Электрофотографическая пластина

 

ЕФЕ ЗОВ» .МЯ

- х " чт- "- "- "

О 320802

Союз Соеетсниз

Социалистическиа

Реслублни

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 04.Х!!.1969 (№ 1381611/28-12) с присоединением заявки №вЂ”

П|риоритет—

Опубликовано 04.Х!.1971. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 27.ХП.1971

МПК G 03g 5/04

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 772 93 (088 8) Авторы изобретения

Г. Г. Демирчоглян и В. М. Любин

Заявитель Лаборатория зрительной рецепции АН Армянской ССР

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА

Изобретение относится к электрофотографическим устройствам.

В практике электрофотографии широкое применение имеют электрофотографические пластины из аморфного селена.

Для улучшения параметров в электрофотографических пластинах используют полупроводниковые гетеропереходы.

Известные гетеропереходы поглощают мало света и не выдерживают приложения больших напряжений, а это отрицательно сказывается на их применении.

Для повышения светочувствительности и времени темновой разрядки в предлагаемой пластине полупроводниковые слои содержат последовательно чередующиеся гетеропереходы. Последние могут быть выполнены из органических полупроводников с проводимостью ртипа и неорганических полупроводников с про,водимостью а — типа, Устройство пластины схематически показано на чертеже, где 1 — проводящая подложка пластины, которая может быть непрозрачной (тогда записываемое изображение проектируется с другой стороны), либо полупрозрачной (тогда изображение может проектироваться через подложку; 2; 8; 2;. 8 ; 2", 8" ...2", 8"—

5 чередующиеся прослойки двух органических полупроводников р,и п-типов. Пластина содержит большое количество включенных последовательно р — а-гетеропереходов.

10 Предмет изобретения

1. Электрофотографическая пластина, состоящая из подложки и нескольких полупроводниковых слоев, отличающаяся тем, что, с

16 целью повышения светочувствительности и времени темновой разрядки, полупроводниковые слои содержат последовательно чередующиеся гетеропереходы.

2. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что

20 чередующиеся гетеропехероды выполнены из органических полупроводников с проводимостью р-типа и неорганических полупроводников с проводимостью п-типа.

320802 г" У"

Составитель Л. Григорьев

Редактор Г. Бялобжеская Техред Л. Евдонов Корректоры H. Зимина и Е. В, Исакова

Заказ 840 Изд. ¹ 1568 Тираж 478 Подписное

ННИИПИ Комитета по делам изобретений и открьгтнй прн Совете Министров Сс.СР

Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Типография № 24 Главполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса-Энгельса, 14