Полупроводниковый детектор с внутренним усилением на основе полуизолирующего арсенида галлия и способ его изготовления



Полупроводниковый детектор с внутренним усилением на основе полуизолирующего арсенида галлия и способ его изготовления

 


Владельцы патента RU 2586081:

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) (RU)

Изобретение относится к радиографии, в частности к системам цифрового изображения в рентгеновских и гамма-лучах с помощью многоканальных полупроводниковых детекторов на основе полуизолирующего арсенида галлия. Предложенные конструкция и способ ее изготовления позволяют реализовать принцип внутреннего усиления в многоканальных полупроводниковых детекторах. Полупроводниковый детектор включает формирование полуизолирующей i-области, которая выполнена на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, и металлические контакты к ней, при этом между металлическими контактами и i-областью формируют слой полупроводника, например арсенида индия, толщиной менее диффузионной длины электронов, инжектируемых из металлического контакта в i-область, и понижающий высоту потенциального барьера контакта металл-GaAs до энергии теплового равновесия кристалла, kT. Формирование осуществляют путем нанесения слоя индия поверх металлических контактов к i-области и последующего отжига контактов в условиях, достаточных для проплавления первичного металлического контакта. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

 

Изобретение относится к радиографии, в частности к системам цифрового изображения в рентгеновских и гамма-лучах с помощью многоканальных полупроводниковых детекторов на основе полуизолирующего арсенида галлия, и предназначено для использования в производстве рентгеновских систем нового поколения для медицины, промышленности и научных исследований.

Известны аналоги заявленного изобретения [1-5], в которых для реализации внутреннего усиления используется монолитная пластина полупроводника, на противоположных концах которой созданы омические контакты.

Если полупроводник имеет большое время жизни и малое расстояние между контактами, то в структуре организуется фоторезистивное усиление с коэффициентом усиления, значительно большим единицы [1].

В [2] сообщается о формировании полупроводниковой структуры с инжектирующими контактами. Инжекция носителей способствует формированию положительной внутренней обратной связи по току; чувствительность такой структуры может значительно превысить значения, достигаемые на сопряженных фоторезисторах, не имеющих инжектирующих контактов.

В [3] показано, что возможно использовать структуры типа транзистора для регистрации рентгеновского, гамма-излучения и излучения ионизирующих частиц высоких энергий. Неосновные носители, образованные в базе при торможении частицы, диффундируют к эмиттерному и коллекторному переходам, где вовлекаются в дрейф существующими полями. Неравновесные дырки оказываются в потенциальной яме и заряжают ее положительно относительно эмиттера. Изменение разности потенциалов эмиттер-база увеличивает инжектируемый эмиттером ток электронов, чем и обуславливается внутреннее усиление.

Изменение внутреннего поля (поляризация) может происходить за счет захвата носителей, и, как следствие, уменьшение высоты потенциального барьера на границе металл-полупроводник. Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к дополнительной инжекции с контактов, что, в свою очередь, ведет к инжекционному росту фототока и чувствительности [4]. Показано, что в p-i-n структуре, i-область которой изготовлена из a-Se [5], имеет место деформация внутреннего поля. Установлено, что это происходит за счет захвата носителей и, как следствие, дополнительной инжекции с контактов, что в свою очередь ведет к росту избыточного фототока, и чувствительность структур превышает единицу.

Недостатком известных устройств является низкий коэффициент усиления, единицы, который достигается в условиях высокого уровня инжекции носителей заряда в структурах.

Наиболее близким техническим решением является детектор, выполненный на основе Ме-i-Ме структуры. Конструкция детектора включает полуизолирующую i-область, которая выполнена на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, и металлические контакты к ней, например, на основе тонкого напыленного слоя никеля либо хрома [6]. Относительно невысокие значения деформации распределения внутреннего электрического поля в прототипе не позволяют управлять инжекцией в широких пределах и создавать условия для достижения высоких коэффициентов усиления, что является недостатком данных устройств.

Технической задачей является увеличение внутреннего коэффициента усиления детекторной Ме-i-Ме структуры при взаимодействии с квантами рентгеновского и гамма-излучения широкого спектрального диапазона.

Цель достигается тем, что между металлическими контактами и i-областью формируется слой полупроводника толщиной менее диффузионной длины электронов, инжектируемых из металлического контакта в i-область, понижающий высоту потенциального барьера контакта металл-GaAs до энергии, близкой к энергии теплового равновесия кристалла, kT.

В предлагаемом устройстве устранены недостатки прототипа, связанные с высоким потенциальным барьером на границе металл-полупроводник, который препятствует инжекции электронов с катодного металлического контакта в полуизолирующий i-слой. За счет управляемого изменения химического состава приповерхностного слоя под металлическим контактом путем формирования тонкого слоя полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны, способного понизить высоту потенциального барьера до величины, близкой к kT, инжекционные способности катодного электрода значительно возрастают. Это позволяет запустить механизм внутреннего инжекционного усиления детекторной Ме-i-Ме структуры при взаимодействии с квантами рентгеновского и гамма-излучения широкого спектрального диапазона.

Поскольку на поверхности GaAs уровень Ферми жестко закреплен вблизи уровня электрической нейтральности за счет высокой плотности поверхностных состояний Ds=1014 см −2 эВ−1, то высота потенциального барьера на границе Cr, Ni контактов и i-GaAs составит ~0,83 эВ. Тогда эквивалентную схему Me-i-Me детекторной структуры можно представить в виде последовательно соединенных сопротивления высокоомной i-области и 2-х встречно включенных барьеров Шоттки Me-i контактов, один из которых при любой полярности сигнала всегда включен в обратном направлении, ограничивая инжекцию электронов в i-слой.

Экспериментально установлено, что для создания омического контакта к GaAs необходимо использовать металл, с работой выхода, меньшей, чем у GaAs (работа выхода GaAs составляет 4,5 эВ). Такой контакт должен вести себя как квазиомический контакт. Примеры таких металлов: In, Mg, Gd, имеющие работу выхода 4,12 эВ, 3,68 эВ и 3,10 эВ соответственно. Например, создание на поверхности i-GaAs узкозонного слоя твердого раствора Ga1−xInxAs позволяет сформировать квазиомический контакт катода. В InAs поверхностный уровень Ферми закреплен в зоне проводимости, что значительно снижает высоту потенциального барьера металл-полупроводник в твердых растворах системы GaAs-InAs по сравнению с высотой барьера металл-GaAs, как показано на рисунке 1. Примером такого контакта может быть In-контакт к GaAs как n-, так и p-типа. Он образуется при относительно низких температурах до 300°C.

На рисунке 1 представлена зонная диаграмма омического контакта In-n-GaAs.

При термическом осаждении In на поверхность i-GaAs не происходит существенного подлегирования приповерхностной области полупроводника, что делает несущественным процесс тунелирования через контактный слой. В результате, основной вклад в сопротивление образованного омического контакта вносит прохождение электронов над потенциальным барьером. Высота потенциального барьера, преодолеваемого электронами в омическом контакте, определенная из наклона зависимости приведенного сопротивления омического контакта от обратной температуры, оказалась равной 0,03 эВ, что по порядку величины сравнимо с энергией колебания кристаллической решетки kT=0,26 эВ при 300К. Таким образом, основным механизмом протекания тока в контакте In-i-GaAs является термоэлектронная эмиссия через потенциальный барьер высотой 0,03 эВ. Именно в такой структуре возможна реализация сложного механизма внутреннего инжекционного усиления при поглощении квантов ионизирующих (УФ, рентгеновского и гамма) излучений.

Механизм внутреннего усиления в предложенном устройстве работает следующим образом. В интересующей области энергий ионизирующего излучения современных синхротронных центров (10÷60) кэВ поглощение квантов происходит по закону Бугера [7] в результате классического фотоэффекта. Квант излучения передает всю свою энергию Eo одному из атомных электронов, который растрачивает эту энергию на образование неравновесных электронно-дырочных пар в ионизационном треке в количестве No=Eo/Ei, где Ei - энергия образования электронно-дырочной пары. Дырки будут захватываться на глубокие отрицательно заряженные центры, а электроны под действием электрического поля дрейфуют к аноду. Время захвата дырок τp- на отрицательно заряженные центры хрома N t может быть оценено: τ p = 1 / σ p υ p N t , где сечение захвата дырки σρ-=7·10-15 см2, тепловая скорость дырок υр ~107 см-3, N t ≅ 1017 см-3. По порядку величины τ p ≅10-10 с. Время жизни неравновесных электронов ограничивается временем захвата на нейтральные центры N t o , концентрация которых N t o = N t N t ≅2·1017 см-3. Сечение захвата электронов на нейтральные центры по порядку величины составляет ~10-17 см2. Тогда время жизни неравновесных электронов, τn, оцененное по формуле: составляет ≥5·10-8 с. Под действием электрического поля в i-области электроны дрейфуют до анода, обусловливая индуцированный ток во внешней цепи. Как только электрон выбрасывается электрическим полем в n-подложку, в i-области нарушается электрическая нейтральность, часть положительно заряженных доноров остается не скомпенсированной. Для восстановления электрической нейтральности из металлического контакта через сформированный слой с пониженным потенциальным барьером в i-область втягивается электрон, который также за время жизни успевает дойти до противоположного контакта. Таким образом, наблюдается инжекционное усиление индуцированного тока по типу фоторезистора. Как и в случае фоторезистивного усиления, коэффициент усиления будет определяться соотношением времени жизни τn и времени дрейфа t д р неравновесных электронов. На рисунке 2 представлены экспериментальные результаты силы тока, наведенного в i-слое детектора, поглощенного квантами, от мощности экспозиционной дозы (МЭД) ионизирующего излучения.

