaN-n или GaN-p типов осаждается просветляющее оптическое покрытие SiO2 и в нем формируется микрорельеф в виде наноострий с плотностью 107-108 шт/см2. Данный способ позволяет создавать микрорельефную рассеивающую свет световыводящую поверхность как на GaN n-типа, так и на GaN р-типа без ухудшения параметров гетероструктуры, кроме того, способ предназначен для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе GaN. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света на основе светодиодов. Светодиод содержит по меньшей мере один светоизлучающий кристалл со сверхузкой диаграммой направленности, который установлен в корпусе из оптически прозрачного материала, световыводящая поверхность которого выполнена сферической формы, причем размер сферы и высота оптического элемента связаны определенным соотношением, зависящим от угла расходимости потока излучения светодиода; высоты оптического элемента; радиуса сферы оптического элемента; угловой величины диаграммы направленности светового потока излучающего кристалла и показателя преломления материала оптического элемента. Изобретение обеспечивает возможность создания светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока. 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления шаровидной светодиодной лампы (10), имеющей прозрачную колбу (14) и основание (12) для присоединения к ламповому патрону. Путем обертывания основания (12) расширяющейся лентой (38) из пеноматериала типа Compriband или подобной, до вставки в участок (16) горловины колбы (14), может быть достигнуто автоматическое выравнивание основания (12) в горловине (16) колбы. Дополнительно, полосы (36) из мягкого металла могут быть обернуты вокруг ленты (38) до обертывания ленты (38) вокруг основания (12). Лента (38) выполняет функцию воздушной подушки, которая прижимает металлические полосы (36) к основанию (12) и колбе (14). Технический результат - повышение теплоотвода за счет улучшение передачи тепла от основания к колбе. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Светоизлучающее устройство (100) согласно изобретению содержит по меньшей мере один излучатель (101) света, расположенный на подложке (102), и отражающий оптический корпус (103, 108), по меньшей мере частично окружающий по сторонам упомянутый по меньшей мере один излучатель (101) света, причем пространство (106) между упомянутым отражающим оптическим корпусом (103, 108) и упомянутым по меньшей мере одним излучателем (101) света наполнено по меньшей мере частично суспензией отражающего материала (104). Светоизлучающее устройство дополнительно содержит по меньшей мере один канал (105), подходящий для применения упомянутого отражающего материала (104). Также предложен способ изготовления описанного выше светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает возможностью улучшенной светоотдачи, упрощение технологии изготовления светоизлучающего устройства, обеспечение меньшего потребления материала для изготовления светоизлучающего устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Предложены два варианта светоизлучающих устройств, использующих проводящий связывающий агент при соединении корпуса и крышки. Также предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, который включает в себя этап соединения крышки 3, имеющей рамную часть 4, с корпусом 1, имеющим светоизлучающий элемент 2, установленный в углублении корпуса 1, чтобы закрыть отверстие углубления. На этапе соединения металлический связывающий агент 31, имеющий лучшую смачиваемость в отношении рамной части 4, нежели в отношении корпуса 1, частично наносится на корпус 1 или рамную часть 4, и распространяется вдоль рамной части 4, и соединяется, при этом пространство определяется областью соединения, где соединяется металлический связующий агент, и корпус 1 и рамная часть 4 соединяются. Изобретение обеспечивает возможность стабильного производства не воздухонепроницаемого светоизлучающего устройства при использовании для соединения крышки и корпуса металлического связывающего агента за счет исключения короткого замыкания электродов. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к монтажной плате с повышенной устойчивостью к коррозии, способу изготовления такой монтажной платы, дисплейной панели и дисплейного устройства. Технический результат - создание монтажной платы, способной предотвращать коррозию металлических электродов по причине дефектов прозрачной проводящей пленки, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки. Достигается тем, что подложка (20) активной матрицы содержит стеклянную подложку (21); металлический проводник (22), выполненный на стеклянной подложке 21; изолирующую пленку 24 затвора, покрывающую металлический проводник (22); межслойную изолирующую пленку (29), покрывающую изолирующую пленку (24) затвора; и прозрачный электрод (33), формируемый на межслойной изолирующей пленке (29). Проводник (22) развертки содержит контактную область (55), в которой прозрачный электрод (33) наносят непосредственно на проводник (22) развертки. Прозрачный электрод 33 проходит над контактной областью (55) таким образом, чтобы покрывать торцевую поверхность (29а) межслойной изолирующей пленки (29), обращенную к контактной области (55), и торцевую поверхность (24а) изолирующей пленки (24) затвора, обращенную к контактной области (55). 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 52 ил.

Изобретение относится к способу формирования люминесцентного керамического преобразователя и к люминесцентному керамическому преобразователю, полученному таким способом. Способ содержит этапы: а) объединение материала предшественника с порообразующей добавкой, чтобы образовать сырую смесь, причем порообразующая добавка содержит по существу сферические частицы углеродистого материала или органического материала; (b) формование сырой смеси, чтобы образовать сырую заготовку керамического преобразователя; (c) нагревание сырой заготовки, чтобы удалить порообразующую добавку и сформировать предварительно обожженный керамический материал, имеющий по существу сферически сформированные поры; и (d) спекание предварительно обожженного керамического материала, чтобы сформировать люминесцентный керамический преобразователь. Полученный люминесцентный керамический преобразователь содержит спеченный, монолитный керамический материал, который преобразует свет с первой длиной волны в свет со второй длиной волны. Керамический материал имеет по существу сферически сформированные поры со средним размером от 0,5 до 10 мкм. Технический результат - получение люминесцентного керамического преобразователя с регулируемым желательным распределением и размером пор. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области светотехники и, в частности, к люминесцирующим материалам, используемым в твердотельных источниках белого света. Согласно изобретению предложен композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света, которые содержат светодиод, излучающий в области 430-480 нм, а также смесь, по крайней мере, двух люминофоров, первый из которых имеет желто-оранжевое свечение в области (560-630 нм), а второй взят из группы алюминатов щелочноземельных металлов, активированных европием. При этом в качестве второго люминофора используют, по крайней мере, один, практически невозбуждаемый первичным излучением светодиода фотонакопительный люминофор, обладающий длительным послесвечением. Массовое соотношение между желто-оранжевым и фотонакопительным люминофорами составляет: желто-оранжевый люминофор 10-90%, фотонакопительный люминофор 10-90%. Получаемый материал характеризуется высокой яркостью и светотехническими параметрами, которые соответствуют кривой излучения абсолютно черного тела с цветовой температурой от 2900 до 6100 К, обладает длительным послесвечением и имеет невысокую стоимость. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к источникам света, работающим на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов. Радиатор отвода тепла выполнен из набора пластин или -образной формы, контактирующих одна с другой плоской горизонтальной частью. Длина горизонтальной части каждой последующей по мере приближения к светодиоду пластины радиатора больше предыдущей. Концы пластин загнуты в сторону, противоположную от теплоотводящего основания. Теплоотводящее основание размещено под радиатором отвода тепла. По второму варианту длина горизонтальной части каждой из пластин радиатора увеличивается от крайних из них к средним, а теплопроводящее основание размещено под радиатором отвода тепла между концами загнутых пластин. По третьему варианту теплопроводящее основание размещено с торцевой части радиатора между концами загнутых пластин. Техническим результатом изобретения является снижение габаритов светильника, оптимизация тепловой площади и воздействия потока воздуха в зоне рассеивания тепла. 3 н.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх