Способ определения температуры кристаллатиристора

 

O П И С А Н И Е 274235

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Со1оз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 2lg, 11 02

Заявлено 05.VI II.1968 (¹ 1262083>26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 24.V1.1970. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 24.1Х.1970

1(омитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

ЧПК G Olr 36(26

УДК 621.3.083,72 (088.8) Авторы

11 3 о б p e T е н и 51

В. А. Бунько, А. В. Итин и Г. П. Наумов

Днепропетровский горный институт

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЬ1 КРИСТАЛЛА

ТИ РИСТОРА

Предмет изобретен

Известен способ измерения температуры кристалла тиристора, состоящий в том, что через тиристор пропускают мощный импульс тока синусоидальной или прямоугольной формы. Р— а-переход тир ICTopa нагревается. 3атем пода1от измерительный импульс. В зависимости от температуры при постоянном напря>кении импульса изменяется ток илп при постоянном токе изменяется напряжение.

Прп этом способе температуру кристалла тиристора определяют с помощью специальHbIx испытаний в лабораториых условиях. где

co333IoT HcIlip схемах при естественной нагрузке выпрямителя режим тиристора отличается от испытаний в лабораторных условиях.

Цель изобретения — — определение температуры р — и-перехода в оабочей схеме силового тиристорного выпрямителя под нагрузкой и повышение точности измерений. Для достнжепия этой цели измерительные импульсы отделяют от запускающих, ограничивают снизу и по амплитуде изменяю1цейся части измерительного импульса судят о температуре кристалла тиристора.

Описываемый способ -.àêëlî÷àåòñÿ в следующемм.

Псрсд измерением температуры в рабо 1ей схеме выпрямителя каждый тиоистор градупруют в термостате. за тем па р — 11-переход в проводящем направлении тирисгора подают измерительные импульс1.1 напря>кения. которые отделяют от запускающих.

5 При повышении температуры кристалла амплитуда измерительных импульсов возрастает.

Это увеличение срезается и передается на осциллогр аф.

Описанный способ позволяет определять

10 температуру кристалла тиристора непосредственно во время работы силовой схемы управляемого тпристорного выпрямителя на свою естественную нагрузку прп промышленной и повышенных частота..

Способ определения температуры кристалла

20 тиристора путем подачи измерительного импульса II;1 р — II-переход в проводящем направлении тиристора, отли птощп11ся тем, что, с целью измерения температуры кр 1сталла Ileпосредственно во время его работы и повы25 шения точности измерений, измерительные импульсы отделяют от запускающих, ограничивают их снизу 11 Ilo амплитуде изменяющейся части измерительного 11 1пульса судят о температуре кристалла тиристора.

Способ определения температуры кристаллатиристора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх