Установка для проверки параметров транзисторов

 

"бПЙСАНИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

31 317

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК Н 011 7/68

Заявлено 27Л.1967 (№ 1128885/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 09.И11,1971. Бюллетень № 24 УДК 621,328.3(088.8)

Дата опубликования описания 5.Х.1971

Комитет оо делам изобретений и открытий

flpH Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. Ф. Бабурин и Н. Н. Терентьев

Заявитель

УСТАНОВКА ДЛЯ ПРОВЕРКИ ПАРАМЕТРОВ

ТРАНЗИСТОРОВ

Установка для проверки параметров транзисторов предназначена для использования в производстве транзисторов, имеющих вывод одного из электродов на корпус с токопроводящим покрытием.

Известные установки предусматривают ручную загрузку транзистора в колодку для измерения, автоматическое измерение и ручной съем с колодки после проверки.

Однако такие установки характеризуются низкой производительностью и ненадежны при подключении транзисторов к измерительному блоку.

Описываемая установка отличается от известных тем, что она выполнена в виде двух рычагов, снабженных копиром и упором, осуществляющим разведение рычагов во взаимно перпендикулярных плоскостях, и двух подвижных контактов, перемещаемых копи ром для прижима к выводам транзистора. Это позволит повысить производительность установки и обеспечить надежность подключения транзисторов к измерительному блоку.

На фиг. 1 представлена кинематическая схема установки; на фиг. 2 — конструкция узла для подключения транзисторов к измерительному блоку.

Установка состоит из вибробункера 1 для односторонней ориентации транзисторов (базовый вывод должен быть ориентирован в одну сторону) и подачи их в питатель 2. Для поштучной подачи и установки транзисторов на позицию испытания предусмотрен отсекатель 8 с приводом от кулачка 4, закрепленного на валу 5. Для фиксации и выпрямленпя выводов транзисторов из позиции испытания применен двухрычажный шарнирный рассекатель б, закрепленный на каретке 7, который может разводиться в двух взаимно перпендикулярных плоскостях при взаимодействии с упором 8 и копиром 9. Каретка 7 приводится в действие от вала 5 через кулачок 10 и рычаг 11 с зубчатым сектором 12. Подключение транзистора к измерительной схеме осуществляется подвижными контактами 18, закрепленными на толкателе 14 и упирающимися одним концом на копир 15. Толкатель с помощью кулачка 1б, закрепленного на валу 17, и зубчатых колес 18 также связан с валом 5.

Включение и выключение измерительной схемы осуществляется кулачковым переключателем 19. Для разгрузки провереHHbIx транзисторов на питателе 2 шарнирно закреплен разгрузочньш лоток 20, связанный с электромагнитом 21 разбраковкп.

Работа установки заключается в том, что ориентированные транзисторы поступают к отсекателю 8. Отсекатель 8 двумя верхними рычагами поштучно отсекает транзисторы, ко30 торые под действием собственного веса па

3113!7

10 дают на нижний рычаг отсекателя, т. е. на позицию испытания. При движении каретки 7 в крайнее левое положение рассекатель б заходит между выводами транзистора и, находя на упор 8 и копир 9, распрямляет и разводит их. В разведенном состоянии выводы удерживаются в течение всего времени испытания. В это время толкатель 14 под действием кулачка 1б начинает двигаться в крайнее правое положение, контакты 18, двигаясь по копиру 15, подходят к верхнему и нижнему выводам транзистора, сводятся и прижимаются к ним, подключение среднего вывода осуществляется через корпус транзистора на питатель 2.

В момент остановки контактов переключатель 19 включает измерительную схему. Если отклонений измеряемых величин не обнаружено, электромагнит 21 не включается и, следовательно, разгрузочный лоток 20 находится в исходном положении. При отклонении измеряемых величин от нормы измерительная схема включает электромагнит, который поворачивает лоток 20 и удерживает его в таком положении до окончания цикла, в результате чего транзисторы падают в другую тару.

После окончания измерения кулачковый переключатель 19 выключает измерительную схему, толкатель 14 с контактами И отходят в крайнее левое положение, а каретка 7 с рассекателем б — в крайнее правое положение. Кулачок 4, действуя на отсекатель 8, отводит его, освобождая путь транзистору, который по разгрузочному лотку 20 падает в соответствующую тару.

Затем цикл повторяется.

Предмет изобретения

Установка для проверки параметров транзисторов, содержащая блок питания, измерительный блок, индикаторное устройство, механизм для ориентации и загрузки транзисторов, устройство для подключения транзисторов, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и надежности подключения транзисторов к измерительному блоку, устройство для подключения транзисторов выполнено в виде двух шарнирно соединенных рычагов, снабженных копиром и упором, осуществляющим разведение рычагов во взаимно перпендикулярных плоскостях, и двух подвижных контактов, перемещаемых копиром для прижима к выводам транзистора. айаг 2

Составитель Б. Гришин

Техред Л. Л. Евдонов Корректоры: И. М. Шматова и А. П. Васильева

Редактор М. Аникеева

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2678/12 Изд. № 1100 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Установка для проверки параметров транзисторов Установка для проверки параметров транзисторов Установка для проверки параметров транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх