Игем ан ссср

Авторы патента:

Н. А. Фролов, Р. Сапожников, В. Н. Серегин, А. И. Корнеев, Е. И. Котов, А. В. Тимофеев , А. Д. Хотеев

G01N25/12 - критической точки; прочих фазовых изменений

f ° вв СОЮЗНАЯ

I>T<<1 <0 усХИМЧЕС1хАЯ б но ка д 1

E О П

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт, свидетельства .бвЂ”

Заявлено 23.Х11.1969 (¹ 1388856/26-25}

МПК 6 01п . 5 12 с присоединением заявки Л"вЂ”

Комитет по лелем

Изобретений и открытий,при Совете Министров

СССР

ПриоритетвЂ”

OlIvo;i.!кэвапо 1З.Ч.1971. Б!Олл-1=-:ih ¹ 16

У1 К 621.3.883.8 (088.8) ?ата опубл:! копания o!I!Ic,IIII»I 28Л 11.1971

Авторы изобретения

Н. А. Фролов, P. М. Сапожников, В. H. Серегин, А. И. Корнеев, E. И. Котов, А. В. Тимофеев и А. Д. Хотеев

И ГЕМ AH СССР

Заявитель

УСТАНОВКА ДЛЯ ДЕКРЕПТОФОНИЧЕСКОГО АНАЛИЗА

11зобрстснпс предназначено для определения температур образования минералов путем декрепитации (взрывян?!я) включений минср алооор азу ющих сред.

При создании установок, в которых используется дскрс!п!тация, высокие требования предъявляются к датчику и нагревательному устройству, которые должны иметь малые собственныс шумы, как электрические, так и акустические и, кроме того, обеспечивать работу при высоких температурах вЂ” порядка 800 С.

Предложенное устройство для декрептофоничсского анализа позволяет устранить шумы, электрические и акустические, и расшпригь диапазон рабо IIIx температур одновременно с повышением чуьствительности анализа.

Для этого мембрана датчика, связанная с пьезокристаллом, расположена над ним и отделена от пьезокристалла двумя зонами теплоизоляции и тсплозвукоизолирующим экраном, 0QHOBPCAIC?IHO СЛУЖЯЩИМ ЭКРЯНОМ OT ЭЛСКТРОмагнитных полей. Спираль укреплена на основании нагревательного устройства с помощью стоек, исключающих прогибание спирали и обеспечива!ощих устранение колебаний (шуи!Ов) при прохождении тока.

На чертеже показана предложенная установка для дскрептофонического анализа, содержащая датчик 1, нагревательное устройство Z, меморану 8, пьезокристалл 4, первую 5 и вторую 6 зоны теплоизоляции, теплозвукоизолирующий экран 7, спир-:ëü 8, основание 9, cт0йки 10. Пьсзокриста.1.1 0+HI!:il концом Hpllкрсплсн к конт?lктной колодкс, 3 друпlм через

5 опорныс фланцы, трубчатые стойки, тсплопзолпрующую Втулку соединен с мембраной, расположенной в раоочсй зоне, которая образуетСЯ ЦПЛ ИПДР11 1ССICII. л! П HP010 II?3 МИ В Т!!.1 ЬКО?10Х!

0C HOB 3?11111. !

О Первая зона 5 теплоизоляции состоит из цилиндрической проточки в тальковом блоке и тсп,1опзоляIH!H, и кoTÎрыx. Вo центру выполнены отверстия для ни!хода стойки к мембране.

Вторая зона 6 тсплопзоляцпп состоит из

15 ф Bi3HII3, Н3 который 3 стан IB;I?IBaeTciI TBJlblc0.;ый блок, трсx тсплопзолпрующих втулок, опорного кольца и кольцевого амортизатора.

