Способ определения термоэлектрической

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

319019

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 09Х11.1970 (№ 1456856/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.Х.1971. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 23.XII.1971

МПК Н Olv 1/02

G 0lr 31/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.362.2(088.8) Лвторы изобретения

Ю. А. Гриц и Ю. Г. Басин

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ДОБРОТНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

И ТЕРМОБАТАРЕЙ

Изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.

Известный способ определения термоэлектрической добротности полупроводниковых материалов и термобатарей, основанный на использовании эффекта Пельтье-Зеебека, заключается в следующем: через образец пропускают постоянный ток и измеряют омическое падение напряжения VII на образце в момент включения. В местах контакта электродов с образцом и начинает вырабатываться тепло Пельтье, и по истечении некоторого промежутка времени (1 — 3 мин1 на образце устанавливаются стационарный перепад температур и соответствующая ему термо-э. д. с.

V., которую также измеряют. Величину термоэлектрической добротности z вычисляют по формуле где Т вЂ” абсолютная температура образца.

Отделение безынерционной составляющей напря>кения 1/л от инерционной V, обычно производят путем графической обработки диаграмм напряжения, записанных на быстродействующем самописце.

Пронускание тока через образец сопрово>кдается выделением в нем джоулева тепла.

Как правило, тепловыделение вдоль образца и, в особенности, в контактах неодинаково, из-за чего на образце возникает неизвестная добавочная термо-э. д, с., величина и знак которой не зависят от напряжения. Для ее исключения проводят двухкратные измерения величины V. при противоположных направлениях тока, и затем находят среднюю арифметическую величину.

Недостатками известного способа являются большое число элементарных измерите IbHI Ix и расчетных операций, относительно большая продолжительность цикла измерений, сравнительно малые значения измеряемых напряже15 НИЙ.

Цель изобретения — уменьшение числа измерительных и расчетных операций, сокращение длительности измерительного цикла и увеличение измеряемых напряжений, что повышает точность определения термоэлектрической добротности, Цель достигается тем, что направление тока через образец переключают скачком, измеряют омическую составляющую напряжения в момент переключения тока, а термоэлектрическую — через некоторое время после переключения.

Применение описываемого способа позволяет исключить двухкратные измерения и операцию усреднения величины U,, так как усред319019

Предмет изобретения

zT = 2V„ 2U

Составитель С. Е. Островская

Редактор И. А. Орлова Техред А. А. Камышникова Корректоры: В. И. Жолудева и Т. А. Миронова

Заказ 3547/18 Изд. № 1518 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2 пение происходит автоматически. За счет этого продолжительность одного измерительного цикла при одиночных измерениях сокращается на /з, а при непрерывном повторении цикла — вдвое.

При измерении описываемым способом производят следующие операции: включают постоянный ток на время т, необходимое для установления термо-э. д. с. V,; переключают скачком направление тока и измеряют напряжение 2 V> на образце в момент переключения; по истечении промежутка времени т после переключения определяют установившуюся термо-э. д. с. 2V. вычисляют термоэлектрическую добротность по формуле

Способ определения термоэлектрической добротности полупроводниковых материалов

5 и термобатарей путем пропускания через образец постоянного тока и измерения омической и термоэлектрической составляющих напряжения на образце при двух противоположных направлениях тока, отличающийся

10 тем, что, с целью повышения точности измерения и сокращения времени и числа измерений, направление тока переключают скачком, измеряют омическую составля1ощу1о 110 скачку напряжения в момент переключения, а за15 тем — термоэлектрическую составляющую установившегося напряжения.

Способ определения термоэлектрической Способ определения термоэлектрической 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх