Способ изучения кинетики фазового перехода в конденсированных средах
ОПИCАНИЕ 32I734
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Соеа Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 20Х1!.1970 (№ 1468809, 26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.XI.1971. Бюллетень № 35
Дата опубликования описания 25.1.1972
МПК Ст 01п 25/12
Комитет по делам иао5ретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 537.29.620.181 (088,8) Авторы изобретения
А. Ф. Писарев и Л. К. Лыткин
Объединенный институт ядерных исследований
Заявитель
СПОСОБ ИЗУЧЕНИЯ КИНЕТИКИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА
В КОНДЕНСИРОВАННЬ1Х СРЕДАХ
Изобретение относится к методам исследования фазовых переходов в конденсированных средах и может быть использовано при изучении динамики зарождения и роста новых фаз, индуцированных внешними полями.
Известны способы изучения кинетики фазовых переходов в конденсированных средах, согласно которым изучаемый кристалл термостатируют вблизи точки перехода (точкп
Кюри), затем накладывают илп снимают внешнее поле и ведут наблюдение за динамикой развития фазового перехода при помощи оптических, калориметрических, рентгенографических и других методов.
Недостатком таких способов является то, что наблюдению за кинетикой развития фазового перехода внутри кристалла мешают центры роста новой фазы на поверхности.
Это объясняется тем, что внешнее поле смещает точку Кюри на поверхности и внутри кристалла одновременно на одну и ту же величину, а фазовый переход всегда начинается с поверхностных областей кристалла.
По предлагаемому способу для устранения влияния поверхностных неоднородностей перед моментом наложения (снятия) внешнего поля, смещающего точку Кюри (T„-) в кристалле, импульсно нагревают (если T(T„.) или охлаждают (если Т) Т„) поверхность изучаемого кристалла. Таким образом, на поверхности кристалла создаются условия, неблагоприятные для осуществления фазового перехода, а во внутренних областях фазовый переход имеет место. При Т) Т„фазовый переход идет при начальной температуре в термостате выше точки Кюри, а при T(T ниже точки Кюри.
Если выбрать кристалл, для которого
T)T„; (т. е. действие внешнего поля таково, что оно как бы увеличивает температуру фазового перехода), и застабилизировать его температуру Т„близкой к Т„. так, что Т,(Т„, то при импульсном охлаждении поверхности кристалла ее температура понизится íà AT.
Последующая подача внешнего поля смещает точку Кюри во всем кристалле на величину
К Т-„..
Можно подобрать AT и ЛТ„так, что во всем объеме кристалла будет выполняться условие T„; Тн(Т„а в поверхностном слое кристалла — условие Т,=ХТ„) Т,— л.Т. При этом внутренние области кристалла перехо25 дят в метастабильное состояние, а поверхностный слой остается в стабильном состоянтш. Во внутренних областях кристалла заt.0æäàþòñÿ и развиваются зародыши новой фазы, тогда как в поверхностном стабильном
3Q слое зарождения новой фазы происходить не
32l734
Предмет изобретения
Составитель Г. Борисевич
Текред 3. Тараненко
Редактор Н. Корченко
Корректор Е. Усова
Заказ 3944/14 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, уК-35, Раушская наб., д. 4 5
Типографии, пр. Сапунова, 2
Аналогично можно подобрать метры для кристалла, у которого Т(Тн
Время задержки подачи (снятия) внешнего поля на кристалл относительно момента импульсного изменения температуры поверхности кристалла выбирают в соответствии со временем, необходимым для изменения температуры поверхности на глубину, достаточную для «отсечки» всех поверхностных дефектов, которые могли бы инициировать фазовый переход.
Способ изучения кинетики ф азового перехода в конденсированных средах под воздействием внешних полей путем оценки количества возникающих зародышей новой фазы, отличаюшийся тем, что, с целью устранения влияния поверхностных неоднородностей, поверхность исследуемой среды перед изменением внешнего поля импульсно охлаждают или нагревают.
