Накопитель на многоотверстных ферритовыхпластинах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02Х11.1969 (№ 1341670/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.Х.1971. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 11.1.1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Р. А. Лашевский и А. С. Свердлов

Заявитель

НАКОПИТЕЛЬ НА МНОГООТВЕРСТНЫХ ФЕРРИТОВЫХ

ПЛАСТИ НАХ

Предложенный накопитель относится к области вычислительной техники и может быть использован для построения запоминающих устройств.

В известных накопителях на многоотверстпых ферритовых пластинах каждая разрядная обмотка выполнена в виде петли, противоположные стороны которой проходят сквозь отверстия пакета ферритовых пластин таким образом, что плоскость этой петли перпендикулярна продольной оси пластины. Результатом такого расположения обмоток является их взаимная индуктивность, приводящая к ряду вредных явлений в запоминающем устройстве, главным образом, к появлению большой перекрестной помехи.

Цель!о изобретения является уменьшение взаимной индуктивности соседних разрядных обмоток.

Поставлеш1ая цель достигается путем того, что в каждой паре обмоток прямые проводники, расположенные в соседних отверстиях пакета пластин, соединены с обратными проводниками, расположенными в соседш1х отверстиях тех же столбцов, но соседней строки.

На чертеже показана предложенная конструкция накопителя.

Пакет пластин 1 с печатными адресными обмотками 2 прошит проводниками разрядных обмоток. Как видно из чертежа, разряд1 ые оомотки расположены парами, причем каждая обмотка пары образована последовательным соедп1ением прямого проводника 8, проходящего в верхнем отверстии одного ря5 да отверстий пакета пластин, с обратным проводником 4, проходящим в нижнем отверстии другого ряда.

При расстоянии между вертикальными рядами отверстий, равном расстояшпо между

10 горизонтальными рядами, так" ÿ схема соединений проводников разрядных обмоток приводит к тому, что магнитный поток, образованный в ферритовой пластине одной обмоткoi не пересекает плоскости соседней с пей j5 Ооа! Отки.

110с1 Ольку pасстоя11пя межд7 Оомотк<1ми соседних пар велико (по сравнению с расстоянием между прямым и обратным проводниками обмотки) суммарное взаимодействие

20 всех разрядных обмоток существенно уменьшается.

Предмет изобретения

E E;1êîïèTåëü а многоотверст ых феррпто25 вых пластинах, содержащий пакет пластин с отверстиями, расположенными в каждой пластине Но строкам и столбцам, и с разрядными обмотками, каждая из которых состоит из прямого и обратного проводников, проходя50 щих в отверстиях пакета пластин и соединен316!2!

Составители Ю. Розенталь

Тскрсд А. Камышникова

Редактор Б. Нанкина

Коррсктории Л. Орлова

H. Шевченко

Заказ 34б4/!7 Изд. ¹ !460 Тира>к 473 Подписное

Цниипи Комитета по делам изобретений и открыт11й ili)li совете министров ссс!

Москва, Ж-зо, Раушскаи паб., д. 1,5

Типографии, пр. Сапунова, 2 ных друг с другом в разомкнутую петлю, отличающийся тем, что, с целью умея!.11!сипя перекрестных помех в разрядных,, обмотках, в нем в каждой паре обмоток прямой проводиик обмотки соедииеи с обратным проводииком, p3ci10 пожеи иьIз1 Б QTB0pcTIIè, иаход11шемс11 иа пересе!сипи соседнего столбца и соседней строки.

Накопитель на многоотверстных ферритовыхпластинах Накопитель на многоотверстных ферритовыхпластинах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти

 // 325632
Наверх