Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений



Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
Способ определения ширины запрещённой зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений
H01L31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2668631:

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к способам определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений. Способ определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений включает регистрацию спектров поглощения образцов в оптически прозрачных растворителях в УФ и (или) видимой областях, при этом и определяются по IA, вычисленному по электронному спектру в ультрафиолетовом и (или) видимом диапазонах. Технический результат заключается в упрощении способа и повышении его экспрессности и информативности за счет одновременного определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости по интегральному параметру от автокорреляционной функции. 4 табл., 1 ил.

 

Изобретение относится к способам определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений.

Ширина запрещенной зоны органических полупроводников на основе гетероатомных соединений является важной физической характеристикой, связанной с темновой и фотопроводимостью. Эта характеристика имеет особое значение в физике твердого тела, органической электронике и наноэлектронике. Известен способ определения ширины запрещенной зоны

фотопроводимости () органических полупроводников на основе гетероатомных соединений по краю фундаментальной полосы спектра поглощения или испускания электромагнитного излучения в оптической области [Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа - 1987. - 239 с.]. Способ основан на анализе спектра k2=f(λ).

где k - коэффициент поглощения, л/(г*см);

f(λ) - плотность распределения квадрата коэффициента поглощения, л2/(г*см)2;

λ - длина волны электромагнитного излучения монохроматического источника, нм.

определяется путем экстраполяции фундаментальной полосы поглощения такого спектра к нулю, определению соответствующей длины волны λ0 и расчету по формуле:

где h - постоянная Планка, 6,135667662(25)⋅10-15 эВ⋅с;

с - скорость света в вакууме, 299792458 м/с;

λ0 - граничная длина волны электромагнитного излучения, определенная путем экстраполирования, нм

Недостатки данного способа определения :

1. Невозможность использовать способ для систем, состоящих из молекул, содержащих большое количество компонентов, например, углеводородные фракции.

2. Невозможность использовать способ для веществ, с недостатком информации об их структуре и составе, поскольку идентификация полос в этом случаях затруднена вследствие перекрывания отдельных полос.

Известен способ определения ширины запрещенной зоны темновой проводимости () по показателям удельной электропроводности термостатированной ячейки, наполненной исследуемым веществом [Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа- 1987. - 239 с.]. В данном методе используется экспоненциальная зависимость удельной проводимости

где σ - удельная электропроводность при температуре Т;

Т - температура образца, К;

σ0 - некоторая константа.

определяется на основе формулы (2) при рассмотрении удельных электропроводностей σ1, σ2 при разных температурах Т1 и Т2:

Недостатки данного способа заключаются в том, что требуется измерять значения сопротивления ячейки, заполненной полупроводником, при этом не учитываются эффекты перколяции, которые возникают в сыпучих и пористых средах. Такой способ неприменим к метастабильным веществам, неустойчивым при нагреве. Кроме того, в данном способе требуется сравнительно сложная экспериментальная техника, включающая лабораторный термостат, прецизионную электронную аппаратуру по измерению проводимости.

Также известны расчетные квантово-химические способы оценки ширины запрещенной зоны методом функционала плотности в приближении TD-DFT BLYP. Эти способы рассматривают нестационарное уравнение для функционала плотности, позволяющее оценивать время электронных переходов из основного в возбужденное состояния и, следовательно, оценить ширину запрещенной зоны. Ширина запрещенной зоны в данном способе предполагается равной энергии возбуждения электронных состояний в УФ области. [Юренев, П.В., Щербинин, А.В., Степанов Н.Ф. Применимость методов TD-DFT для расчета электронного спектра поглощения гексааминорутения (п) в водном растворе // Журнал физической химии. - 2010. - том 84, №1. - С. 44-48.]. Недостатком данного способа является то, что не учитывается электронно-дырочная проводимость и влияние среды. А также не выделяются различия между темновой и фотопроводимостью, что затрудняет экспериментальную интерпретацию результатов.