На рисунке 2 представлена зависимость силы тока от дозы для детектора на основе GaAs:Cr, d=295 мкм, при облучении анода (сверху) и катода (снизу), прототипа (колонка а) и предложенного устройства (колонка б).

Как следует из рисунка 2, в предложенном устройстве за счет внутреннего инжекционного усиления сила наведенного тока в сотни раз превышает аналогичную характеристику прототипа. Следовательно, во столько же раз будет различаться и экспериментально наблюдаемое значение квантовой эффективности, η: η=ηo·τn/ t д р , где ηo≤1. Фоторезистивный эффект усиливается тем, что за счет захвата дырок идет перераспределение поля в структуре и напряженность электрического поля в области нескомпенсированного заряда возрастает. Инжекционный фоторезистивный механизм усиления в предложенном устройстве подтверждается также экспериментальной зависимостью квантовой эффективности от толщины высокоомного i-слоя di. Поскольку t д р =dim, где υm - максимальная дрейфовая скорость электронов в i-слое, то квантовая эффективность обратно пропорциональна толщине чувствительного слоя, что представлено в таблице 1.

Предложен способ изготовления, позволяющий реализовать заявленное устройство. Способ обеспечивает относительно простую реализацию конструкции предложенного полупроводникового детектора рентгеновского излучения с внутренним усилением путем нанесения тонкого слоя индия поверх металлических контактов к i-области и последующего вжигания контактов в условиях, достаточных для проплавления первичного металлического контакта. Поскольку индий имеет низкую температуру плавления 156°С и высокий коэффициент диффузии в арсениде галлия, то уже при температуре 300°С в течение 10 минут наблюдается проплавление контактного Cr/Ni слоя толщиной до 1 мкм. При взаимодействии под Ni/Cr контактом с поверхностью i-GaAs образуется твердый раствор InGaAs с переменным составом индия, деформирующий энергетическую диаграмму, рисунок 1, так что высота потенциального барьера на границе Ni/Cr- InGaAs-i-GaAs снижается до величины, близкой kT, что обуславливает омические свойства контактов. В таблице 1 представлены экспериментальные результаты чувствительности предложенных рентгеновских детекторов в сравнении с прототипом при изменении ускоряющего напряжения на рентгеновской трубке (1), облучения детектора со стороны анода (2,4) либо катода (3,5) при различной мощности экспозиционной дозы (МЭД) в плоскости детектора, толщины детектора и характеристик контактов к ним (6). Величина чувствительности S определялась из зависимости превышения индуцированной поглощенными квантами силы тока над темновым Iλ-It от плотности мощности экспозиционной дозы W по формуле:

S = ( exp ( Δ ϕ k T ) - 1 ) I t -I λ W , (1)

где Δφ - изменение высоты потенциального барьера контакта Me-i-GaAs, которое понижается в предложенном способе до величины, близкой kT - энергии колебания кристаллической решетки полупроводника. Результаты аппроксимации Iλ(W) на участках с МЭД ≤ 200 мР/с (SI) и с МЭД ≥ 200 мР/с (SII), таблица 1, показывают, что независимо от условий эксперимента в детекторах, выполненных предложенным способом, наблюдается значительное внутренне усиление индуцированного поглощенным фотоном тока по сравнению с прототипом.

