Способ определения точки кюри в сегнетополупроводниках
366396
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Ссюв Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. б Oln 25/12
Заявлено 21.Х11.1970 (№ 1604321/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 16.1.1973. Бюллетень № 7
Дата опубликования описания 1б.III.1973
Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Совете Министров
СССР
УДК 537.226.33:621.376..2341вава1, эМН1
Г }
Авторы изобретения
Б. С. Агаронов, H. М. Бездетный, А. Х. Зейналов, Н. Н. Лебедева и М. К. Шейнкман
Азербайджанский государственный университет им. С. М, Кирова
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧКИ КЮРИ
В СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИ КАХ йР АР dT
Изобретение относится к способу определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, в особе1шости для сегпетополупроводпиков типа
A"B С периодической системы Менделеева.
В известных способах определения точки
Кюри из измерений температурной зависимости диэлектрической проницаемости в пьезоэффекту и др. в области фазового перехода наблюдается максимум величин е и y„.
Известен способ определения точки Кюри из измерений пиротока 1.
Пироток i связан с поляризацией соотношением. где Т вЂ” абсолютная температура; — время; — поляризация.
Этот способ наряду с основным пиротоком регистрирует ложный пироток и требует применения высокочувствительных измерительных устройств (электрометров), регистрирующи х ток пор яд к а 10 — 1 — 10 а А.
Ложный нироток связан с пьезоэффектом, возникающим при деформации кристалла в процессе изменения температуры.
Для повышения надежности регистрации фазового перехода по предлагаемому способу область фазового перехода определяют из измерения величины фотоотклика, возникающего при освещении конт.1кта металл — сегнетополупроводник видимыми импульсами света из области собственной фотопроводимости, и фиксируют максимальное значение фотоотклика.
Предлагаемый способ заключается в следующем.
На кристалл сегнетополупроводника, например SbSI, папыляют в вакууме контакты из Sh (сурьмы) или другого материала (Ац, Аg, Bi и т. д.), возможно применение серебряной и индийгаллиевой паст. Кристалл с нанесенными контактами закорачивают входом измерительного устройства (узкополосного усилителя) переменного тока. В области фазового перехода наблюдается резкое увеличение фотоотклика. Для SbSI точка Кюри лежит в интервале 19 — 22 С. Частота световых импульсов может меняться в широком интервале (100 — 5000 гц) .
Предмет изобретения
Способ определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, например типа АвВ С, с нанесенными ъ .еталлпческпмп контактами, от.тича1ои ийся тем, что, с целью повышения надежности регистрации фазового перехода, освещают контакт металл — сегнетополупроводнпк пмпульсами света пз ооласти собст30 венной фотопроводимости и фиксируют максимальное значение фотоотклпка,