Наиболее близким техническим решением к заявляемому способу является способ определения первых вертикальных потенциалов ионизации и сродства к электрону атомов и молекул по интегральному параметру от автокорреляционной функции в видимом и (или) УФ диапазонах электромагнитного спектра в интервале длин волн от 190 до 780 нм [Латыпов К.Ф., Доломатов М.Ю. Определение потенциала ионизации гетероциклических молекул по оптическим спектрам поглощения электромагнитного излучения в видимой и УФ области // Фотоника. - 2017. - №4. - С. 78-82. Доломатов М.Ю., Латыпов К.Ф. Применение методов статистической радиофизики для оценки потенциалов ионизации и сродства к электрону молекул по спектрам поглощения электромагнитного излучения в петагерцевой области // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2017. - Т. 22. - №2. - С. 54-60]. В данном способе определение ширины запрещенной зоны, потолок и дно запрещенной зоны оценивается по первому вертикальному потенциалу ионизации и сродству к электрону молекул органических полупроводников. Первые вертикальные потенциалы ионизации и сродства к электрону изолированных частиц определяется по интегральному параметру от автокорреляционной функции оптического спектра, согласно зависимостям:

где ПИ - первый вертикальный потенциал ионизации, эВ;

СЭ - сродство к электрону, эВ;

А1 А2, В1 В2 - эмпирические коэффициенты, постоянные для близких по химической природе соединений, их размерности: А1 B1 - эВ, А2, В2 - безразмерные величины;

IA - интегральный параметр от автокорреляционной функции, эВ;

Е - энергия излучения, эВ;

n - число полос поглощения;

Е1 Еn - границы электромагнитного спектра, эВ;

ε - молярный коэффициент поглощения при энергии Е, л⋅моль-1⋅см-1. Зависимости (4)-(5) были подтверждены для ПИ и СЭ органических полупроводников, содержащих гетероатомы азота и кислорода.

Недостатки данного способа заключаются в невозможности определения ПИ и СЭ конденсированной среды, в частности, наночастиц, кластеров, квантовых точек и молекулярных органических кристаллов. Т.к. все определения проводятся относительно изолированной молекулы полупроводника. И, как следствие, некорректному определению ширины запрещенной зоны.

Целью изобретения является упрощение способа и повышение его экспрессности и информативности за счет одновременного определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости по интегральному параметру от автокорреляционной функции.

Поставленная цель достигается за счет использования нового способа определения и органических полупроводников, содержащих гетероатомы.

Способ определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников, содержащий гетероатомы, включает регистрацию спектров поглощения образцов в оптически прозрачных растворителях в УФ и (или) видимой областях, при этом определяются по IA, вычисленному по электронному спектру в ультрафиолетовом и (или) видимом диапазонам. Ширина запрещенной зоны темновой и фотопроводимости определяются по формулам:

где - ширина запрещенной зоны темновой проводимости, эВ;

- ширина запрещенной зоны фотопроводимости, эВ;

IA - интегральный параметр от автокорреляционной функции спектра, эВ;

D1, D2, G1, G2 - эмпирические коэффициенты, постоянные для близких по химической природе органических полупроводников, размерность D1, G1 - эВ, D2, G2 - безразмерные величины.

Используется физическая характеристика спектра - интегральный параметр от автокорреляционной функции:

где ε - молярный коэффициент поглощения, л⋅моль-1⋅см-1;

Е - энергия электромагнитного излучения, эВ;

n - количество полос поглощения;

E1… En - границы спектра поглощения;

ΔЕ - шаг сканирования спектра;

где k(Е) - коэффициент поглощения, л/(г*см)

М - среднечисловая молярная масса, г/моль.

где св - концентрация поглощающего вещества; г/л;

D - оптическая плотность, безразмерная величина;

L - толщина кюветы, см;

IА характеризует взаимодействие возбужденных электронных состояний атомов и молекул во всей области ультрафиолетового и (или) видимого спектра. IА спектра поглощения определяется в диапазоне энергий от 6,53 до 1,59 эВ (соответствует диапазону 190-780 нм).

