Способ удаления фоторезиста
3546I7
ОП ИСААКИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сотое Соеетскив
Сециелистическиа
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 29ЛХ.т9?О (М 1478546/26-9) с пртисоедннением заявки №
Приоритет
Опубликовано 09.Х.I972. Бюллетень № 30
Дата опубликования описания 15,Х1.1972
М. Кл. Н 05k 13/00
Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров ссср
УДК 62! Л.049.7 (088.8) Авторы изобретения
Д. И. Гериц и Л, П. Цымбал
Заявитель
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
Предмет .изобретен и я
Составитель Е. Хвонтева
Техред Л. Куклина
Редактор Л. Мазуроиок
Корректор Е, Миронова
Заказ 3761!6 Изд. ¹ 1506 Тирзтк 406 Подписное
1И1ИИПИ Комитета ио делам изобрететитй и открытий ири Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Рауптсттая ттаб., д. 4(5
Тттпографня, ир. Сапунова, 2 ППП,Г1атент Зак. Г3Р5
Изобретение относится к технологии фотолитографических процессов, имеющих место в таких отраслях, как микроэлектроника, радиотехника и полиграфия.
Известен способ удаления фоторезиста с подложки обработкой в соответствующих растворителях и кислотах. Однако такой способ характеризуется трудоемкостью и значительным расходом материалов.
Цель изобретения — упрощеине;и сокращение технологического цикла, экономия материалов и повышение качества процесса удаления фоторезиста. .Сущность изобретения заключается в том, что фоторезист удаляют с помощью полимерного пленкообразующего вещества, нанесенного на подложку с фоторезистом. При высыха2 нии лака образуется пленка; которая отделт1егся от подложки вместе с фотореэистом.
Так, например, для удаления с подложкй фоторезиста на основе ФП-3338 используют
5%-ный раствор полиакрилнитрила в диметилформамиде, который, после нанесения его иа подложку, выдерживают на воздухе прн температуре 70"C в течение 40 — 60 мин. После этого полимерная пленка с растворившимся в ней фоторезистом отделяется от подложки.
Применение лака, содержащего пленкообразутощее вещество и растворитель фоторезиста, для удаления фоторезнста прн изготовлении полупроводниковых приборов.
