Способ разделения пластины на отдельные элементы

Авторы патента:

С. И. Васильев, Г. Р. Левинсон, В. С. Лебедев, В. А. Меркулов, А. Н. Сверидов , И. Ф. Усольцев

H01L21/78 - с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304)

ОПИСАНИЕ 35I267

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик. м." .з .. - "

1 ° Ь,- -.

М. Кл. Н Oll 7/64

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 28.1.1971 (№ 1616436/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13ЛХ.1972. Бюллетень ¹ 27

Дата опубликования описания 25.IX.1972

Комитат по делам изобретеиий и открытий при Сооотв Мииистроо

СССР

УДК 621.328.002(088.8) Авторы изобретения

С. И. Васильев, Г. P Левинсон, В. С. Лебедев, В. А. Меркулов, А. Н. Сверидов и И. Ф. Усольцев

Заявитель

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПЛАСТИНЫ

НА ОТДЕЛЪНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии разделению пластин полупроводникового материала на кристаллы.

Известны различнь е способы разделения пластин на кристаллы. Наибольшее применение получил способ разделения посредством скрайбирования, т. е. механического нанесения, например, алмазным резцом, на поверхность пластины прямолинейных рисок, по которым производится последующее разделение пластин на кристаллы, например, резиновым роликом.

Основным недостатком известного способа является возникновение сколов и выкрашивание материалов, приводящее к нарушению геометрической фор мы кристаллов, ухудшению характеристик выделяемых элементов.

Цель изобретения вЂ” улучшение параметров отдельных элементов.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу формируют сеть ограничительных зон, ширина которых больше ширины разрушаемой инструментом зоны. По этим ограничительным зонам носят скрайберные риски и по ним любым известным способом разламывают пластину на элементы. Выборка ограничительных зон на поверхности может быть выполнена, например, посредством лазерной обработки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Риски наносятся, как и зоны, в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Нанесение рисок может быть выполнено, например, посредством алмазного скрайберного резца.

10 Обработка пластины лазерным лучом не отражается на свойствах элементов, и отделение разрушаемой механпческим инструментом зоны позволяет значительно улучшить характеристики выделяемых элементов.

Способ разделения пластины на отдельные

20 элементы путем скрайбирования с последующей ломкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров отдельных элементов, формируют ограничительные зоны шириной больше ширины разрушаемой инструментом

25 области, по которым проводят скрайбирование,

Способ разделения пластины на отдельные элементы

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора // 288160

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов // 126195

Интегральная схема и способ ее изготовления // 2117418

Способ обработки структур "кремний на сапфире" // 2185685

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации

Способ изготовления микросхем // 2244364

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем

Прибор для поверхностного монтажа // 2316846

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2321101

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Способ изготовления чипов мощных нитридных свч-транзисторов // 2339116

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале // 2071145

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин

Способ изготовления датчиков давления // 2075137

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов // 2001467