Определение и органических полупроводников, содержащих гетероатомы, производится по IА соответствующих спектров поглощения. При этом используется физический эффект связи IА с и . Предлагаемый способ осуществляется следующим образом:

1. Навеску вещества растворяют в оптически прозрачном растворителе. Регистрацию спектра осуществляют при помощи спектрофотометра в прозрачной кварцевой кювете с толщиной поглощающего слоя 1 см.

2. Регистрируют электронный спектр поглощения исследуемого соединения для оптически прозрачных сред, определяется оптическая плотность D в диапазоне длин воле 190-780 нм с шагом 1 нм.

3. При этом волновая шкала переводится в энергетическую по формуле:

где с - скорость света в вакууме, 299792458 м/с;

h - постоянная Планка, 6,135667662(25)⋅10-15 эВ⋅с;

λ - длина волны, нм.

4. Определяют коэффициент поглощения по формуле:

,

5. Определяют логарифмический молярный коэффициент поглощения lg ε(E),

ε(E)=k(E)⋅M

lgε(E)=lg(k(E)⋅M)

6. Определяют IA исследуемого соединения интегрированием спектра в диапазоне от 6,53 до 1,59 эВ (190-780 нм) численным методом трапеций:

7. и определяют по формулам:

Коэффициенты D1 D2, G1, G2 берут из таблиц 1, 2.

Пример 1. Определяют и для 1-диметиламино-2,3,4-трифторантрахинона (C16H10NO2). Раствор 1-диметиламино-2,3,4-трифторантрахинона в бензоле концентрации менее 10-2 моль/л заливают в кварцевую кювету спектрофотометра с толщиной поглощающего слоя 1 см. Регистрируют спектр в диапазоне длин волн от 190 до 780 нм (рисунок 1а). По спектру поглощения 1-диметиламино-2,3,4-трифторантрахинона вычисляют интегральный параметр от автокорреляционной функции IА=48,22 эВ. 1-диметиламино-2,3,4-трифторантрахинон относится к группе антрахинонов, значит, по таблицам 1, 2 берут соответствующие коэффициенты зависимостей (7), (8): D1=4,94эB, D2=-6,96⋅10-2; G1=l,56эB, G2=-5,15⋅10-3. И определяют по соотношениям (7)-(8) и :

Пример 2. Определяют и для 11-оксибензо[b]пирена (C20H12O). Раствор 11-оксибензо[b]пирена в этаноле концентрации менее 10-2 моль/л заливают в кварцевую кювету спектрофотометра с толщиной поглощающего слоя 1 см. Регистрируют спектр в диапазоне длин волн 190 до 780 нм (рисунок 1б). По спектру поглощения 11-оксибензо[b]пирена вычисляют интегральный параметр от автокорреляционной функции IА=47,60 эВ. 11-оксибензо[b]пирен относится к группе оксипиренов, значит, по таблицам 1, 2 берут соответствующие коэффициенты зависимостей (7), (8): D1=2,60эB, D2=-2,64⋅10-2; G1=l,68эB, G2=-6,84⋅10-3. И определяют по соотношениям (7)-(8) и :

Значения органических полупроводников (примеры 1-2), определенные по показателям удельной электропроводности термостатированной ячейки и предлагаемым способом приведены в таблице 3.

Значения органических полупроводников (примеры 1-2), определенные по краю фундаментальной полосы спектра поглощения и предлагаемым способом приведены в таблице 4.

Вывод: как следует из таблицы 3, средняя относительная погрешность определения ширины запрещенной зоны темновой проводимости органических полупроводников по предлагаемому способу в сравнении с методом определения по показателям удельной электропроводности термостатированной ячейки составляет 6,80%. Из таблицы 4 следует, что средняя относительная погрешность определения ширины запрещенной зоны фотопроводимости органических полупроводников по предлагаемому способу в сравнении с оптическим методом по краю фундаментальной полосы составляет 6,57%. Следовательно, предлагаемый способ определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости дает адекватные результаты в сравнении с известными аналогами.

