Высокочастотный электромагнитный способ

 

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

3! ЗП9

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.Xl 1,1967 (¹ 1200338/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31Х111.1971. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 18.Х.1971

МПК б Olr 31/22

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистоое

СССР

УДК 621.382:531.717.521 (088.8) Авторы изобретения

Ю. К. Григулис и О. К. Альена

Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР

Заявитель

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ СПОСОБ

ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

НА НЕМЕТАЛЛАХ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области пленочной микроэлектронной техники, в частности, к области контроля и измерения толщины тонких металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые или диэлектрические структуры.

Известен высокочастотный электромагнитный способ контроля, когда поле создается электроиндуктивным датчиком. Недостатком этого способа измерения является значительная погрешность измерения как толщины пленок, нанесенных на полупроводниковые структуры с диффузионными слоями, так и средней толщины пленки, нанесенной на больших площадях пленок.

Цель изобретения — создание бесконтактного способа измерения средней толщины тонких металлических пленок, нанесенных на больших площадях или полупроводниковых структурах и устранение влияния диффузионного слоя на результаты измерения и возникновения гальванических токов.

Для достижения цели используют токи высокой частоты, которые создаются полем электродов емкостного датчика. Поскольку поле обеспечивает возникновение поверхностных высокочастотных токов, то имеется возможность подавления влияния диффузионного слоя и устранения причин возникновения гальванических токов. При этом можно осуществлять измерение средней толщины между достаточно удаленными точками.

Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена схема измерения, где 1— высокочастотный генератор, 2 — измерительный элемент, 8 — измерительный блок, 4— металлическая пленка, 5 — основа пленки, б, 7 — электроды измерительного элемента.

Высокочастотный генератор 1 возбуждает

1О при помощи измерительного элемента 2, имеющего емкостную связь с контролируемым объектом, высокочастотный ток в контролируемом покрытии 4. Пластину 5 с покрытием

4 кладут на один из электродов б измеритель15 ного элемента 2, при этом между электродом

7 и покрытием имеется емкостная связь. С помощью стрелочного прибора, находящегося в измерительном блоке 8, измеряют выходное напряжение, характеризующее изменение пол2О ного сопротивления (импеданса) измерительного элемента от толщины покрытия.

25 Высокочастотный электромагнитный способ измерения толщины металлических пленок на неметаллах, отлича ощийся тем, что, с целью измерения толщины металлических покрытий на полупроводниковых пластинах, устранения

30 влияния диффузионного слоя и возникновения

31о179

Составитель А. Б. Пирожников

Редактор И. А. Орлова Тсхред А. А. Камышникова Корректор Л. А. Царькова

Заказ 2895/4 Изд. № 1201 Тираж 473 Подписное

11НИИПИ Комитета по делам изобретений и о|крытий при Совете Министров СССР

Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 гальванических токов, возбуждают высоко IBстотный ток в тонком поверхностном слое при помощи электродов с емкостпой связью, определяют напряжение на измерительном элементе, характеризующее пзмспснис импедапса измерительного элемента от толщины покрытия, и по величине импеданса из: еряют толщину покрытия.

Высокочастотный электромагнитный способ Высокочастотный электромагнитный способ 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх