Микромодуль

Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько БИС. Сущность изобретения: микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами. Металлизированные межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности переменного поперечного сечения по длине, с криволинейными контактными площадками на верхней и нижней поверхности гибкой платы, выполнены с уменьшением сечения от контактной площадки на верхней и нижней поверхности к срединной плоскости платы. Техническим результатом изобретения является увеличение плотности монтажа и повышение надежности межслойных соединений малогабаритных микромодулей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько больших интегральных схем (БИС), например, полупроводниковой памяти большой емкости и аналогичных устройств.

Известно техническое решение, позволяющее создавать подобные модули - конструкция и способ изготовления микроэлектронных приборов с высокой плотностью размещения компонентов [1]. Прибор содержит гибкую подложку с низким модулем упругости, к которой прикреплены полупроводниковые приборы. На одной стороне подложки сформированы проводники нужной конфигурации, которые через металлизированные отверстия соединяются с проводниками на другой стороне подложки и с контактными площадками для монтажа БИС. Недостатком предложенного способа является высокая трудоемкость изготовления приборов с большим количеством БИС.

Известны изделия на полиимидной пленке с использованием двухслойной коммутационной разводки с последующей металлизацией переходных отверстий и монтажом кристаллов с жесткими выводами [2]. Основным недостатком этих устройств является недостаточно высокая разрешающая способность рисунка коммутации.

Известно техническое решение - устройство, содержащее гибкую монтажную плату, бескорпусную интегральную схему и другие элементы [3], которое является наиболее близким к данному изобретению и принято за прототип.

Гибкая плата изготовлена из полиимидной пленки и имеет электропроводные коммутационные дорожки. Конструкция обеспечивает снижение габаритов, но не обеспечивает высокую плотность монтажа.

Задача изобретения - увеличение плотности монтажа, повышение надежности межслойных соединений малогабаритных микромодулей и минимизация уровня термомеханических напряжений при тепловых воздействиях.

Это достигается тем, что микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами. Металлизированные межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности переменного поперечного сечения по длине с криволинейными контактными площадками на верхней и нижней поверхности гибкой платы, выполнены с уменьшением сечения от контактной площадки на верхней и нижней поверхности к срединной плоскости платы. Контактная площадка плавно переходит в межслойное переходное отверстие. Причем размер контактной площадки в плане можно изменять в широких пределах, исходя из технологической целесообразности, обеспечить монтаж выступов кристалла.

Конструкция и размещение контактных площадок с металлизированными межслойными переходными отверстиями на гибкой плате способствуют увеличению плотности монтажа кристаллов бескорпусных БИС за счет уменьшения размера межслойных переходных отверстий и контактных площадок, ширины проводников и зазора между ними, а также минимальному шагу между контактными площадками.

Современные конструкции микромодулей должны иметь как можно меньшие массогабаритные характеристики, устойчивость к циклическим тепловым воздействиям и усталостным отказам материалов межслойных соединений. Два конкурирующих подхода: «снизить массу - обеспечить прочность, долговечность и ресурс» составляют суть проблемы проектирования и конструирования микромодулей. Для повышения прочности и выносливости материалов микромодулей необходимо снижать эксплуатационные термомеханические напряжения в них.

С помощью компьютерного моделирования и метода конечного элемента определена рациональная форма металлизированного межслойного переходного отверстия с контактной площадкой по критериям увеличения плотности монтажа и прочностной надежности (фиг. 1, вид А). Наиболее рациональной формой является торовая поверхность (образованная вращением сегмента медной металлизации вокруг оси отверстия). Найдены рациональные соотношения размеров межслойного соединения - между диаметром отверстия d, диаметром выступа dв и размером контактной площадки D: dв=(2,3-3,0)d, dв=(0,58…0,75)D.

При компьютерном моделировании использовали базовую модель со следующими параметрами: толщина полиимидной пленки - 50 мкм, толщина медной металлизации - 15 мкм. Варьируемые параметры: размер контактной площадки D=50…150 мкм, диаметр отверстия d=0…80 мкм, диаметр выступа dв=30…120 мкм. Компьютерное моделирование позволило установить величину напряжения в материалах базовой модели - σАu=200, δSi=150, σCu=140 МПа.

Изменение соотношения размеров d, dв, D в большую или в меньшую сторону изменяет напряженно-деформированное состояние материалов сборки, приводит к увеличению деформаций и напряжений вплоть до величины предела выносливости материалов сборки, снижению долговечности (числа циклов при тепловых воздействиях в режиме включение-выключение).

Расчет показал, что при dв=100 мкм или dв=60 мкм напряжения увеличиваются до σAu=375, σSi=240, σCu=250 МПа, что превышает предел выносливости этих материалов и существенно снижает их циклическую долговечность. Рациональным значением по результатам расчета было выбрано dв=80±10 мкм (dв~2,67d и dв~0,67D).

Это позволило увеличить статическую прочность и выносливость материалов при действии переменных циклических термомеханических напряжений.

На фиг. 1 представлен микромодуль в бескорпусном исполнении, где:

1 - кристалл БИС;

2 - контактная площадка на кристалле;

3 - контактная площадка на плате с переходным отверстием;

4 - выступ кристалла БИС;

5 - гибкая плата;

6 - припойный выступ.

Изготавливают гибкую плату 5 с системой проводников и контактными площадками 3 на плате для соединения с выступами кристалла БИС 4, сформированными на контактных площадках 2 кристалла БИС 1. Припойные выступы 6 на обратной стороне платы служат выводами микромодуля, которые затем могут быть распаяны на следующий уровень.

Пример.

Гибкую плату с двухсторонней системой проводников изготавливают на полиимидной пленке толщиной 50 мкм. Проводники изготовлены тонкопленочной металлизацией в вакууме слоями хром - медь с последующим гальваническим наращиванием меди и облуживанием до толщины 15 мкм. Размер контактной площадки составляет 120…150 мкм, размер переходного отверстия d составляет 20…60 мкм. Межслойные переходные отверстия в плате выполняют путем двустороннего химического травления с последующим гальваническим наращиванием меди. Контактные площадки на гибкой плате для монтажа кристаллов БИС имеют минимальную монтажную площадь. Выступы кристалла имеют цилиндрическую форму с шарообразным куполом с размером dв=70…90 мкм.

Такое решение позволило существенно снизить термомеханические напряжения в материалах изделия. Так, например, напряжения уменьшились в Аu в 1,73 раза, Si в 1,58 раза, Сu в 1,8 раз. Это позволило повысить прочность и долговечность изделия при действии переменных циклических термонапряжений.

Созданные образцы микромодулей испытывались на воздействие повышенной температуры в диапазоне температур от +20 до +70°С (ГОСТ 30630.2.1, ГОСТ 28209, ст. МЭК 68-2-14-84, VI степень жесткости) и на вибропрочность в частотном диапазоне 10…5000 Гц и ускорении 40 g (ГОСТ 16962-71, XIV степень жесткости). Испытания подтвердили результаты компьютерных расчетов.

Достоинства такой конструкции - отсутствие концентраторов напряжений в материалах межслойного соединения Cu-Au, высокая плотность монтажа, минимальный уровень термомеханических напряжений при тепловых воздействиях, высокая прочностная надежность межслойных соединений малогабаритных микромодулей.

Источники информации

1. Патент США №6376769.

2. Гуськов Г.Я., Блинов Г.А., Газаров А.А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. - М.: Радио и связь, 1986, с. 109, рис. 4.13.

3. Патент РФ №2242798, - прототип.

1. Микромодуль, содержащий гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями, и смонтированные на ней кристаллы бескорпусных БИС с выступами, отличающийся тем, что межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности переменного поперечного сечения по длине, с криволинейными контактными площадками на верхней и нижней поверхности гибкой платы, выполнены с уменьшением сечения от контактной площадки на верхней и нижней поверхности к срединной плоскости платы, размеры поперечного сечения выступов связаны с внешним размером контактной площадки D и минимальным размером переходного отверстия d соотношением d<dв<D, где выбирают dв=(2,3-3,0)d, dв=(0,58…0,75)D.

2. Микромодуль по п. 1, отличающийся тем, что металлизированные межслойные переходные отверстия с контактной площадкой имеют форму тора.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области создания малогабаритных многокристальных устройств, изготовленных по гибридной трехмерной технологии.

Изобретение относится к радиоэлектронике. Предлагается новый способ изготовления трехмерного электронного модуля.

Изобретение относится к микроэлектронным устройствам, которые включают в себя многоярусные микроэлектронные кристаллы, встроенные в микроэлектронную подложку. Согласно изобретению по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл прикреплен ко второму микроэлектронному кристаллу, при этом между вторым микроэлектронным кристаллом и по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом размещен материал для неполного заполнения, микроэлектронные кристаллы заделаны в микроэлектронную подложку, а микроэлектронная подложка содержит первый наслаиваемый слой и второй наслаиваемый слой, между которыми образована граница раздела, причем граница раздела примыкает к материалу для неполного заполнения границы раздела, или первому микроэлектронному кристаллу, или второму микроэлектронному кристаллу.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам и способам их изготовления. В полупроводниковом устройстве, включающем подложку крепления, тонкопленочный элемент, сформированный на подложке крепления, и полупроводниковый элемент, прикрепленный к подложке крепления, полупроводниковый элемент включает в себя основную часть полупроводникового элемента и множество подстилающих слоев, расположенных стопкой на стороне основной части полупроводникового элемента, обращенной к подложке крепления, причем каждый из подстилающих слоев включает в себя изолирующий слой и рисунок схемы на изолирующем слое, и рисунки схем присоединены друг к другу через контактные отверстия в изолирующих слоях.

Изобретение относится к области сборки сверхвысокочастотной аппаратуры с размещением электронных компонентов и связей между ними в трехмерном пространстве. Технический результат изобретения - обеспечение высокой плотности компоновки электронных компонентов с тепловыми характеристиками, исключающими появление «горячих точек», и высоких показателей надежности.

Изобретение относится к области производства электронной аппаратуры с расположением компонентов и связей между ними в трехмерном пространстве. Технический результат изобретения заключается в увеличении плотности компоновки электронной аппаратуры и улучшении показателей надежности компоновки.

Изобретение относится к области сборки микроэлектронной аппаратуры с расположением электронных компонентов и содержащих их микроплат в трехмерном пространстве. .

Изобретение относится к области конструирования электронных устройств с применением трехмерной технологии и с использованием бескорпусных электронных компонентов.

Изобретение относится к области технологии изготовления электронной аппаратуры с применением бескорпусных электронных компонентов при расположении их и связей между ними в трехмерном пространстве.

Изобретение относится к электронным устройствам, уложенным друг на друга. Электронный узел содержит первое электронное устройство, которое включает в себя полость, которая углубляется в заднюю сторону первого электронного устройства, при этом первое электронное устройство включает в себя промежуточную пластину на передней стороне первого электронного устройства, при этом полость в первом электронном устройстве углубляется сквозь первое электронное устройство до промежуточной пластины, и электронный узел также содержит второе электронное устройство, установленное на первом электронном устройстве в пределах полости в первом электронном устройстве. В некоторых примерных формах электронного узла первое электронное устройство и второе электронное устройство каждое представляет собой кристалл. Следует отметить, что рассматриваются другие формы электронного узла, где только одно из первого электронного устройства и второго электронного устройства представляет собой кристалл. В некоторых формах электронного узла второе электронное устройство припаяно к первому электронному устройству. Изобретение обеспечивает повышение эффективности рассеивания тепла. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области создания малогабаритных микромодулей на гибкой плате, содержащих несколько БИС. Сущность изобретения: микромодуль содержит гибкую плату, снабженную металлизированными межслойными переходными отверстиями и смонтированными на ней кристаллами бескорпусных БИС с выступами. Металлизированные межслойные переходные отверстия имеют форму выпуклой криволинейной поверхности переменного поперечного сечения по длине, с криволинейными контактными площадками на верхней и нижней поверхности гибкой платы, выполнены с уменьшением сечения от контактной площадки на верхней и нижней поверхности к срединной плоскости платы. Техническим результатом изобретения является увеличение плотности монтажа и повышение надежности межслойных соединений малогабаритных микромодулей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Наверх