Преимущества заявляемого способа заключается в следующем:

1. Повышение информативности за счет одновременного определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости за одно измерение

2. Упрощение аппаратуры - для реализации способа используется только спектрофотометр

3. Возможность расширения класса исследуемых органических полупроводников, содержащих гетероатомы за счет возможности применения способа к объектам, точная информация о структуре которых отсутствует

4. Возможность применения способа к многокомпонентным органическим полупроводникам, содержащим гетероатомы.

5. Сокращение времени определения значений ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости.

Способ определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников, содержащих гетероатомы, включающий регистрацию спектров поглощения в оптически прозрачных растворах образцов в ультрафиолетовой и (или) видимой областях, отличающийся тем, что ширина запрещенной зоны темновой и фотопроводимости определяется по интегральному параметру от автокорреляционной функции, вычисленному по электронному спектру в ультрафиолетовом и (или) видимом диапазонах, при этом ширина запрещенной зоны темновой и фотопроводимости определяется по зависимостям

где - ширина запрещенной зоны темновой проводимости, эВ;

- ширина запрещенной зоны фотопроводимости, эВ;

IA - интегральный параметр от автокорреляционной функции спектра, эВ;

D1, D2, G1, G2 - эмпирические коэффициенты, постоянные для близких по химической природе органических полупроводников, размерность D1, G1 - эВ, D2, G2 - безразмерные величины.

где IA - интегральный параметр от автокорреляционной функции, эВ;

ε - молярный коэффициент поглощения, л⋅моль-1⋅см-1;

n - количество полос поглощения;

Е - энергия электромагнитного излучения, эВ;

E1…En - границы спектра поглощения, эВ;

ΔЕ - шаг сканирования спектра, эВ;

ε(Е)=k(Е)⋅М,

где k(Е) - коэффициент поглощения, л/(г*см);

М - среднечисловая молярная масса, г/моль.

где св - концентрация поглощающего вещества; г/л;

D - оптическая плотность, безразмерная величина;

L - толщина поглощающего слоя кюветы, см.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии.

Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечного элемента с тонким слоем из кремния. Способ включает нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1), нанесение на ТСО-слой (3) по меньшей мере одного слоя (4; 5) кремния, причем перед нанесением ТСО-слоя (3) стеклянную подложку (1) подвергают облучению электронным излучением, при этом образуется рассеивающий свет слой (2) стеклянной подложки (1), на которую наносится ТСО-слой (3).

Изобретение относится к мобильному устройству для детектирования света, испускаемого из источника света. Техническим результатом является обеспечение возможности функционировать мобильному устройству как устройство дистанционного управления «указания и управления».

Предложен монолитный фотовольтаический элемент. Упомянутый элемент содержит по меньшей мере один переход.

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.

Изобретение может быть использовано для создания солнечных батарей космического применения. Солнечный фотопреобразователь на основе монокристаллического кремния с n+-р или р+-n переходом у фронтальной поверхности, изотипным р-р+ или n-n+ тыльным потенциальным барьером для неравновесных неосновных носителей тока, дифракционной решеткой на фронтальной поверхности с периодом, равным 1 мкм, содержит эмиттер, базу и токосъемные контакты, при этом тыльный потенциальный барьер для неравновесных неосновных носителей тока сформирован за областью генерации зарядов на расстоянии 15÷20 мкм от фронтальной поверхности фотопреобразователя.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем.

Изобретение относится к промышленной безопасности. Система постоянного контроля концентрации паров углеводородов нефти и нефтепродуктов в воздухе рабочей зоны при проведении огневых и газоопасных работ включает в себя передвижной газоанализатор, блок контроля и управления и блок исполнения радиокоманд.