ТOH,1озвукîllзолпрующпй экран 7 содержит

I I3C P;l3P03HI ЭКР ЯППР1 !ОЩIIC КР ЫШКИ C OTBCP 0 Tile xi 110 iic IITj1 i Д.1 Я вь1хОДЯ стоп! и, тсплоизоI?IIIIiIo, экра!!1!р; ющую корпус, ограничитель

П?IСЯДКOII, КОП I II КТН 10 КОЛОДК1 С В11 ВОДЯ МП, фЛ Я HC II, I l Я %!0Ï !.!13;!ТОР.

H3I рСВЯIСЛ -.ВО? с! pOIICT130 2 COCTOIIT 113 1 .Ор25 1:; с3, тсплопзоляц!11!. крышки, контактны.; выводов, спирали 6. талькового основания 9 с отBCPCTII?i:iI I I Д1Я КР С!!,1СНП?! СТОСК, 1!СКЛЮ 1310ши: прогиб",пl с cliliji;I,III прп нагревании и соприкосцопснпс сс с тальковым основанием. 0 ПО 1?сптр и 1грсl!Яте lьно! 0 устроистВЯ Вы303577

Предмет изобрстсния

Сост)))вигель И. Б. Трофимоаа I ..;рг л F. Ьорисоаа

1,: >;)."..;и > О. 11. 1)ории:!

1>, л),к г,>!> T. 3. Орловскаи )г>каа >874 (а.!. )>а 7 ) > 1 !:>и)к .1. <) I I;>лк

III I I II lilt I 1кокгитс!;! ио л к>и») !!.: >)",c !.!!,! и . ),>) крм г .й и>и. Сои, г. >>пи:! ро О.г 1

Моск.: t, /К-З5, 1 а)шскаа аб., гь 415

Облас!.:;," . и,))",аг)):!-. Ко" гр::мскогJ уп аплеии) .вЂ”.J и; )а:и полнсно отвсрстис. в которое вводят термопару для определения температуры в рабочей зоне. г),атгик с нагревательным устройством работает 1) вертикальном )юложснии.

Нагрсвательиос устройство свооодно снима-!

От с талькового блока. На )!Iембрану поиевЂ” щают исследуемые образцы, затем нагревательное устройство устанавливают на тальковый блок и включа)от.

Под воздсйствиса1 температуры исследуемые образцы иа мембране взрываются, меканичсскис колебания преобразуются иьсзокристал."ом в электрические, которые подаются па

ПКОД ()СГIICTj3llj)>,10И1СГО >, СТ )0)1СТВ-!.

Установка д1я дскрсптофонического апалиЗа, СОДЕРЖаlцаЯ Датг1ИК, СНЯОЖЕННЫ1i ПЬСЗО5 кристаллом, мембраной и системой экр;!иов, нагревательное устройство it усилитель, 0T.и>гаюи(аяся тем, >1!о, с целью расширения диа1:;iзона рабочи. . температур и повышения чу1301 вительиости. мембрана датчика, связанная с

10 пьезокристаллом, расположена иад ™им ll ОТДСЛЕНа OT П1>СЗОКРИСГалла ДВ! Ъ1Я Зон!1>1И 11)ПЛОизоляции и теплозвукоизолиру)ощим экраном, одновременно служащим экраном от электромагнитных полей, а спираль укреплена иа

15 основании нагревательного устройства с иомо1цью стоек, исключающик ирогибаиис си,tp;! 1)l 1 обсспсчивающик устранен!ге колсбаill .il (и!умов) при ирокождспии тока.

Прибор для изучения фазовых состояний газожидкостных смесей под давлением // 110386

Способ определения температуры кристаллизации вязких продуктов, например, моторных топлив, масел, антифризов и тому подобного // 92147

Способ количественного определения азота, серы и галоидов в органических веществах // 90359

Способ термического анализа минералов и т.п. веществ // 62977

Способ исследования фазовых превращений // 2229702

Изобретение относится к исследованию фазовых превращений в раствор-расплавных средах, а именно, к способам определения температуры начала кристаллизации в раствор-расплаве (температуры ликвидус)