Высокочастотный емкостный способ контроля параметров полупроводниковых пластин
ВСЕСЕ1ЕЭЫА
Й.т.: Е:.. 0 ..ЕйЮ 4А%
6 и и .ока ?ЛЬ
3l4l59
И Е
Ваов 6еветеннх
Сецнвлнетнчеенна
РВВпУ6ант
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 02.ХI1.1967 (№ 1200337/26-25) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 07.IX.1971, Бюллетень № 27
Дата опубликования описания 08.XII.1971
МПК С 01г 31/22
Комитет по делам нзобрртений н отнрытнй арн Совете Мннистрое
060Р
3 ДК 621 382 531 717 521 ,(088.8) Авторы изобретения
Ю. К. Григулис и О. К. Альена
Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР
Заявитель
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЕМКОСТНЫЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ
ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
Предмет изобретения
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и предназначено для контроля и измерения:параметров полупроводниковых материалов.
Известны емкостные способы контроля удельного сопротивления полупроводниковых материалов. Для этих способов характерно влияние непостоянства зазора, толщины пластин и диэлектрической проницаемости полупроводника на точность измерения.
Цель изобретения — обеспечить одновременное бесконтактное измврение толщины и удельного сопротивления полупроводниковой пластины с устранением влияния зазора и диэлектрической проницаемости проводника.
Для достижения этой цели используют емкостный датчик, который включен в резонансный измерительный контур. Приближая электроды емкостного датчика к полупроводниковой пластине, добиваются резонанса. Напряжение на конденсаторе указывает удельное сопротивление полупроводника, а перемещение электродов — толщину пластины.
На чертеже, представлена схема измерения, где 1 — полупроводниковая пластина, 2 — столик, 3 — электроды, 4 — емкостный датчик, 5 — конденсатор настройки, б — вольтметр, 7 — высокочастотный генератор, С вЂ” емкость измерительного элемента, L — индуктивность измерительного контура.
Толщина и удельное сопротивление полупроводниковой пластины 1, поставленной на столик 2, измеряются полем электродов 8 емкостного датчика 4 по показателям перемещения датчика и напряжения на электродах в случае установления перемещением датчика резонанса в контур CL. При этом на точность измерения не будет влиять зазор и изменение диэлектрической,проницаемости полупровод1р ника. Указанная возможность измерения обусловлена использованием зависимости изменения составляющих адмитанса датчика, годограф которых при изменении удельного сопротивления опишет окружность. Выбирая рабо15 чую частоту и размеры электродов такими, чтобы активная составляющая адмитанса с изменением удельного сопротивления полупроводниковых пластин изменялась на порядок больше, чем реактивная составляющая адми2р танга, можно по ним непосредственно определить удельное сопротивление и толщину полупроводниковых пластин. Практически это достигается благодаря использованию резонансного контура, показанного на чертеже.
Выг:)Koчастотный ем костный cl10c06 контроля параметров полупроводниковых пластин, зр отлича ощпйся тем, что, с целью одновремеп314 159
Составитель Л. Б. Пирожников
Текред Л. В. Куклина
Корректор О. Б. Тюрина
Редактор Ю. Полякова
Заказ 6484 Изд. № 1222 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Обла1стная типография Кострогяокого упра вления по печат и ного бескон тактного .измерения толщины полупроводниковой пластины и ее удельного сопротивления с устранением влияния зазора и диэлектрической проницаемости полупровод4 ника, определяют изменение реактивной и активной составляющих адмитанса датчика, по которым раздельно измеряют контролируемые параметры полупроводниковых пластин;