Таблица 1

Utube, кВ Чувствительность
SI, нКл/мР*см2
МЭД меньше 200 мР/с
Чувствительность
SII, нКл/мР*см2
МЭД больше 200 мР/с
Характеристика контактов
анод катод анод катод
1 2 3 4 5 6
60 2,2 5,0 2,2 5,0 GaAs:Cr детектор, Cr/Ni контакты d=295 мкм, Udet=30 В
80 2,1 4,4 1,8 3,4
120 1,5 3,6 1,4 2,9
60 906,0 906,0 1155,0 1155,0 GaAs:Cr детектор, In контакты
d=295 мкм
U=30 В
80 1224,4 1513,2 1405,4 1701,8
120 1488,7 1609,3 1602,1 1772,0
60 2,2 6,4 2,2 6,4 GaAs:Cr детектор, Cr/Ni контакты, d=480 мкм, U=48 В
80 2,4 5,2 1,2 3,6
60 99,7 270,4 99,7 270,4 GaAs:Cr детектор, In контакты
d=480 мкм U=48 В
80 184,6 406,1 215,5 488,4
120 242,7 459,2 339,5 590,7
60 2,1 6,6 2,1 6,6 GaAs:Cr детектор, Cr/Ni контакты, d=510 мкм, U=51 В
80 3,1 5,6 1,8 3,4
60 151,2 229,9 120,9 230,3 GaAs:Cr детектор, In контакты
d=510 мкм, U=51 В
80 231,6 373,1 230,3 453,1
120 300,6 425,3 345,0 565,3
60 2,1 7,2 2,1 7,2 GaAs:Cr детектор, Cr/Ni контакты, d=682 мкм, U=69 В
80 2,6 6,1 1,6 3,8
60 139,9 196,9 139,9 196,9 GaAs:Cr детектор, In контакты
d=682 мкм, U=69 В
80 248,8 329,0 286,3 400,1
120 339,6 401,2 421,0 545,7
60 1,3 4,9 1,3 4,9 GaAs:Cr детектор, Cr/Ni контакты, d=715 мкм, U=72 В
80 1,8 4,2 1,3 2,7
120 2,1 3,8 1,7 2,3
60 12,8 44,2 12,8 44,2 GaAs:Cr детектор, In контакты
d=715 мкм, U=72 В
80 25,9 70,5 31,5 80,4
120 38,9 87,4 62,7 121,4

Анализ экспериментальных результатов, представленных в таблице 1, подтверждает расчетные данные квантовой эффективности; пропорциональность и тенденции изменения характеристик близки расчетным данным. Высокая квантовая эффективность объясняется эффектами усиления. В основе усиления лежит захват неравновесных дырок на отрицательно заряженные глубокие акцепторные центры в треке. Это приводит к резкой асимметрии времен жизни неравновесных носителей заряда. Асимметрия времени жизни электронов и дырок должна приводить к пространственному разделению электронно-дырочных пар и снижению темпа рекомбинации неравновесных носителей заряда. В том числе это проявляется и в наблюдаемых экспериментальных результатах по исследованию характеристик детекторов при облучении рентгеновскими квантами. Особенно это сказывается в области высокой энергии квантов, при которых достижима квантовая эффективность ηо>1.

Таким образом, доказано, что положительный эффект достигается в предложенном способе, формирующем предложенное устройство. Устройство и способ его реализации обладают новизной и позволяют достигнуть внутреннего квантового усиления, в сотни раз превышающего значения, достигнутые в прототипе.

Источники информации

1. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е. Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения //Журнал технической физики. - 2003 г. - Том 37, №1. - С.65-69.

2. Резников Б. И., Царенков Г.В. Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней //Физика и техника полупроводников. - 1994 г. Том 28, №5. - С.867-879.

3. Optimization of Electric Field Distribution by Free Carrier Injection in Silicon Detectors Operated at Low Temperatures /E. Verbitskaya, M. Abreu, V. Bartsch, et. All //IEEE Trans. Nucl. Sci.- 2002. - V.49, NO.1. - P.258-262.

4. Characterization of charge collection in CdTe and CZT using the transient current technique /J. Fink, H. Kruger, P. Lodomez, et. All //Nucl. Instr. and Meth. A. - 2006. - V.560. - P.435-443.

5. Haugen C., Kasap S.O., Rowlands J. /X-ray irradiation induced bulk space charge in stabilized a-Se x-ray photoconductors //JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -1998, V.84, NO.10. - P.5495-5501.

6. Budnitsky, D.,Tyazhev, A.,Novikov, V.,Zarubin, A.,Tolbanov, O., Skakunov, M., Hamann, E., Fauler, A., Fiederle, M., Procz, S., Graafsma, H., Ryabkov, S. Chromium-compensated GaAs detector material and sensors. Journal of Instrumentation, Volume 9, Issue 7, 1 July 2014. Article number C07011.

7. Зи С.М. /Физика полупроводниковых приборов, в 2х книгах. - М.: Мир, 1984. - 912 с.

8. Gain mechanism in GaN Shottky ultraviolet detectors/O. Katz, V. Garber, B. Meyler et. all//APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2001. - V.79. NO.10. - P.1417-1419.

8. Kasap S.O., Rowlands J.A. /Direct-conversion flat-panel X-ray image detectors //IEEE Proc.-Cirarits Devices Syst. - 2002. - V.149. - NO.2. - P.85-96.

9. Sun G. C., Bourgoin J. C. et all. /A Comparison Between GaAs and CdTe for X-Ray Imaging //IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2004. - V.51. - NO.5. - P.2400-2404.

10. Ламперт М, Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. - М.: Мир, -1973. - 416 с.

1. Полупроводниковый детектор рентгеновского излучения для получения цифрового изображения, включающий полуизолирующую i-область, которая выполнена на основе арсенида галлия, компенсированного хромом, и металлические контакты к ней, отличающийся тем, что между металлическими контактами и i-областью формируется слой полупроводника, например арсенид индия, понижающий высоту потенциального барьера контакта металл-GaAs до энергии теплового равновесия кристалла, kT, толщиной менее диффузионной длины электронов, инжектируемых из металлического контакта в i-область.

2. Способ изготовления полупроводникового детектора рентгеновского излучения по п.1, включающий нанесение слоя индия поверх металлических контактов к полуизолирующей i-области и последующий отжиг контактов в атмосфере молекулярного водорода при температуре 250-400°С в течение 10 минут.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Изобретение относится к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом. Согласно изобретению на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/GaAs/Ge, выращенной на германиевой подложке с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, удаляют в диодном окне маски полупроводниковые слои, причем вытравливают p-AlGaInP слой потенциального барьера полностью или частично в смеси концентрированных соляной и фтористоводородной кислот в количественном соотношении объемных частей 5÷7 и 3÷5 соответственно, p++-AlGaAs слой туннельного перехода удаляют в смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот в количественном соотношении объемных частей 6÷10 и 8÷12 соответственно.

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фоторезиста путем травления первой канавки в полупроводниковой гетероструктуре до германиевой подложки.

При изготовлении фотопреобразователя согласно изобретению на тыльной стороне подложки GaSb n-типа проводимости выращивают методом эпитаксии высоколегированный контактный слой n+-GaSb, а на лицевой стороне подложки - буферный слой n-GaSb.
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p+-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl3).

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Изобретение может быть использовано в производстве матричных фоточувствительных элементов приборов гражданского и военного назначения.

Изобретение относится к способу получения структурированного электропроводящего покрытия на подложке. Технический результат - предоставление способа получения структурированного металлического покрытия на подложке, при реализации которого формируют структурированный металлический слой с четко определенными кантами и краями, что позволяет напечатать картину с высоким разрешением и структурами малых размеров, применимую в солнечных батареях.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов.

Коллекторный электрод для солнечного элемента изготавливают трафаретной печатью проводящей пасты, при этом трафаретную печать повторяют многократно. Скорость прокатывания во время второй или последующей трафаретных печатей является больше, чем скорость прокатывания во время первой трафаретной печати.

Изобретение относится к инфракрасной технике и может быть использовано при изготовлении микроболометрических матриц, детектирующих излучение в двух инфракрасных (ИК) диапазонах с длинами волн 3-5 мкм и 8-14 мкм, соответствующих окнам прозрачности атмосферы.

Изобретение относится к оптоэлектронике и вакуумной микроэлектронике и может быть использовано при создании сверхширокополосных фотодетекторов в ультрафиолетовой, видимой и ИК области спектра для оптической спектроскопии и диагностики, систем оптической связи и визуализации.

Использование: для регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучения. Сущность изобретения заключается в том, что автономный приемник для регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучения включает металлический корпус, прозрачную диэлектрическую подложку, фоточувствительный слой из АФН-пленки и металлические контакты, при этом между прозрачной диэлектрической подложкой и металлическим корпусом помещено отражающее покрытие, приемник снабжен полусферической зеркальной крышкой, имеющей окно, прозрачное для рентгеновского и ультрафиолетового излучения.

Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано при изготовлении детекторов электромагнитного излучения, преимущественно оптического, с наноструктрированным поглощающим (фоточувствительным) слоем.

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок.

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, точнее к компактным фотоприемникам излучения в инфракрасном (ИК) диапазоне длин волн, применяемым в различных областях науки и техники, в промышленности, а именно в спектроскопии, в медицине, оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к излучению, и может быть использовано для разработки фотоприемников, в частности, предназначенных для регистрации инфракрасного излучения.

Изобретение относится к приемникам оптического излучения, а именно для применения в оптоэлектронных и робототехнических устройствах для регистрации параметров оптического излучения.

Изобретение относится к микроэлектронной измерительной технике и может быть использовано в конструкции и технологии производства полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ).
Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N2=450 л/ч; H2=75 л/ч; O2=750±50 л/ч. Температура рабочей зоны 900±10°C. Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%. Изобретение обеспечивает получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах. 3 пр.
Наверх