Способ определения максимальной л1гновенной

 

О п И С А Н И Е 274234

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 02.Х11.1968 (J9 1286504i26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 24.V1,1970. Бюллетень ¹ 21

Кл, 21, 11102 1ПК 6 Olr 36/26

УДК 621.382.3 (088.8) Комитет по долам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 24.IX.1970

i 11:,Т1 .11Т"! 01 ц

h11l:4180! ;" 11.

Авторы изобретения

3. Н. Улановский и 3. В. Андреев

Московский институт электронного машиностроения !

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛЬНОЙ МГНОВЕННОЙ

РАЗНОСТИ ТЕМПЕРАТУР МЕЖДУ р--;I-ПЕРЕХОДОМ

И КОРПУСОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Предмет изобретения

Способ может быть использован для измерения многих типов полупроводниковых приборов корпусной конструкции прп нагрузке их импульсами прямого тока.

Известен способ определения мгновенной разности температур чехкду р — -tt-переходом lt корпусом полупроводникового прибора прп импульсной нагрузке, зак:почающийся в измерении разности двух значений: минимального мгновенного значения U» (напряжение на приборе при малом прямом токе) после нагрева диода импульсом тока 1„и значения, установившегося после выравнивания температуры в кристалле полупроводника.

Недостатками этого способа измерения ":„âляются небольшая разность напряжений (на порядок меньше U„,ð) и чередование периодов измерения б„,р с периодами нагрева, в течение которых на диоде возникает большое напряжение U„.

При импульсном нагреве диода У„может быть на два порядка больше измеряемой разности двух мгновенных значений U„,р.

Цель изобретения — повышение точности измерения. Достигается Oна тем, что снимаемое с измеряемого полупроводникового прибора напряжение ограничивают Ilo максимуму до среднего значения этого напряжения, а разность минимального мгновенного значения и среднего значения, ограниченного по максимуму напряжения, преобразуют в выходной сигнал. Частоту импульсов нагрузки измеряемого полупроводникового прибора выбирают такой, чтобы пx скважность была более 100, 5 чем дополнительно уменьшается разность между средним значением, ограниченным по максимуму напряжения, и установившимся значением U„,ð на измеряемом полупроводниковом приборе.

10 Способ заключается и следу1ощем.

Определяют разность минимального мгновенного значения U„,ð и среднего значения напРЯженпЯ на диоде U,ð1.осле огРаниченпЯ импульсов напряжения нагрева U„.

В результате ограничения У„величина У,р приближается к установившемуся значению

U«ð . Этому >ке способствует увеличение скважности импульсов 1„(частоту повторений импульсов тока нагрева прибора выбирают такой, чтобы скважность этих импульсов превышала 100).

25 Способ определения максимальной мгновенной разности температур между p — >1-переходом и корпусом полупроводнпкогого прибора, работа1ощегo под нагрузкой импульсами прямого тока, по разности двуx мгновенных зиа30 ченпй «порогового» прямого напряжения, «т274234

Составитель О. Афанасенкова

Редактор Б. Федотов Корректоры: Е. Ласточкина и Л. Корогод

Заказ 2560/2 Тираж 480 Подписное

Ц1-1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий пр Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 личаюи ийся тем, что, с целью повышения точности измерений, снимаемое с измеряемого полупроводникового прибора напряжение ограничивают по максимуму до среднего значения этого напри>кения, разность минимального мгновенного значения и среднего значения, ограниченного по максимуму напря>кения, преобразуют в выходной сигнал.