Фотометр // 2659977
Изобретение относится к устройствам для измерения яркости поверхностей пищевых продуктов, материалов, изделий, источников света, экранов мониторов. Фотометр содержит корпус, блок питания, осветительно-приемный блок и измерительную головку, программируемый микроконтроллер последовательно включает-выключает светодиоды, закрепленные в осветительно-приемном блоке, белого, красного, синего и зеленого цвета, которые освещают исследуемую поверхность, а отраженный свет улавливается светочувствительным датчиком, преобразуется пропорционально величине силы света в электрический ток, передается на анализ в программируемый микроконтроллер, который по алгоритму загруженной через USB-кабель от ЭВМ программы, передает данные на монитор в буквенно-цифровом формате как результат измерения яркости поверхностей, при этом корпус изготовлен из ударопрочной пластмассы, а блок питания состоит из четырех щелочных батарей АА по 1,5 В.

Изобретение относится к устройствам сканирования возбуждаемого лазерным источником излучения спектра флуоресценции поверхности объекта исследований и представления результата в виде изображений в видимом и ИК-диапазонах.

Изобретение может быть использовано в устройствах, обладающих высокой разрешающей способностью, для спектрального анализа, модуляции и монохроматизации света. Интерференционный светофильтр содержит две подложки с зеркальным покрытием с регулированием положения подложек при помощи основного пьезоэлемента, подключенного к источнику переменного напряжения.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для оценки эффективности звукопоглощающих конструкций средств акустической защиты в судостроении, например, при создании активных противогидролокационных покрытий, характеризующихся низкочастотным рабочим диапазоном.

Изобретение относится к области оптики и касается способа генерации непрерывного широкополосного инфракрасного излучения с регулируемым спектром. Способ включает в себя нагрев металлического тела, содержащего две смежные плоские грани, генерацию оптическими фононами тела на одной из граней широкополосных поверхностных плазмон-поляритонов (ППП), дифракцию ППП на ребре, сопрягающем грани, и преобразование ППП в результате дифракции в объемное излучение.

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано в контрольно-аналитических лабораториях для стандартизации и контроля качества лекарственных средств, а именно для количественного определения фенибута методом капиллярного электрофореза.Способ количественного определения фенибута в микрокапсулах методом капиллярного электрофореза включает выполнение анализа в кварцевом капилляре эффективной длиной 0,5 м, внутренним диаметром 75 мкм, под действие электрического поля с использованием раствора ведущего электролита, с последующим спектрофотометрическим определением продуктов реакции, в качестве ведущего электролита используется 10 мМ раствор натрия тетраборнокислого 10-водного с рН 9,2, анализ проводится при напряжении +20 кВ, температуре 30°С и длине волны детектирования 193 нм.

Изобретение относится к измерительной технике, прикладной оптике, спектрометрии, технике получения спектральных изображений (видеоспектрометрии). Устройство содержит неколлинеарный акустооптический (АО) фильтр, в котором в качестве элемента для выделения полезного дифрагировавшего светового пучка использована определенным образом ориентированная выходная грань кристалла акустооптической ячейки фильтра.

Группа изобретений относится к области косметологии и раскрывает систему получения индивидуализированной композиции для обработки волос, а также способ приготовления окрашивающей композиции с использованием вышеуказанной системы.

Изобретение относится к аналитическим измерениям. Способ классификации образца в одном из классов осуществляется на основании спектральных данных, причем спектральные данные содержат спектр комбинационного рассеяния, ближний инфракрасный спектр, ИК-Фурье спектр, масс-спектр MALDI или времяпролетный масс-спектр MALDI.

Изобретение относится к способам определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений. Способ определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений включает регистрацию спектров поглощения образцов в оптически прозрачных растворителях в УФ и видимой областях, при этом и определяются по IA, вычисленному по электронному спектру в ультрафиолетовом и видимом диапазонах. Технический результат заключается в упрощении способа и повышении его экспрессности и информативности за счет одновременного определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости по интегральному параметру от автокорреляционной функции. 4 табл., 1 ил.

Наверх